Транзистор, это очень просто!

[Jemchug]

-какие из этих резисторов и кондеров минимально необходимые

Про это уже вот здесь писали.

http://radiokot.ru/forum/viewtopic.php?p=684051#p684051

[SmarTrunk]

Разобраться - дело хорошее. Но в этой схеме http://www.cqham.ru/int8.htm - не столько транзисторов, сколько ВЧ-схемотехники и особенностей радиоприема. Конкретно про транзисторы мне понравилось объяснение, как все знают, в Хоровице Хилле "Искусство схемотехники" (лучше старое 2-х томное издание). Там все на пальцах объяснено, и снимутся сразу вопросы - для чего нужен какой резистор или конденсатор и какого номинала. Только начинать читать лучше с самого начала.

[KT608B]

Здравствуйте, у меня возникло затруднение, подскажите!

Часто вижу схемы усилителей на транзисторах с ОЭ ОБ и ОК. Так вот в не зависимости от сложности там есть резисторы подключенные последовательно и параллельно и так же кондеры.

Так вот скажите где подробно описано:
-какие из этих резисторов и кондеров минимально необходимые;
-как рассчитать каждый из этих элементов и почему именно так рассчитать;
-какую функцию выполняют эти элементы на своих местах в схеме.

З.Ы. Обучалку читал - не помогло. Дайте пожалуйста ссылку или сами втолкуйте

Приведите конкретную схему, чтобы видеть назначение каких элементов вам не понятно, и тогда я по мере своих знаний смогу ответить. В любом случая с обвеской транзисторов у меня вопросов не возникает, совершенно иное дело, это внутренние параметры транзистора от которых зависят номиналы внешних деталей. Можно и с эмитировать схему на EWB 5.12.



И вот, как я и говорил, поднимаю вопрос о модуле коэффициента усиления тока в схеме с общим эмиттером на высокой частоте lh21эl. К счастью не только меня, этот вопрос волнует http://www.cqham.ru/forum/showthread.php?t=8632 . Почему на высокой, а не на низкой? В сообщении дается ответ, что:

1) В общем случае - коэффициент передачи тока есть комплексная величина. У которой есть понятие "модуль"

2) Понятие модуля в математике. Абсолютная величина или модуль вещественного числа x есть расстояние от x до нуля.

3) Понятие модуль (от лат. modulus — «маленькая мера»)

4) Модуль = абсолютная величина = комплексное число.

5) На постоянном токе модуль совпадает со статическим коэффициентом передачи тока.

6) Практически, следует иметь в виду, что используя транзистор на относительно низких частотах (как минимум в 10 раз меньше "граничной" частоты или частоты, на которой указан МОДУЛЬ к-та), то к-т передачи будет близок к статическому.

7) При использовании на частотах близких к граничной, можно примерно ориентироваться на значение "модуля".

Граничная частота - это частота на которой к-т передачи становится равным 1, то есть транзистор перестает быть УСИЛИТЕЛЕМ!*

9) Граничная частота или частота единичного усиления: Ft = h21э * F, где F частота на которой дается в справочнике h21э. Пример: h21э = 10 (при F = 100МГц)..........Ft = 10 * 100 = 1000МГц.


А вот и обстоятельный ответ:

Очевидно, Вы только начинаете знакомиться с радиотехникой и транзисторами, в частности... Поэтому любой подробный ответ не заменит Вам самостоятельного изучения этого вопроса, а вызовет новые вопросы. Я попробую более просто и подробно ответить на Ваш вопрос, но он сформулирован не достаточно четко, поэтому ответ может оказаться не тем, какой Вы ожидаете.
Итак, к-т передачи по току (тока) h21э (буква э означает, что транзистор включен "с общим эмиттером"), 21 означает, что измеряется отношение выходного (2) к входному (1) параметру (в данном случае току), про букву h пока не будем, это "система" параметров (бывают и другие...), то есть h21э - отношение тока коллектора к току базы транзистора! Но,

1. токи коллектора и эмиттера могут быть постоянными и переменными. Если измерить постоянные токи, то получим h21э на постоянном токе (или статический), если на переменном - то соответственно h21э - на переменном токе (или динамический, или комплексный). Комплексный означает, что токи коллектора и базы будут отличаться не только по амплитуде, но и по фазе (в математике есть комплексные числа, которые характризуют одновременно и амплитуду и фазу...).
Соответственно, "модулем" h21э будет соотношение токов коллектора и базы без учета фазы!

