Здравствуйте, у меня вопрос по схемам включения транзистора с общим эмитером и общей базой. Я вообще не могу понять их существенные отличия. В книге гринфилда про транзисторы и линейные интегральные схемы говорится, что схема с общей базой используются для усиления напругм на коллекторе, а общим эмитером- для усидения тока. Не понимаю я этого, какая разница что делать общим всеравно управляющий сигнал у нас и в том и в этом случае идет по эмитеру-базе или база-эмитеру (не суть). Какой смысл? Вообще всем этим мен путать? Гдея нить потерял? Да я прочитал что коэффицент усидения это выходнойй на входной, но блин опять же не понимаю по какой причине при общей базе у нас отношение коллектора к эмиттеру, а при общей базе коллектор к базе- почему ?? Не понимаю почкму не коллектор к эмиттеру? Посоветуйте чтоли книгу хорошую по этому, если кто знаетб потому что со слов я скооее всего не пойму. И желательно без сложных флрмул или по крайней мере что бы была последовательнаяч сложность освоения, а не сразу в море интегралов
Схема вкл транзистора СОЭ и СОБ по постоянному току одинакова. Выходной сигнал также одинаково снимается с коллектора (переменный). Разница в подключении входного сигнала. В СОЭ он идёт на базу и управляет малым током базы, т.е. входное сопротивление каскада достаточно большое. В СОБ входной сигнал идёт на эмиттер и управляет током эмиттера (который=току коллектора практически), входное сопротивление мало. Т.е. при одинаковых токах коллектора и одинаковых эквив сопротивлениях в Э и К обе схемы дадут одинаковое усиление по напряжению...Но СОЭ ещё и даст усиление входного тока (малого), а СОБ - по току только чуть меньше 1...
Не понятно .в том и том случае токи в базе и эмитере ведут себя абсолбтно одинакого. В чем разница и смысл всего этого? И не вижу различий в усилении. В схеме с общей базой мы тоже можем взять отношение тока коллектора к току базы и получить офигительный результат- вот тебе и усиление по току по логике общего эммитера. Что я упускаю?
Я об этом и говорю. Какая разница. База всегда будет нагружать мало а эмиттер больше.какой смысл их подключать по-разному? Почему при ОЭ мы берем отношение тока коллектора к базе, а при ОБ отношение тока коллектора к эмитеру, а не к базовому? По базе тоже идет ток. Зачем так писсимистично? Не понимаю
а при ОБ отношение тока коллектора к эмитеру, а не к базовому?
Да потому что в схеме с ОБ мы сигнал подаем на эмиттер, т.е. ток эмиттера является входным током Iвх= Iэ. Вот теперь, что бы определить усиление по току с ОБ нужно делить выходной ток, на входной и у вас получится, что усиление по току равно Iк/Iэ
В схеме с ОЭ входной ток равен току базы, а выходной току коллектора. Отсюда с ОЭ усиление по току равно Iк/Iб
Я понимаю. А теперь можно спросить- начерта это все? Какя разница куда подавать? И вообще мы не ток подаем а напряжение. Так какая разница куда его прикладывать?
Поскольку разница есть, то в некоторых случаях её используют (чаще в области высоких частот).... Сам видишь, что для подавляющего большинства применений используют СОЭ, потом СОК, а СОБ реже всего... Можешь пока это принять за аксиому и остановиться с вопросами почему, если этим будешь заниматься, то понимание придёт (позже)...Не всегда подаём напряжение, есть понятия выходного сопротивления и согласования каскадов...
Да я вообще ничего не знаю. Где они там используются. Я пытаюсь разобраться. Всеравно до меня не доходит. Вне зависимости об это или оэ эмиттер и база будут вести себя уак положено. В чем разница тогда мне не понятно. Вы говорите входной сигнал на эмиттер. Вот как я это понимаю: входной сигнал на эмитер это ток. Допустим этот ток открывает нам путь в коллектор и в базу тоже идет ояень мелкий ток. Если мы делаеп схему с оэ то мы открываем транзистор абсолютно идентичным образом и опчть в коллекторе ток меньше чем в эмитере- тпк вот вопрос нафига оно надо? И опять же я не понимаю эти коэффиценты уселения. Почему мы их в разном подключении считаем по разному, если выходит что подключения не разные а эквивалентные?
Серж извини, но твоя картинка сверху бьет по моему плохому образованию как чак норис бандита. Мне даже смотреть на нее страшно, не стоит так людей пугать
Итак, первая схема, схема с общей базой (ОБ). Подавая сигнал на вход, мы прикладываем его между базой и эмиттером, но входным током у нас будет ток эмиттера. Часть его (очень маленькая) потечет в базу, а часть (основная, в идеале, как у полевого транзистора или лампы, весь ток) - в коллектор. Этот ток создаст на резисторе нагрузки R1 падение напряжения, которое и будет выходным сигналом (мы говорим об усилении изменяющегося, переменного напряжения, поэтому нам еще нужно будет отделить его от постоянного конденсатором). Что мы имеем? Мы берем от источника сигнала довольно большой ток (ток эмиттера) и весь (даже чуть меньше) отправляем в коллектор. То есть имеем малое входное сопротивление и отсутствие усиления тока. Где профит? Вот где: ток коллектора не зависит от напряжения питания VCC, мы можем сделать его (VCC) очень большим, только бы транзистор не пробило, соответственно возьмем R1 побольше, чтобы падение напряжения на нем было много больше входного напряжения и получим усилитель напряжения. Вторая схема. Схема с общим эмиттером (ОЭ). Все то же самое, что и с общей базой, только от источника входного сигнала отбирается лишь ток базы, поэтому входное сопротивление становится существенно больше, чем у схемы ОБ, особенно для полевых транзисторов и ламп. Эта схема усиливает и напряжение и ток (надеюсь, понятно почему). Она хороша всем, кроме одного (за все в этом мире нужно платить): из всех трех схем она имеет наихудшие частотные свойства, это связано с проявлением эффекта Миллера, но это - другая история. Третья схема. Общий коллектор (ОК). Сначала найдем, где он общий. Это просто. Нужно вспомнить, что источник постоянного напряжения - короткое замыкание для переменного тока, поэтому нужно мысленно соединить VCC с землей и все станет очевидно. Теперь, как это работает. Все похоже на схему ОЭ, но теперь на пути тока от источника сигнала стоит резистор нагрузки R3, падение напряжения на котором определяется током эмиттера. Когда мы меняем напряжение на базе, то одновременно (и сильно, чем больше усиление прибора, тем сильнее) меняется и ток эмиттера, что приводит к изменению падения напряжения на R3, и это изменение противодействует изменению напряжения между базой и эмиттером. В идеале (при хорошем усилении) напряжение между базой и эмиттером не меняется вовсе, и все изменение входного напряжения оказывается на резисторе нагрузки (на выходе). Другими словами, в идеале, напряжение на нагрузке повторяет напряжение на входе, поэтому схема ОК и называется повторителем (эмиттерным, истоковым, катодным). Усиления по напряжению, очевидно, нет, зато есть усиление по току, а еще, входное сопротивление у этой схемы становится выше, чем у схемы ОЭ, поскольку изменение напряжения на эмиттере препятствует увеличению входного тока (ссылка). Эта схема имеет очень хорошие частотные свойства (близкие к схеме ОБ), самое высокое входное сопротивление, наименьшее выходное сопротивление и самую низкую входную емкость, поэтому ее все так любят.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 8
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения