Мелкие вопросы по теории

[fedyaok]

За 7 лет обитания на самом лучшем форуме такой вопрос.....
Если не полный дебил, то... и ШИМы помогать строить мог "бы" экспрессам
Одна команда дебилов в действии. Только, вот , что они добиваются?

[vovw]

там кто то потерял меандру если эмиттер источник напряжения то база своеобразный регулятор и при наличии напряжения на базе начинается проводимость между двумя этими электродами,но есть третий электрод до которого надо донести этот ток

[vovw]

а чем могут заразить ?сейчас подойдет mickbell надеюсь он поможет решить транзисторную ситуацию

[fedyaok]

ты , просто, муха надоедливая

[vovw]

fedyaok не мешайте пожалуйста общению ученых , а лучше и можете и присоеденится

[Express]

[uquote="vovw",url="/forum/viewtopic.php?p=4517160#p4517160"]на базу надо подать ток тогда начнется проводимость кристала?[/uquote]

Не корректно говоришь, рехтую твою фразу...
На базу надо подать напряжение относительно эмиттера чтобы через переход Б-Э пошёл ток, на кристалле находился всё и база и эмиттер и коллектор, по этому корректно говорить через коллектор и эмиттер пойдёт ток...

[oldbulb]

Фраза "открытый транзистор" есть последствие непонимания принципа его работы тем человеком, который впервые "вбросил" этот термин, а мы теперь мучаемся. Потому что этот термин удобен для логического объяснения, но порождает ложное представление о работе транзистора. Коллекторный переход всегда заперт высоким обратным напряжением, за исключением очень редких случаев нетрадиционной схемотехники.

[mickbell]

[uquote="vovw",url="/forum/viewtopic.php?p=4517108#p4517108"]Но если к электродам транзистора приложить какое нибуть напряжение то носители заряда начнут движение?[/uquote]Какого-нибудь напряжения может оказаться недостаточно. Для кремниевого минимум около полувольта (плюс-минус некоторое напряжение, зависящее от температуры) всяко нужно. Будет напряжение меньше - не будет базового тока.
PS. Товарный - и тот что-то понимает.

[vovw]

но это наверное зависит от качества самого кристалла как он был создан ,параметры его работы

[mickbell]

Сильно вряд ли. Сейчас транзисторы должного качества умеют делать все, кому не лень.

[oldbulb]

vovw
Зависит не от качества кристалла, а от ширины запрещённой зоны, которая специфична для различных металлов или полупроводников, а также зависит от дозировки примесей. Вы, молодёжь, напрочь лишены способности поиска и чтения информации, что ли? Слово "валентность" говорит о чём-нибудь? Гуглить "Зона проводимости" и далее по всему списку ссылок и перечня литературы пройтись.

[mickbell]

Видимо (поработаю адвокатом Диавола) вову имел в виду как раз наличие примесей. Во всяком случае, я его так понял.

[vovw]

мне надо немного подумать и поразмышлять

[mickbell]

А писать об этом зачем было? Чтобы все вокруг знали: вову дууумать будет!!! - так, что ли? Неинтересно это никому.

[vovw]

я не знал что ответить не разобравшись мне понятно что входным является ток эмиттера и часть его переходит в базу и образует ее ток \другая часть создает ток коллектора

[mickbell]

Прежде всего, что считать входным параметром - это зависит от схемы включения (ОК, ОБ, ОЭ). Сам по себе транзистор не имеет ни входа, ни выхода. Выражение "входным является ток эмиттера" справедливо только для схемы ОБ, а для остальных - нет. То, что ток эмиттера складывается из тока базы и тока коллектора - это верно.

[vovw]

я имел виду схему с общим эмиттером как наиболее классическую

[mickbell]

Значит, неверное высказывание. Работайте над собой.

[oldbulb]

vovw
Надо мысленно представить транзистор, как коробочку, состоящую из двух частей - входной и выходной. Всего у коробочки четыре вывода, но два из них всегда общие. В схеме с общим эмиттером входная часть будет включать в себя эмиттер и базу, а выходная часть - эмиттер и коллектор. То есть, эмиттер внезапно является общим выводом для входной и выходной частей коробочки.
В схеме с общей базой входная часть - база и эмиттер, выходная часть - база и коллектор, общим электродом будет база.
Далее просто рассматриваются взаимоотношения между входом и выходом.
Описание этих взаимоотношений достаточно кратко и чётко изложено здесь:
http://solidstate.petrsu.ru/book/chapter5/part17.shtml
Особое внимание уделить разделу "h-параметры". Но вообще вся эта теория нужна только при проектировании транзисторной рассыпухи и вряд ли актуальна сейчас. Ну разве что для общего образования.

[mickbell]

А он это поймёт? Я что-то сомневаюсь. Слишком много букв.