2. Коэффициент передачи по току зависит как от амплитуды сигнала, в том числе и на постоянном токе, так и от частоты переменного тока (чем выше частота, тем меньше к-т передачи...), поэтому в вашем примере 2.5 - это минимальный к-т передачи на определенной частоте (часто на частоте 100мгц)

В справочниках иногда приводятся графики зависимости h21 от тока и от частоты.
Надеюсь, объяснение достаточно простое и понятное для Вас, тем не менее чтение книг крайне желательно для дальнейшего углубления Ваших знаний.
Желаю успехов!
Даю маленький совет: если не понятно прочитанное, прочитайте и постарайтесь понять второй раз, третий, пятый... Обычно, после пятого раза становится понятно больше, чем после первого!

Но какой я однозначный вывод должен сделать из этих сумбурных ответов? Для меня они представляются такими, потому что я в них не вижу системы. Меня эти ответы не удовлетворяют.

*Но вот в книге "Транзистор, это очень просто!" написано, что граничная частота, это когда усиление по току падает на 70% своего значения. В ряде случаев использовать эти транзисторы на частотах, значительно более высоких, ни что не мешает смиряясь с известны снижением усиления.


http://fotki.yandex.ru/users/kt608b/view/313184/

[KT608B]

И вот вы фиг чего поймете, пока не посмотрите, а как же это модуль h21 снимается! Модуль, это динамический коэффициент усиления h21, который снимается соответственно на переменном токе. То есть h21э, это статический коэффициент усиления. Модуль lh21эl, это динамический коэффициент усиления. Это коэффициент усиления для входного синусоидального сигнала. Понятие модуля настолько широкое, что достаточно запомнить: от лат. modulus — «маленькая мера». Я буду считать, что это мера чего-либо.


http://fotki.yandex.ru/users/kt608b/view/313311/

А вот я специально создал схему для снятия модуля h21э. Я портировал из micro-cap транзистор 2N5109, модель которого я там создал, и вставил его в схему, сделав замер по справочным данным на hFE этого транзистора. В моем случае на частоте 200 МГц модуль передачи тока h21э = Iк/Iб = 5.2/1 = ~ 5.


http://fotki.yandex.ru/users/kt608b/view/313312/

На частоте 1 МГц модуль уже равен статическому коэффициенту = 50:


http://fotki.yandex.ru/users/kt608b/view/313360/

[Jemchug]

И вот вы фиг чего поймете.........транзистор 2N5109............ В моем случае на частоте 200 МГц модуль передачи тока h21э = Iк/Iб = 5.2/1 = ~ 5

Но это же элементарно.
Смотрите Fт этого транзистора по даташту и делите её на рабочую частоту и
оценивайте его усиление на данной частоте.
http://paratran.com/2paratran.php?tr=53441

1200мгц/200мгц=6

[KT608B]

Не знаю, что там элементарного, мне эта формула ни о чем не говорит. Я понятия не имею откуда она взялась, кто ее придумал и зачем. А вот графический анализ придумал я и по нему я вижу откуда и что получается. Когда я достаточно наиграюсь со своей моделью, то я и сам такую формулу составлю, просто из-за того, что мне станет лень включать компьютер.

Я поторопился и снял параметры с погрешностью. Вместо включения амперметра в цепь коллектора, я его воткнул в цепь эмиттера. Он не только измерял два тока Iк+Iб=Iэ, но и играл роль обратной связи, т.к. на нем падало напряжение. Я специально дам новые фотографии, чтобы была видна разница.

На частоте 1200 МГц, Fгр этого транзистора, модуль h21э = 1:


http://fotki.yandex.ru/users/kt608b/view/313430/

На частоте 200 МГц модуль остался прежним = 5:


http://fotki.yandex.ru/users/kt608b/view/313439/

На частоте 1 МГц = 50:


http://fotki.yandex.ru/users/kt608b/view/313448/

Возможно для более точного измерения нужно в цепь коллектора включить сопротивление 100 Ом, т.к. сигнал в цепи коллектора действует переменный, но в модели я его влияния не заметил. Интересная вещь происходит на частоте 1 КГц, бесконтрольно растет ток коллектора. Может это из-за слабого процессора моего компьютера.

А вот на частоте 500 КГц ток стабилизировался на отметке 350 ма, на частоте же 1 КГц ток превышает 2 А.


http://fotki.yandex.ru/users/kt608b/view/313462/

Прошу прощения, я вот все тороплюсь, потому что хочется быстрее освоить транзистор. Я допустил еще одну ошибку: не заметил куда поставил блокировочный конденсатор. После исправления схема заработала стабильнее и теперь на частоте 500 КГц модуль передачи тока 30. Для частоты 1 КГц ток по прежнему бесконтрольно увеличивается. Если же я попытаюсь по такой схеме измерить модуль на частоте 200 МГц то он будет вместо пяти равен одному. Так сказывается влияние конденсатора и резистора. По сути конденсатор и резистор особо и не нужны, по крайней мере в модели. К несчастью мне попалась только одна схема для снятия модуля коэффициента передачи тока и о правильности исполнения свой я ничего не знаю.


http://fotki.yandex.ru/users/kt608b/view/313465/

[KT608B]

И вот чего там время тянуть, я просто возьму и спроектирую интересующий меня каскад на 2N5109. Схему паять не надо, собирается она за несколько секунд. Просто посмотреть режимы и работоспособность.

Я взял соответственно свою схему http://www.cqham.ru/int8.htm . В соответствии с данным IARU http://www.radiolamp.ru/shem/tuner/3.php?no=21 подал сигнал на 50 омным каскад уровнем 9+20 дБ = 500 мкВ. И посмотрел режимы по постоянному току, а также прохождение и усиление входного каскада. Входная амплитуда 500 мкВ, а выходной сигнал 20 мВ. Измерил входной переменный ток = 9 мкА, разделил входное AC напряжение 500 мкВ на входной ток 9 мкА и получил 55 Ом. Выходным сопротивлением здесь будет являться внутреннее сопротивление самого транзистора, я правильно понимаю? Думаю, что правильно, потому что я его измерил на холостом ходе и получил 100 Ом. Я измерил ток коллектора = 155 мкА и выходное напряжение = 20 мВ. При произвольных нагрузках выходное сопротивление остается равно 100 омам. Я стал от балды втыкать в схему первые мне попадающиеся транзисторы из базы радиоэлементов и на мое удивление параметры каскада остались неизменными! Я изменил уровень входного сигнала с 500 мкВ до 10 мкВ и параметры каскада остались прежними. Я изменил уровень сигнала с 10 мкВ до 5 мВ и параметры не изменились.

Но вот при изменении частоты с 10 МГц до 30 МГц входное сопротивление опустилось до 20 Ом, выходное осталось без изменений 100 Ом. А на частоте 3 МГц входное сопротивление поднялось до 160 Ом, выходное не изменилось и соответствует 100 омам. Интересно, почему меняется входное сопротивление, а выходное нет?

Усиление каскада не изменяется при F=3-30 МГц. Если я правильно измерил децибельником, то усиление по напряжению 35 Дб, это где-то 50 раз. Но при изменении амплитуды входного сигнала меняется. При увеличении входной амплитуды до 1 мВ усиление становится 30 Дб, при уменьшении до 10 мкВ становится 70 Дб или наоборот. Наверное в случае с транзистором важно усиление не по напряжению, а по току. Ведь для поддержания сопротивления, что-то должно изменяться. Примечательно, что при качании частоты и вызванными изменениями Rвх, усиление не меняется. Но при качании входной амплитуды и неизменности Rвх и Rвых, усиление меняется.


http://fotki.yandex.ru/users/kt608b/view/313468/

[rustot]

вот кстати про обратную связь наглядно.

