Блин, одни лозунги, никакой конкретики. Пардон, на это времени у меня нет.
Так ненужно изобретать ,,Паровоз,, ... всё уже изобретено ...
Или как говориться ,, охота пуще неволи ,,... тогда другое дело ...
Был у нас в Училище Преподаватель с большой буквы и был у него Москвич ....
Станочная база и термичка тоже на высоте .... и решил он улучшить свой АВТО , переделал переднюю подвеску , переставил задние рессоры с низа крепления моста на верх , составил чертежи переделки рычагов и шаровых и отправил их в журнал ,,За Рулём ,,... (типа что Вы там , чем занимаетесь , не пора ли сделать Авто с модификацией для Сельского жителя с увеличенным Клиренсом (дорожным просветом )...
Ответ пришёл в местное ГАИ .... что было дальше ... догадайтесь Сами ...
я как бы тоже за простоту, но... у диода ТКС при постоянном токе 2мв на градус у аккума надо 3 мв на градус на ячейку и получается 3*6 ячеек = 18 мв на градус. это получится только с 9 диодами или с одним но с усилением в 9 раз. мои опыты пока проведены с 4 диодами (самый стабильный вариант), с 9 диодами не очень стабильно, но как оказалось не при каждом токе такое получится, у диода her106 коридор стабильности 20-50 ма, я пробовал при 5 ма, а это оказывается для него самый не стабильный вариант (излом графика резкий). и с одним но на lm258, она шумит прилично порядка мв, а с усилением получается уже прилично. Щас буду проводить эксперимент на 9 диодах и компаратором, а tl431 использовать как источник термостабильного тока.
gavmer, я понимаю что вы не разработчик, но можно же сесть и подумать, вам_же_надо. Спойлер Если хотите супер-датчик, то берите транзистор с голым металлом типа TO220, коллектор на корпусе = + батареи. Выставляете нужный вам термокоэф-т по падению на транзисторе из расчета 0.6В ~-2мВ/град, потом корректируете напряжение стабилизации R1. Подстроечник стоит брать многооборотный, либо два постоянных резистора.
Добавлено after 55 minutes 44 seconds: u37, покрутил я эту идею, падение на транзисторе мало что зависит от тока, но и с источником стабильного тока сильно зависит от конкретного транзистора, так и от малейшего изменения тока, что будет иметь место так как сверхпрецезионный источник тока я точно не сделаю
Это аналог связки диодов, не лучше и не хуже. Единственное отличие - его можно регулировать на нужное количество диодов. От транзистора зависит, но зависит так-же, как и от диода. Если вы поставите 1n4148 вместо заявленных в схеме, то получите и бОльшую нестабильность по току и бОльшее падение напряжения. А если возьмете 5А диоды, то всё будет прямо наоборот. Разница? В ширине з....цы. Чем больше поверхность кристалла, тем меньше отностительный ток и - см. ВАХ диода. Для транзисторов тоже самое! )) И, что самое интересное, от всего этого термокоэф-т -2мВ/град так и остается тем-же. Т.к. зависит не от размеров или каких-то условий, а от технологии pn перехода. К слову, очень часто как датчик на pn переходе ставят именно_транзистор в диодном включении. Попробуйте сунуть схему в кипяток, сами увидите дельту напряжений. В симуляторе для этого надо лишь поменять температуру симуляции, обычно она 25 градусов. Так что, не нужен ИТ, это всё лишнее. ))
u37, ну не знаю, в симуляторе как раз и говорит что в случае диодов изменение пары милиампер не сильно влияет, а в случае транзистора пара милиампер играет гораздо большую роль - это если его использовать как вы предложили, а если только база эмиттерный переход, то разница не заметна
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 10
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения