подскажите пожалуйста какя максимальная частота у irfz44n
смотрел датащит на него но там не указано
или на транзисторы такого типа не указывается параметр частоты???

В ключевых приборах обычно приводятся времена включения, выключения...
Также, при расчетах можно пользоваться емкостными характеристиками, входные, выходные, проходные емкости.

ни чего из вышенаписанного ответа не понял!!!???
меня конкретно интересует = может ли транзистор irfz44n работать
в ключевом режиме с частотой 100мегагерц
и какой у него порог????
заранее все благодарен!!!!!!!!!!

Эти транзисторы используют как ключевые- "включён-выключен", поэтому для них указывается соответственно время включения 32 нсек и выключения 75 нсек, что косвенно указывает на предельную частоту 1 мГц.

спасибо огромное
а где вы смотрите датащиты (характеристики) на полевые транзисторы???
можно сцилочку????
заранее благодарен!!!!!!!!!

В ДШ приведён пример "Fig 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms". При сопротивлении управления на затворе 9 Ом, напряжения на сток-исток 30В и тока на нагрузке 50А - частота переключения может быть ~2,5МГц.
Т.е. частота будет зависеть от конкретных параметров схемы включения.

а какие СИЛОВЫЕ полевые транзисторы с изолированным затвором (н каналом) могут работать при частоте в 100 мегагерц???
пусть даже дорогие....

MRF116C

А вообще, в поисковик забивайте: "ВЧ MOSFET".

для IRF конкретно:
www.irf.com
если в общем:
http://www.allcomponents.ru/
плюс куча всяких других...

Параметр "Максимальная частота" для полевых транзисторов с изолированным затвором не имеет смысла. И вот почему. Быстродействие полевых транзисторов определяется только паразитными ёмкостями. В том числе, ёмкостью затвор-исток. Как быстро Вы сумеете эту ёмкость перезаряжать, так же быстро полевой транзистор будет включаться. Зарядите за микросекунду - включится за микросекунду. Зарядите за наносекунду (в чём я сильно сомневаюсь) - включится за наносекунду. Сумеете перезарядить за пикосекунду (дас ист фантастиш) будет работать с частотой 1000 ГГц... Вот только фиг это получится на практике. Ёмкость затвора примерно 1000 пф. А реально - несколько тысяч...

огромное всем спасибо
(респект вам и уважуха)

И тем не менее вычисляется.



Ага. Еще бы полевик не убить при слишком быстром заряде...... С этими приборами шутки плохи.

Спойлер

Сэр Мурр писал(а):

Эти транзисторы используют как ключевые- "включён-выключен", поэтому для них указывается соответственно время включения 32 нсек и выключения 75 нсек, что косвенно указывает на предельную частоту 1 мГц.

Правильно ли я считаю(?):

32 нСек + 75 нСек = 107 нСек. далее перевожу в секунды> 107 нСек / 1 000 000 000 = 0,000 000 107 Сек. затем вычисляю частоту> 1 / 0,000 000 107 Сек = 9 345 794,3925 Гц. - Почему так много получается, это правда или ошибка? Вы написали, что те параметры косвенно указывают на предельную частоту в 1 МегаГц, а у меня больше получилось по расчётам (как правильно рассчитывать?).

Там в работе необходимо учитывать и другие времена задержки. А самый "цимус" представляет собой емкость сток-затвор (точнее, канал-затвор), которая и не даст работать с такими скоростями по ограничению тока затвора. Это касается режима работы типа "ключ". С аналоговой точки зрения всё выглядит точно также, но работает лучше - потому что работаем только в активной области...

где вы взяли такие данные? 72 нс и 89 нс, соответственно.


а когда транзистор работать будет, помимо переключения?

neon,
Такие параметры у "Сэр Мурр" в ответе указаны были (у меня в цитате они повторены были)
"а когда транзистор работать будет" - вот это точно подмечено, но это как-то на второй план отошло.. - Время во включённом (открытом/проводящем) состоянии каким-то минимальным отрезков времени (продолжительностью) регламентируется?

Не регламентируется. Работая в режиме активного усиления транзистор вообще никогда не находится в состоянии ни "вкл", ни "выкл". А при работе в ключевом режиме времянахождение транзистора в этих крайних состояниях определяется здравым смыслом конструктора.

я брал данные из спецификации на транзистор. Данный транзистор можно заставить переключаться за несколько нс, но за счёт сложного драйвера. Проще подобрать нормальный транзистор. Если транзистор должен работать в ключевом режиме на частоте 100 МГц, то время переключения должно быть не больше нескольких единиц нс.

- Правильны ли мои догадки, что этот драйвер, который должен обеспечивать быстрый заряд и разряд затвора (условно - "базы") полевого транзистора, за единицы наносекунд, будет действовать так: в первый момент времени, на выходе драйвера, разность потенциалов создаётся намного выше, чем в те максимальные 20 вольт, и как только напряжение на "затворе" будет близко к 0 вольт (не доходя до момента "перевала" через ноль вольт), драйвер перестаёт использовать напряжение превышающее допустимый максимум, который можно прикладывать к затвору полевого транзистора (то есть продолжает трудиться в пределах <20 вольт)?

драйвер должен быть достаточно мощный + высокие требования к трассировке платы и расположению элементов. Для примера, они включали транзистор (1200 В, 12 А, 100 нКл) за время около 1 нс, хотя по спецификации он включается за 18 нс. Напряжение на стоке транзистора составляло 1000 В. Максимальное напряжение на затворе 40 В (предельное для данного транзистора).