вот это передаточные характеристике Iк/Uбэ биполярного транзистора в масштабах:

http://www.wolframalpha.com/input/?i=pl ... %3D+0+to+5
http://www.wolframalpha.com/input/?i=pl ... 3D+0+to+10
http://www.wolframalpha.com/input/?i=pl ... D+0+to+100

а вот они же после введения обратной связи 1:10

http://www.wolframalpha.com/input/?i=pl ... %3D+0+to+5
http://www.wolframalpha.com/input/?i=pl ... 3D+0+to+10
http://www.wolframalpha.com/input/?i=pl ... D+0+to+100

получается практически прямая нужного нам наклона 1:10 но сдвинутая, типа y = 10*(x-N). а нам и не нужна ее прямость от начала координат, надо чтоб она была прямой на нужном диапазоне x-y, то есть для заданных рабочих токов коллектора.

[KT608B]

Если мне никто не хочет помочь с расчетом режимов каскада по этой схеме http://www.cqham.ru/int8.htm , то и не надо, я сам его сделаю путем проб и ошибок в EWB 5.12. Чужой расчет меня только запутает, так как у каждого свой метод, и предложенный может оказаться слишком громоздким, в котором будет сложно разобраться, а значит не приемлемым. Я ищу оптимальные соотношения. Меня интересуют только тонкости.

Я не совсем соображу, что является нагрузкой транзисторов в этой схеме http://www.cqham.ru/int8.htm Нагрузка здесь разделена на два резистора по 100 и 82 Ом, а между ними включена блокировочная емкость. В книге "Цыкин Г.С., Усилительные устройства. М., "Связь", 1971г." http://sezador.radioscanner.ru/pages/li ... zykin.html подробно и весьма понятным языком на стр.55 описывается расчет схемы с комбинированной стабилизацией точки покоя. В этой книге четко разграничивается этот фильтр. Резистор со стороны источника питания, это Rф и конденсатор Cф. Сопротивление со стороны транзистора, это его нагрузка.

Но в книгах не всегда пишется нагрузка для чего для переменного или отрицательно тока. Я и раньше подозревал, что постоянный ток падает на сумме резисторов образуя 182 ома, а переменный ток на резисторе 100 ом, потому что конденсатор образует на стыке двух резисторов нулевую точку для переменного напряжения. То есть на резисторе 100 Ом падает переменное напряжение, а на сумме резисторов постоянное. Таким образом транзистор имеет две нагрузочные прямые, одну для постоянного тока, а другую для переменного.

Я смоделировал в EWB соответствующие ситуации и все подтвердилось. Но я обнаружил, что через резистор 100 ом протекает такой же по величине ток и напряжение, как и на самом транзисторе. Просто взглянув на схему ОЭ и увидев, что нагрузочный резистор 100 ом, можно точно сказать, что и внутреннее сопротивление транзистора равно 100 ом. Ради интереса, я разомкнул блокировочный конденсатор, так что нагрузкой для переменного и постоянного тока являлась сумма резисторов 100 ом и 82 ом. В этом случае внутреннее сопротивление транзистора оказалось 182 ом. Но это на переменном токе, на постоянном сопротивление резисторов и внутреннее сопротивление транзистора различны. Можно ставить резистором нагрузки любой номинал и внутреннее сопротивление транзистора всегда будет ему равно.

Этот момент, с одинаковостью резистора нагрузки и внутреннего сопротивления транзистора на переменном токе, очень интересен и мне очень любопытно отчего он происходит.

