ну вот начались противоречия....MAVr 34 писал(а):И судя по всему, этот ток датчик пропускает через себя на общий провод.
И как все таки правильно? С ножки входа последующей логики он же не заберет такой ток? Да и не отдаст... Надо ставить pnp транзистор на выход? Или все же npn?
Какой ещё общий коллектор? Там наверняка КМОП выход.Shr1mpy писал(а):Или вы имеете ввиду, что его надо подключать как логику с открытым коллектором?
прошу прощения "открытый коллектор" конечно же.Gudd-Head писал(а):Какой ещё общий коллектор? Там наверняка КМОП выход.Shr1mpy писал(а):Или вы имеете ввиду, что его надо подключать как логику с открытым коллектором?
То, что вы пытаетесь вразить на словах — не теория. Теория — это ссылка на даташит датчика.Shr1mpy писал(а):Думал обойтись теорией, но видимо придется все таки приобретать....
Ну по указанным мной названиям не так сложно найти пдф с ТХGudd-Head писал(а):То, что вы пытаетесь вразить на словах — не теория. Теория — это ссылка на даташит датчика.Shr1mpy писал(а):Думал обойтись теорией, но видимо придется все таки приобретать....
Это Я что ли должен искать???Shr1mpy писал(а):Ну по указанным мной названиям не так сложно найти пдф с ТХ
Да, скудный и кривой даташит. Даже не очень понятно что происходит при тревогеShr1mpy писал(а):P.S. Как я и говорил он довольно скудный, да еще с полукривым переводом. "-" 200мА потому, что в английском варианте ТХ указано, что это "Negative trigger output".
Да, из "+" питания через МС в нагрузку в одном случае и из нагрузки через МС на общий в другом.Shr1mpy писал(а):Хотел бы еще уточнить, например в этой МС Ioh и Iol - токи потребляемый/отдаваемый из питания / на общий (соответственно)?
Резистор питания брать исходя из максимального тока и напряжения питания: Uпит/Iмакс < Rн, 12/0,2 = 60, Rн > 60 Ом.Shr1mpy писал(а):К слову что-то мне не совсем ясно какой резистор надо от питания присоединить? Из расчета чтобы при максимальном токе на нем падало нужное кол-во вольт (12В(АКБ)-3.5В(минимум лог.1)=8,5В, т.е. ~45 Ом )?
Предположительно да.Shr1mpy писал(а):ага, понял. Значится если у датчика инверсная логика, то в его режиме тревоги через резистор и МС будет течь ток, а на выходе будет потенциал близкий к 0.
Предположительно нет. В режиме ожидания будет Z-состояние (закрытый транзистор). "+" питания будет только если подтянуть выход резистором.Shr1mpy писал(а):А в режиме ожидания на выход будет передаваться напряжения питания!?
Про вторую МС не понял.Shr1mpy писал(а):А скажем второй микросхемой будет ли нормально закрываться npn транзистор, с учетом того, что ток будет втекать в МС, но напряжение база-эммитер будет положительным и не нулевым (0.2-0.8В по ТХ)?
ну я это и имел ввиду.Gudd-Head писал(а): Предположительно нет. В режиме ожидания будет Z-состояние (закрытый транзистор). "+" питания будет только если подтянуть выход резистором.
ну просто учили меня, что для закрытия npn транзистора необходимо обеспечить протекание тока из коллектора в базу и отрицательное напряжение базы-эмиттер. Правильно ли я понимаю, что в общем достаточно выполнение лишь первого условия?Про вторую МС не понял.
Что сайт, что форум, к слову - золото Для закрывания биполярного транзистора достаточно прекратить подачу базового тока. Другими словами, для выключения npn (да и pnp) транзистора достаточно соединить (сравнять потенциалы) базу с эмиттером: тогда преход Б-Э закроется, и базового тока не будет.Shr1mpy писал(а):ну просто учили меня, что для закрытия npn транзистора необходимо обеспечить протекание тока из коллектора в базу и отрицательное напряжение базы-эмиттер. Правильно ли я понимаю, что в общем достаточно выполнение лишь первого условия?
P.S. Огромное спасибо за проявленное терпение
Неправильно учили.Shr1mpy писал(а):ну просто учили меня, что для закрытия npn транзистора необходимо обеспечить протекание тока из коллектора в базу
Скорее я что-то неправильно написал. Сейчас сверяюсь с раздаточными материалами из института - там это названо "областью глубокой отсечки". Ну да ладно, т.е. если у меня на выходе логике (базе транзистора) будет 0.2-0.8 вольта то в зависимости от выбранного VT он будет или в закрытом состоянии, или в режиме усиления?SERJ писал(а):Неправильно учили.Shr1mpy писал(а):ну просто учили меня, что для закрытия npn транзистора необходимо обеспечить протекание тока из коллектора в базу
Из коллектора в базу в транзисторе никакого тока не течет.
Как же... базовый ток PNP транзистора.SERJ писал(а):Из коллектора в базу в транзисторе никакого тока не течет.
Откуда вы взяли эти 0,2...0,8 В?Shr1mpy писал(а):Скорее я что-то неправильно написал. Сейчас сверяюсь с раздаточными материалами из института - там это названо "областью глубокой отсечки". Ну да ладно, т.е. если у меня на выходе логике (базе транзистора) будет 0.2-0.8 вольта то в зависимости от выбранного VT он будет или в закрытом состоянии, или в режиме усиления?
Базовый ток течет через эмиттер, а не через коллектор независимо какой транзистор.Gudd-Head писал(а):Как же... базовый ток PNP транзистора.SERJ писал(а):Из коллектора в базу в транзисторе никакого тока не течет.
