ParkeT писал(а):anatol378, это все понятно, и очень хорошо, но каким образом Расчитать параметры реально, так, что б я потом собрал и оно работало... Не пойму что значит могло "бы быть бесконечным"... В катушке индуктивностью один генри при изменении тока на 1 ампер за 1 секунду возникает ЭДС самоиндукции 1 вольт... Т.е зная общее сопротивление "силовой цепи" (сопротивление дросселя, индуктивное сопротивление дросселя (зависит от частоты), сопротивление ключа) мы можем расчитать ток протекающий через эту цепь... Ток нашего направления мы получим только переходе с 1 на 0 уровень... Величина ЭДС самоиндукции будет зависить от "резкости" спада , а она от скорости открытия ключа, а она от емкости затвора... Частота подбирается таким образом, что б успела накопиться максимальная энергия в дросселе при единичном уровне.
Вывод следующий..
Чем больше индуктивность дросселя, тем выше напряжение.
Чем меньше ескость затвора или чем больше заряжающий эту емкость ток, тем выше напряжение.
Чем меньше сопротивление "силовой цепи" (оно еще и от частоты зависит), тем выше напряжение...
Пишу я все это для того, что б вы понимали ход моих мыслей и могли доходчиво мне объяснить, где мои суждение ошибочны...
Вопросы: так как всетаки выбирается частота, влияет ли она на что-то кроме оеактивного сопротивления дросселя... (Спасибо, Juri000 за ссылку, но там тоже не объяснено, чем руководствуются
при выборе частоты)
Как и на что влияет скважность..
Мне кажется, что всё написанное Вами, к реальному принципу работы повышаающего преоборазователя (обратноходового) не имеет. Я уже неоднократно здесь на форуме описывал эти общие принципы, но каждый новичок делает одни и те же ошибки. Не могу удержаться, чтобы не повторить их ещё раз. В подробную дискуссию ввязываться мне сейчас некогда, но призываю обдумать мои слова. Может быть, когда немного освобожусь на работе, постараюсь написать более подробно, с оциллограммами реальных схем и моделированием на LTSpice.
Итак, в двух словах.
Принцип работы подобных преобразователей - своего рода насос электрической мощности. За время открытого состояния ключевого транзистора в индуктивности дросселя накапливается энергия. Эта энергия однозначно определяется формулой W=L*(I^2)/2, то есть, пропорциональна индуктивности и квадрату тока, который раскачается к моменту закрывания транзистора. Полярность диода выбирается так, чтобы на этапе накопления энергии ток в нагрузку не поступал. Ток к моменту окончания импульса вычисляется из формулы U=L*(I/t), где U - напряжение источника питания, L -идуктивность дросселя, t- длительность открытого состояния транзистора, I - ток в максимуме. Надеюсь, величину тока в максимуме из этой формулы сможете вывести самостоятельно?
Когда транзистор закрывается, накопленная энергия начинает "искать дырочку" - напряжение на коллекторе или затворе превышает напряжение питания (или полярность напряжения на дросселе меняется). Выпрямительный диод открывается и ток из индуктивности, фактически, переключается в нагрузку. Если нагрузка представляет собой резистро R, то на нём образуется импульс напряжения амплитудой Uвых=I*R, его форма - спадающая экспонента с постоянной времени L/R.
Хочу отметить несколько моментов, о которых многие забывают: а) пиковое значение тока нагрузки в такой схеме НИКОГДА не превысит величины тока дросселя, раскачанного в нём к моменту закрывания транзистора. Следовательно, никакие схемы ограничения тока нагрузки здесь смысла не имеют (только ограничение длительности импульса). б) чем больше сопротивление нагрузки, тем выше амплитуда выходного импульса и короче его длительность. Соответственно и наоборот. Роль величины индуктивности тоже можно оценить.
Если на выходе стоит конденсатор, то порция накопленной энергии подзаряжает этот конденсатор (формулу связи напряжения на конденсаторе и накопленную в нём энергию, надеюсь, напоминать не надо?). Стоит отметить, что в схеме без трансформатора при включении конденсатор фильтра сразу заряжается но напряжения питания минус падение на диоде и прирост выходного напряжения происходит от этой величины.
Выходное напряжение данной схемы можно довольно легко вычислить. Мы же можем вычислить мощность, которую прокачивает транзистор? Она равна энергии одного импульса, умноженной на частоту повторения. Например, если в индуктивности накапливается энергия 1 миллиджоуль, а частота повторения равно 50 кГц, то транзистор перекачивает мощность 50 Вт. Эта мощность, за вычетом потерь, рассеивается на сопротивлении нагрузки. Следовательно, выходное напряжение можно вычислить из формулы P=((Uвых)^2)/R. Если быть совсем точным, из вычисленного напряжения надо вычесть напряжение на открытом диоде.
Всё это верно, если к моменту следующего отрывания транзистора вся энергия из индуктивности благополучно рассеется в нагрузке (ток индуктивности спадёт до нуля) - это так называемый режим разрывных токов дросселя. Но так бывает далеко не всегда. Если сопротивление нагрузки будет небольшим (отношение L/R окажется сравнимым или больше длительности закрытого состояния транзистора), то к моменту начала следующего импульса часть энергии останется в индуктивности и ток в дросселе начнёт нарастать не от нуля, а от некоторой конечной величины. То есть, ток транзистора будет иметь не треугольную, а трапецеидальную форму.
Этот режим я пока исследовал мало и не могу привести простые формулы для его расчёта. Поищите в другом месте.
Но и для режима разрывных токов, и безразрывных токов можно сказать, что Ваш вывод о том, что чем больше индуктивность, тем выше выходное напряжение, неверен совершенно. Можно сказать, что чем выше сопротивление нагрузки, тем выше напряжение. Или, чем больше прокачиваемая через дроссель мощность, тем выше выходное напряжение. Можно ещё сказать, что для схемы без фильтрующего конденсатора, когда мы получаем на выходе ипульсы, а не постоянное напряжение, чем меньше паразитные ёмкости схемы (межвитковая, межобмоточная и т.д.) тем выше выходное напряжение. Это можно сказать для схемы, работающей на ХХ - например, если хотим получить высокое напряжение от строчника, просто выставив зазор между выводами высоковольтной обмотки и не включая туда никакую нагрузку.
Скважность, в частности, сильно влияет на то, какой будет режим - разрывных токов или безразрывных. Если время отрытого состояния транзистора будет малым, а закрытого состояния большим, то больше времени будет на рассеяние энергии и меньше на накопление, то есть, больше вероятность будет, что будет режим разрывных токов.
[url=http://ne-kurim.ru/schetchik-nekureniya/][img]http://ne-kurim.ru/ncounter/54950-1.png[/img][/url]
индуктивность не знаю). Если равна то разрядите на пальчики.