[rustot]

там просто питание на каскады разведено через RC цепочки, чтобы развязать их от обратной связи по шине питания. то есть для VT1 например питающим можно считать напряжение на конденсаторе 0.01. а коллекторный резистор только вот 100 омный

терпеть не могу разглядывать схемы нарисованные не по принципу сигналы слева-направо, питание сверху-вниз

[KT608B]

Я себе голову ломаю, как же удобнее всего на лету снимать ВАХ транзисторов, а оказывается в multisim, старшей версии EWB, появился специальный графопостроитель "IV-анализатор". Он снимает параметры с диодов и транзисторов http://vgololobov.poplinux.ru/wp-conten ... age002.jpg и даже выстраивает целые семейства ВАХ http://vgololobov.poplinux.ru/wp-conten ... ge0061.jpg . Такие вот дела, придется качать 600 мб Multisim http://vgololobov.poplinux.ru/wp-conten ... ge0061.jpg

[KT608B]

Но у меня в голове никак не укладывается, как можно схему рассчитывать для транзистора с минимальным h21э~50. А если у образца окажется h21э
~300 ? Тогда расчетные сопротивления, входные/выходные, будут расчетными? Я замерил у своей модели транзистора 2N5109 h21э и он оказался около 260, и при этом выходное сопротивление соответствует авторскому 100 ом, а входное 50 ом, но только на частоте 10 МГц, дальше оно меняется. Это нормально, что входное сопротивление от частоты в моей схеме меняется? Хотя я знаю ответ, это наверное обратная связь приводит токи и напряжения к расчетным, ведь я ставил в свою схему различные транзисторы с разными h21э.

И вообще интересный разброс h21э=50-350 приводится в справочнике для транзистора КТ315. Я проверил несколько штук и у всех усиление в диапазоне 200-300.

[Сэр Мурр]

Входное сопротивление будет меняться с изменением частоты, поскольку у транзистора есть входная ёмкость, которая может выстуапать как интегрирующе звено; или - при параллелном включении- уменьшать входное сопротивление. Кажется , в симуляторе это можно увидеть.
Очень рад, что тема ожила!

[rustot]

Но у меня в голове никак не укладывается, как можно схему рассчитывать для транзистора с минимальным h21э~50. А если у образца окажется h21э
~300 ? Тогда расчетные сопротивления, входные/выходные, будут расчетными?

вы строите схему так, чтобы коэффициент усиления не зависел от h21э, а зависели от него только входные и выходные сопротивления. потом делаете каскады такими чтобы входное сопротивление одного было в десятки раз больше выходного сопротивления следующего, тогда они останутся согласованными даже при уплывании h21э в разы от расчетных.

[SmarTrunk]

Ну да, все верно. Вот когда транзисторы только появились (какие нибудь П15 или МП41), то на радиодеталях экономили, смещение на базу подавали в виде одного резистора, который приходилось подбирать (под конкретный h21э). А потом схемотехника совершенствовалась, и за счет более сложного построения каскада (например, не два резистора, а четыре, или обратная связь по постоянному току охватывает сразу несколько каскадов) конкретное значение h21э стало по барабану, лишь бы было достаточно большим.

[rustot]

как бы я анализировал эту схему. сначала перерисовал бы схему для постоянного тока, то есть заменил бы все емкости на разрывы цепи.



в этой схеме даже без привязки к конкретным параметрам транзистора посчитал бы токи и напряжения образующиеся для произвольной неизвестной передаточной характеристики Iк=f(Uбэ) за счет обратной связи

затем перерисовал бы ее для переменки. тогда большие блокировочные емкости превратились бы в перемычки (причем для сигнала совершенно пофиг куда зацеплена емкость, на ноль или на питание, перемычку вы можете поставить куда удобно), а сигнальные емкости в резисторы сопротивлением зависящим от частоты. в данном случае я подставил для 10мГц сопротивления 34 ома вместо емкостей 470пф. пока не интересуют фазовые характеристика такая замена возможна. при этом из анализа цепи по постоянки мы уже знаем значения Iк и Uбэ в средней точки и анализируем уже другую передаточную функцию для сигнала dIк = f(dUбэ). можно посчитать как будут влиять неизвестные нам сопротивления источника сигнала и нагрузки. соответственно вычислить значения, при которых они влияют несущественно.



