
Под среднее значение численно не подходит при такой скважности. Под действующее тоже...
Применительно к мощности надо действующими токами оперировать.
Но я понял, куда ты клонишь. Этот вопрос меня тоже интересует.
Вот в одном учебнике читал, что даже в УНЧ на низших частотах надо ориентироваться уже не на среднюю мощность на кристалле выходных транзисторов, а учитывать уже мгновенную мощность по хитрым там формулам с интегралами, учитывающих тепловую постоянную времени кристаллов.
Тут более-менее понятно.
А вот как быть, скажем, на примере коротких импульсов? Ясно, что за кототкий импульс транзистор может выдержать бОльшую мощность, чем в непрерывном режиме. Но на сколько бОльшую? И как её посчитать теоретически? Пока ответа не нашел...
Разве что, на ДШ ориентироваться - там для некоторых значений в импульсе даются справочные данные.
Пока что вычитал, что там, в кристалле, очень непростые процессы происходят в экстра случаях. И прямо в лоб не получится...
Наиболее интересный и загадочный пример - вторичный пробой, который при высоких напряжениях на коллекторе наступает при меньших коллекторных токах и мощностях на коллекторе, чем при низких напряжениях. Это характерно для высоковольтных транзисторов и в данном случае привожу как пример.



