Мелкие вопросы по теории

[YAA]

I=C*dU/dt, отсюда время dt, за которое разрядится конденсатор, ёмкостью С, током I, на разность напряжений dU, равнo dt=С*dU/I.

Напимер, С=4700мкФ=4,7*10-3Ф, I=20мА=2*10-2А, dU=16В. dt=4.7*10-3*16/2*10-2=3.76 сек. Напряжение на конденсаторе, при разряде постоянным током, будет уменьшаться линейно, со скоростью 1В за 0,235сек.

[RadistRoma]

У меня такой вопрос про обозначения на плате.
resistanse - R
capacity - C
Так почему Индуктивность обозначается буковкой L и транзистор VT?

[Gudd-Head]

Транзистор ещё обозначается как Q и M.

[Света]

У меня такой вопрос про обозначения на плате.
resistanse - R
capacity - C
Так почему Индуктивность обозначается буковкой L и транзистор VT?

Согласно ГОСТ2.710-81 ЕСКД. Обозначения буквенно-цифровые в электрических схемах.
Взяли латинский алфавит и каждую букву привязали к какому-нибудь элементу. А соответствует ли какая-нибудь буква названию элемента, исследуйте сами.
Кстати:
V - приборы электровакуумные, полупроводниковые
VD - диод
VL - прибор электровакуумный
VT- транзистор
VS - тиристор

[RadistRoma]

Спасибо)
Для запоминания для меня проще установить связь с названием, нежели зубрить ГОСТ)

[Света]

Зубрить не за чем, а вот когда непонятно, как обозначить на схеме, например, цифровую микросхему, то стоит посмотреть ГОСТ и увидеть, что её нужно обозначить как DD, а если аналоговую, то как DA.

[Soir]

У меня такой вопрос про обозначения на плате.
resistanse - R
capacity - C
Так почему Индуктивность обозначается буковкой L и транзистор VT?

Согласно ГОСТ2.710-81 ЕСКД. Обозначения буквенно-цифровые в электрических схемах.
Взяли латинский алфавит и каждую букву привязали к какому-нибудь элементу. А соответствует ли какая-нибудь буква названию элемента, исследуйте сами.
Кстати:
V - приборы электровакуумные, полупроводниковые
VD - диод
VL - прибор электровакуумный
VT- транзистор
VS - тиристор

Я думаю, обозначения для элементов придумали не авторы ГОСТа. ЕСКД лишь упорядочивает и стандартизирует, чтобы мы с вами понимали друг друга, а также наших зарубежных коллег.
Что касается индуктивности - символ L был взят в честь Ленца Эмиля Христиановича (Heinrich Friedrich Emil Lenz).

[Coco]

помогите разобраться в рассчете рассеиваемой мощности резистора
на схеме стоит резистор на 51 ом через этот участок схемы максимум может пройти 3А так как перед резистором стоит предохранитель
при расчете мощности рассеивания по формуле ток2*сопротивление получаем 459 ВТ как я понимаю
но не ставить же нам такой резистор в схему
подскажите как правильно считать

[AI_Disable]

Всё верно. Если через резистор 51Ом будет теч ток 3А, то на нём будет выделяться 459Вт.

[Gudd-Head]

может пройти 3А так как перед резистором стоит предохранитель

1. Если там такой предохранитель стоит, то номинальный ток может быть на порядок меньше. 2. Где сама схема?

[Coco]

схема вот
резистор Р3
и какого номинала тогда ставить резистор?
2ВТ?
как узнать какой номинал резистора сможет рассеять полученное количество энергии?

[Света]

Через этот резистор никаких 3 А не будет идти. Через него будет идти ток перезаряда конденсатора. Примерно 0,5 Вт вполне там пойдёт.

[Coco]

спасибо
так не подскажете как расчитывать номиналы резистора в зависимости от мощности рассеивания?

[Arlleex]

Сопротивление резистора зависит от нужного тока в этой цепи, находящейся под известным напряжением!
А там и мощность легко рассчитывается:
P=UI
или
P=U^2/R

[Alliksey4]

Помогите начинающему с двумя бип транзисторами!
Если их соединить паралельно, не Дарлингтоном, а Б к Базе, К к К, Э к Э ,
то параметры их складываются?
А коэффициент шума тоже?

[VT1]

Мощность увеличивается, коэффициент шума уменьшается.
Этим часто пользуются при создании малошумящих усилителей.

http://www.radiomaster.ru/stati/radio/4_28.php

Для снижения собственных шумов в некоторых случаях во входном каскаде применяют параллельное включение двух и более транзисторов. Они также включаются по схеме с общим эмиттером, и при числе транзисторов N - значение тока в нагрузке увеличивается в N раз, а среднеквадратичное значение шумового тока увеличивается только в корень квадратный из "N" раз (по сравнению с каскадом на одном транзисторе).

[Alliksey4]

А предельные параметры? спс

[VT1]

http://www.radiokot.ru/forum/viewtopic. ... 28#p545028

Мощность увеличивается, а значит и ток коллектора.

[Alliksey4]

Сори за назойливость..
а как скажется на работе , если h21 будут отличаться?

[VT1]

При строго одинаковых транзисторах суммарная допустимая мощность возрастает в два раза, если транзисторы здорово отличаются по параметрам, то суммарная допустимая мощность будет меньше.
Часто в цепь эмиттера ставят резисторы, что уравнивает режимы транзисторов за счет ООС создаваемой этими резисторами.