конкретно для этой схемы, когда обратная связь определяется в первую очередь не Rэ, а Rкб, сразу могу сказать слабое место - коэффициент усиления конкретно зависит от Rисх, а средняя точка по постоянке значительно зависит от h21э. стабильностью схемы пожертвовали для получения большего коэффициента усиления. Rкб нужно подбирать под конкретный экземпляр транзистора и в схеме около него должна быть '*'

[KT608B]

Входное сопротивление будет меняться с изменением частоты, поскольку у транзистора есть входная ёмкость, которая может выстуапать как интегрирующе звено; или - при параллелном включении- уменьшать входное сопротивление. Кажется , в симуляторе это можно увидеть.
Очень рад, что тема ожила!

По видимому действительно так. С увеличением частоты входное сопротивление транзистора в схеме ОЭ падает, потому что входной ток возрастает при неизменном входном напряжении. Это можно объяснить только входной емкостью эмиттерного перехода. При частоте 3 МГц, rвх=300 Ом; на частоте 30 МГц, rвх=30 Ом; на частоте 60 МГц, rвх=20 Ом; на частоте 200 МГц, rвх=20 Ом. Что получается? На низких частотах сопротивление емкости эмиттера велико и ток течет небольшой. С увеличением частоты реактивное сопротивление емкости эмиттера падает и ток увеличивается. А на еще большей частоте сопротивление емкости эмиттера становится нулевым и входной протекающий ток стабилизируется. Так как ток на высокой частоте течет через емкость перехода в обход самого перехода, то усиление транзистора падает, что я и наблюдал при симуляции схемы. Но если я заменю модель транзистора на идеальный, то видимо, так как у него отсутствуют емкости переходов, то ток через транзистор стабилен во всем диапазоне частот, а значит и входное сопротивление транзистора. Усиление транзистора в этом случае так же стабильно. Я представляю себе это так.

Не понимаю, как же тогда обеспечивается согласование в этой схеме http://www.cqham.ru/int8.htm С выходным все понятно. Но вот согласование входного сопротивление транзисторного каскада верхнего на схеме. Он должен быть согласован с коаксиальной фазосдвигающей линией имеющей сопротивление 50 Ом в широком диапазоне частот. В случае рассогласования в линии возникает КСВ и часть мощности в линии отражается обратно к источнику. У такой схемы на разных частотах будет разное усиление сигнала. Но может для данной схемы все это неважно? Может достаточно, что два каскада образуют результирующее сопротивление 50 Ом, которое идеально согласуется в широком диапазоне частот с коаксиальным кабелем идущим на вход приемника и автору схемы достаточно того, что входное сопротивление низкое?

Уже сейчас я могу сказать приблизительно как делался расчет. Для устранения межкаскадной связи были применены RC фильтры на входе каждого усилителя. Расчет их можно вести исходя как их сопротивления, так и из емкости конденсатора. Затем когда номинал резистора RC фильтра был определен, то оставалось добавить коллекторное сопротивление 100 Ом на котором будет падать переменное напряжение. Резистор выбран такого номинала, потому что каким-то мистическим образом выходное напряжение создаваемое транзистором, делится на равные части между ним и Rк. Соответственно выходное сопротивление самого транзистора будет равно 100 Ом. И если даже резистор заменить на другой номинал или сместить рабочую точку, изменить частоту, увеличить входную амплитуду, то выходное сопротивление остается неизменным равняющимся Rк. Нагрузочные прямые строятся следующим образом. Сопротивлением Rк для постоянного тока равно значение суммы сопротивлений Rфильтра+Rколлектора. Для постоянного тока, первая точка ставится на оси напряжений и равна она напряжению питания. Точка на оси тока рассчитывается исходя из максимального падения напряжения на Rк=182 Ом, I=E/Rк=9/182. Для переменного тока Rк будет сопротивление одного резистора номиналом 100 Ом. Эта нагрузочная прямая для переменного тока строится исходя из точки коллекторного тока, откуда линия будет проходить через точку смещения транзистора, указывая на линию графика напряжений. Рассчитывается точка коллекторного тока просто I=E/Rк=9/100. Как проводить нагрузочные прямые хорошо сказано в книгах: Цыкин Г.С., Усилительные устройства. М., "Связь", 1971г. http://sezador.radioscanner.ru/library.html#schemata и Айсберг Е. Транзистор?.. Это очень просто!

В проведенных мной исследованиях над моделью каскада на транзисторе 2N5109 http://www.cqham.ru/int8.htm оказалось, что рабочая точка выбрана примерно на середине графика выходного напряжения. То есть, если E источника = 9 вольт, то напряжение падения на транзисторе в рабочей точке равно = 5 вольтам. Определив точку напряжения коллектор-эмиттер на нагрузочной прямой, можно узнать ток коллектора Iк. Разделив значение Iк на h21э можно узнать ток базы и уже зная его скорректировать номиналы элементов цепей обратных связей. Выходная характеристика транзистора не изменяется при введении ОС. Коэффициент усиления h21э следует брать для расчета на постоянном токе или низких частотах. Модуль коэффициента усиления, который обязательно приводится в справочниках начиная с высокочастотных транзисторов, применяется для расчета режимов транзистора по переменному току. Коэффициент усиления h21э на мой взгляд разумнее брать средним. Или крайним при расчете запредельных параметров, например, прослеживая зависимость от температуры. Самый толковый и не перегруженный расчет простейших транзисторных каскадов, я встретил в книге: Цыкина А.В., Проектирование транзисторных усилителей низкой частоты. М., "Связь", 1968г. http://sezador.radioscanner.ru/library.html#schemata

[KT608B]

Я немного по просматривал различных книг посвященных транзисторной схемотехнике. Во всех них дается громоздкий расчет, который для радиолюбительских нужд и не нужен в таком объеме. В каждой книге используется свой метод и вводятся свои переменные параметры. Все это можно послать к черту!

1) Выходное сопротивление транзистора на переменном токе и любой схемы включения ОК, ОЭ, ОБ равно резистору сопротивления нагрузки. И как я не старался в своей модели менять параметры всего, что только можно, выходное сопротивление транзистора оставалось неизменным.

2) Входное сопротивление схем с ОЭ и ОК меняется в зависимости от частоты в пределах указанных для диапазона входных сопротивлений конкретной схемы включения. Такую таблицу можно найти, например, в книге "Транзистор, это очень просто!"
Теоретически для схемы с ОБ входное сопротивление в большем диапазоне частот стабильно и только на очень высокой частоте изменяется. Объясняется, это тем что в иных случаях эмиттерный переход включен в прямом направлении и его емкость большая. В схеме с ОБ переход эмиттера включен в противоположном направлении и емкость меньше.

Как я могу догадываться, для точного согласования в широком диапазоне частот схем ОК и ОЭ с источником сигнала, применяются широкополосные трансформаторы. Но это мнение субъективное.

3) Вводя в цепи обратных связей транзистора блокировочные конденсаторы, можно подбирая их емкость, корректировать коэффициент усиление транзистора на разных частотах. Но как, это реализовывать я пока понятия не имею, да на моем этапе пока и не нужно.

