у меня есть схема вот такая Спойлер какие транзисторы нужно будет подбирать по коэффициенту усиления? и это получается нужно идти в магазин с прибором и там подбирать чтоб в точности был одинаковый?
Друзья, я вот не пойму смысла в коэффициенте усиления по току у биполярных транзисторов. Допустим, имеем транзистор МП39, у которого коэф. усиления написан "не более 12". Но когда я включаю его в схему, он усиливает ток почти в 40 раз. Ну вот допустим я подаю на переход БЭ ток 0.5 мА, а с коллектора идёт ток 20 мА. Как это понимать? И вот такой вопрос. У некоторых транзисторов в справочнике написан коэффициент усиления 10 - 10000. Почему такой здоровый диапазон? Какой же там в самом деле коэффициент усиления?
Коэффициент передачи тока может очень сильно зависеть от тока коллектора (нелинейная зависимость тока коллектора от тока базы, но всегда монотонно возрастающая).
я ща нагуглил первый попавшийся справочный листок - там написано "не менее 12"
Действительно. Взял информацию с сайта http://elektrikaetoprosto.ru/trans3.html по этому транзистору - они там, видимо, ошиблись. В справочнике именно, что "не менее".
B@R5uk писал(а):
Коэффициент передачи тока может очень сильно зависеть от тока коллектора (нелинейная зависимость тока коллектора от тока базы, но всегда монотонно возрастающая).
Хорошо, но как же тогда подбирается нужный транзистор? Вот, например, у меня на входе ток 0.5 мА, а нужно на выходе 50 мА. Получается, что нужен коэффициент 100. Но раз у транзисторов нет чётко обозначенного коэффициента, то как же их под такие задачи выбирать?
Схемотехническими приёмами добиваются независимости (слабой зависимости) параметров устройств от разброса коэффициента усиления применённых в них транзисторов. Классический пример такого схемотехнического приёма - Операционный Усилитель.
Хорошо, но как же тогда подбирается нужный транзистор? Вот, например, у меня на входе ток 0.5 мА, а нужно на выходе 50 мА. Получается, что нужен коэффициент 100. Но раз у транзисторов нет чётко обозначенного коэффициента, то как же их под такие задачи выбирать?
Существенно зависит от того, что именно вам нужно сделать. Например, у вас может быть схема управления реле, где малый ток, подаваемый на вход, должен давать гарантированное срабатывание реле. Тогда можно не заморачиваться точной цифрой коэффициента передачи, а поставить гарантированно больше. Защитой от перегрузки по току будет правильный выбор сопротивления обмотки реле и напряжения питания схемы (транзистор будет входить в насыщение, это называется ключевым режимом). А может быть другая ситуация, в которой вам требуется увеличить в заданное число раз звуковой сигнал. Тут вступает в силу другое требование, а именно линейность усилителя. Потому что даже малейшая нелинейность сделает из чистой музыки отвратительную грязь, которую невозможно слушать. Не один транзистор не свободен от нелинейности, каждый в большей или меньшей степени искажает. Поэтому в такой ситуации поступают следующим образом: собирают схему с очень-очень большим коэффициентом усиления и вводят отрицательную обратную связь, которая не только уменьшает усиление схемы до нужного значения, но и пропорционально уменьшает все вносимые схемой нелинейности. Разумеется, чем более линейна схема, тем лучше. Идеальным предельным случаем такой схемы и является операционный усилитель (ОУ).
Проверяю полевой транзистор IRF840 тестером - сначала прозваниваю встроенный диод, затем "подаю" плюс на затвор (относительно истока) и смотрю падение напряжения на электродах на исток S подсоединяю плюс, на сток D соответственно минус падение напряжения снижается примерно до 50мВ и держится на этом значении (от начальных 530мВ), когда все тоже проделываю с IRF830, то проверяемое падение напряжения очень быстро возрастает (транзистор закрывается) - нормально ли это или транзистор испорчен? Дело в том, что 830й побывал в плате, а 840й - новый
В сети неоднократно попадались видео о проверке полевых транзисторов тестером, собственно я ими воспользовался, но возник следующий вопрос: в видео в транзисторе с n-каналом открытие транзистора добивались подачей положит.напряжения на затвор относительно истока, а в классической книге Борисова написано, что на транзистор с n-каналом необходимо подать отрицательное напряжение смещения. Поясните пожалуйста где спряталась истина ? Я экспериментировал с транзистором IRF830 со встроенным диодом.
Это потому что транзисторы бывают MOS-FET (транзистор с изолированным затвором), и бывают j-FET (транзистор с управляющим pn переходом). Бегло ознакомиться можно (банально ведь) в википедии IRF830 - это типичный мощный MOS-FET с индуцированным каналом...
Мяу, уважаемые коты! Налаживаю ламповый винилкорректор. В катодной цепи входного лампового диф. каскада использую такую штуку:
БП -12в независимый от анодного.
Вопрос: при КЗ разряде емкостей БП в анодной цепи (в сумме ок. 450 мкф на 300 в) могут ли эти полевики выйти из строя? И как изменится в этом случае сопротивление сток-исток? Будет обрыв цепи или КЗ сток-исток? Имхо, полевик должен выдержать, а то надоело ждать, пока разрядятся емкости анодного через резистор.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения
Вход
Регистрация
Правила
FAQ
Поиск
Для МП39Б заявлено 20-60.
