Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

mickbell

Жонглирование цифрами без понимания физического смысла до добра не доведёт. Для ответа на вопрос надо прежде всего нарисовать (можно просто представить в уме) схему, а потом думать, что с ней делать. А делать надо вот что. Напряжения измерять относительно общего провода, к которому, надо полагать, подключен исток. Если на затворе относительно общего провода напряжение десять вольт, то оно такое независимо от того, сколько вольт на стоке. Ничего вычитать не надо, смысла в том нет.

Реклама

masvad

Разумеется относительно общего провода(земли). Почему тогда по определению для открытия N-канального полевого транзистора нужно подать положительное напряжения относительно истока.

Реклама

mickbell

Тогда непонятно, что из чего и, главное, зачем вычитать?

kaetzchen

masvad писал(а):Допустим имеем N-канальный полевик. На сток приходит 19В, на истоке 0В, на затворе 0В. Подаём на затвор-исток 10В, транзистор открывается, но теперь на переходе затвор-исток=10В-19В=-9В и транзистор должен закрыться?

чего это ради там - 9в ? как было так и осталось если току не дать течь. только с ростом частоты на напряжения на стоке имеет место существенная обратная связь на затвор

Реклама

КРАМ

masvad писал(а):Разумеется относительно общего провода(земли). Почему тогда по определению для открытия N-канального полевого транзистора нужно подать положительное напряжения относительно истока.

Потому что собственно канал расположен в непосредственной близости от истока. Ибо топологически полевой транзистор с индуцированным каналом выглядит как кристалл с подложкой образующие тело СТОКА, на поверхности которого сформирован небольшая площадь низкоомного перехода истока и вокруг него колечко затвора. Сиречь вся эффективно управляемая область канала сосредоточена рядом с ИСТОКОМ. Именно поэтому пробивное напряжение затвор-исток практически никогда не превышает 30 вольт, а чаще 20. У транзисторов с низким порогом даже 12.

Реклама

neon

КРАМ писал(а):У транзисторов с низким порогом даже 12.

и даже это значение, по сравнению с некоторыми транзисторами, в два раза выше.

Реклама

Foton-4n

Кончено выше вот в DC-DC стартующих от 1В и максимум 6В врятли там полевики на 12В.
Кстати а IGBT с какого какого перепуга стал полевиком? Это ж биполярник он сила а полевик только управление за счёт которого не входит режим насыщения?

Кстати а есть полевики без диода обратного что бы был линейным скажем в пределах 1/-1В?

oleshka

Какой пара идет у этого транзистора IRFZ46NPBF, Транзистор, N-канал 55В 46А [ТО-220АВ]

СКАЗОЧНИК

Скорее всего такого не существует... Выбирайте по параметрам, которые в вашей схеме, просто максимально близким...

Может такой:
IRF4905
IRF5305

neon

Foton-4n писал(а):Кончено выше вот в DC-DC стартующих от 1В и максимум 6В врятли там полевики на 12В.

речь шла о максимальном напряжении на затворе.

Foton-4n писал(а):Это ж биполярник он сила а полевик только управление за счёт которого не входит режим насыщения?

«As the final stage of a pseudo-Darlington, the PNP is never in heavy saturation and its voltage drop is higher than what could be obtained from the same PNP in heavy saturation».

Martel-

Вопрос такой.
Мне надо подобрать из 6-ти транзисторов 2N5484

Спойлер

http://alltransistors.com/ru/mosfet/transistor.php?transistor=11

ближний по параметрам КП303Ж (буква Ж видимо принципиальна)

Мой транзистор тестер показывает кофициент усиления обычных транзисторов, а у полевых показывает 2 цифры , вроде mV и mA (сейчас он не под рукой). Кофициент усиления я там не вижу.

И по каким параметрам надо стремиться к аналогу КП303Ж, которого у кеня нет и его параметры посмотреть негде?
Посоветуйте как быть.

AlexFord

Здравствуйте!

Помогите подобрать замену полевого транзистора 2N7002 (SMD)

Работает как ключ, управляет обмоткой реле. В свою очередь ключом управляет микросхема 4066. Я хочу из схемы вообще убрать реле (для снижения энергопотребления), а транзистор поставить помощнее, чтобы 500 мА / 14в без проблем держал. В целом понятно как подбирать, смущает один параметр Vgs (th) - я так понимаю это напряжение, при котором транзистор открывается (начинает открываться?).

Нашел на замену IRLML6344 (30в / 5А), у него Vgs (th) = 1в, а у сейчас установленного 1-2.5в. Можно ли заменить?

И еще вопрос - Vgs (th) -это напряжение на затворе, при котором транзистор начинает открываться, а как обозначается напряжение, при котором транзистор полностью открыт?

neon

Gate Threshold Voltage — это напряжение, при котором транзистор начинает открываться. Для IRLML6344 это максимум 1,1 В. Дальше смотрите Fig 3 в спецификации.

AlexFord

Спасибо большое! Вроде разобрался.

В зависимости от величины приложенного к затвору напряжения изменяется сопротивление сток-исток и, соответственно, падение напряжения на нем.

strengerst

Помогите разобраться. Есть аккумуляторная батарея на 12 Вольт и кипятильник на 12 Вольт мощностью 100W. Ток его потребление 100/12=8А. Как можно уменьшить мощность кипятильника с помощью MOSFET транзистора?
Я так понимаю что регулируя напряжение на затворе мы регулируем канал исток - сток, тем самым можем уменьшить пропускную способность и понизить мощность кипятильника. Для примера мне нужно что бы кипятильник потреблял ток в 1А через транзистор, и не более. Или я ошибаюсь? И затвор имеет только 2 состояния открытое или закрытое.

Proteus вроде показывает что так можно отрегулировать.

Все вроде разобрался . Затвор транзистора имеет два состояния только открытое или закрытое, и регулировать им нагрузку как показано на схеме нельзя он либо открыт либо закрыт. Но регулировку все же осуществляют с помощью шим сигналов который в зависимости от частоты и скважности очень быстро то открывает то закрывает транзистор и регулирую скважность такого сигнала можно регулировать проходящую нагрузку через транзистор.

Feodor76

strengerst писал(а):Как можно уменьшить мощность кипятильника с помощью MOSFET транзистора?

Регулировать мощность можно шимом.

neon

можно, кто мешает, только теперь транзистор становится кипятильником. Выбирать MOSFET необходимо в соответствии с графиком FBSOA. R1 в схеме можете исключить.

strengerst

А что за график такой, в даташите вроде нет такого. Получается можно и без шима регулировать, только он очень грется будет. А я хорошее охлаждение поставлю. Ну привсем этом каковы будут потери тока? Больше чем 1А затраченные на кипятильник не должны ведь быть так как в теории остальные транс не пропустит.
http://www.irf.com/product-info/datashe ... ircz44.pdf

R1 в схеме можете исключить

Тогда не работает.

B@R5uk

При такой мощности и тем более при работе от аккумулятора лучше использовать ШИМ, а не линейный регулятор.

neon

см. график 8, только там нет режима DC, но данный транзистор подойдёт.