4) Из проведенных экспериментов у меня сложилось следующее мнение по этой схеме http://www.cqham.ru/int8.htm . Выбор схемы включения выбирался исходя из необходимого входного сопротивления, который для схемы с ОЭ лежит в диапазоне 20-300 Ом. Схема имеет неоднозначное входное сопротивление меняющееся в указанном диапазоне значений в зависимости от частоты. Почему автор не выбрал схему с ОБ, которая более стабильна по этому параметру, я пока не знаю. Возможно такая точность и не требуется. Затем когда схема включения была выбрана, то надо было подобрать внешние элементы. Почему выбрана схема питания 9 вольт? Потому что питание от источника равно 12 вольтам и для стабильности схемы от его изменения, напряжение стабилизировано параметрическим стабилизатором до значения 9 вольт. Когда с напряжением было все ясно, встала необходимость в развязке каскадов усилителя. С этой целью был применен RC фильтр R=82 Ом, С=0.01 мкФ. Когда и с ним было ясно, то следующий шаг был в выборе выходного сопротивления каждого усилителя. Так как сопротивление нагрузки всей схемы равно 50 Ом, то нагрузка каждого из усилителей 100 Ом и параллельное соединение усилителей дает сопротивление 50 Ом. Выходное сопротивление усилителя на переменном токе определяет коллекторный резистор Rк = 100 Ом. Когда все выходные детали были подобраны, то осталось составить по справочным данным график выходных параметров транзистора http://radiokot.ru/forum/download/file.php?id=12408 и создать на нем две нагрузочные прямые. Одну для постоянного тока, другую для переменного. Прямая для переменного тока строится исходя из нагрузочной прямой постоянного тока, так как она проходит через точку напряжения смещения транзистора со стороны линии графика Iк=E/Rк=9в/100 Ом. Так как напряжение питания схемы 9 вольт, то напряжение рабочей точки для усиления сигналов в классе А, выбрана на напряжении 4.5-5 вольт, для линейного усиления обоих полуволн сигнала. Проведя линию из рабочей точки транзистора на график коллекторного тока Iк, можно узнать его значение. А разделив Iк на h21э (для статического режима, т.е. на постоянном токе), узнать базовый ток. Увеличив базовый ток в 10 раз можно получить ток через делитель напряжения, чтобы он не влиял на вход. Зная напряжение Uкэ транзистора, Iделителя и Uбэ транзистора, можно рассчитать делитель напряжения в базе транзистора в его схеме включения в виде обратной связи. Выбор сопротивления эмиттерного резистора ООС определяется коэффициентом в зависимости от типа каскада, маломощного или мощного. Зная его номинал нетрудно рассчитать входное напряжение на рабочей точке. А как оно там меняется вне пределов рабочей точки меня пока мало волнует, так как параметры схемы ОЭ в плане усиления и входного сопротивления, круто зависят от частоты. И даже если я скорректирую усиление, то входной ток все равно будет утекать через внутреннюю емкость эмиттерного перехода и мне кажется, что сопротивление тут не скорректируешь на отметке 40-60 Ом.

Вот приблизительно пока и все, потому что как найти напряжение Uбэ без входного графика, я не знаю.

[SmarTrunk]

Громоздкие академические расчеты, приведенные в старых советских книгах, и правда малополезны.

На высоких частотах влияние паразитных емкостей и емкостей монтажа очень велико. Ну и диффузионная емкость база-эмиттер, зависящая от тока, кажется С=Iк(мА)/(6*Fгр*25). Про высокочастотную модель транзистора и разные его граничные частоты неплохо написано в Титце Шенк "Полупроводниковая схемотехника", раздел "Широкополосные усилители".

[Сэр Мурр]

Как я могу догадываться, для точного согласования в широком диапазоне частот схем ОК и ОЭ с источником сигнала, применяются широкополосные трансформаторы. Но это мнение субъективное.

Скорее, это объективное мнение.

Вводя в цепи обратных связей транзистора блокировочные конденсаторы, можно подбирая их емкость, корректировать коэффициент усиление транзистора на разных частотах. Но как, это реализовывать я пока понятия не имею, да на моем этапе пока и не нужно.

Шунтирование эмиттерного резистора конденсатором- в общем случае увеличивает усиление. Шунтирование коллекторного резистора конденсатором- уменьшает усиление. Иногда коллекторный резистор шунтируется дросселем, включённым последовательно- это усиливает частоты выше некоей частоты, определяемой параметрами дросселя.
В общем, существует множество способов корректировки АЧХ с помощью различных цепей. На высоких частотах это гораздо стабильнее в работе, чем цепи обратной связи. (но могу ошибаться, т.к. с ВЧ не работаю)