- Вот и началось.
Я ж говорю, выложил уже человек, как правильно параллелить.
Схема почти ничем от вашей не отличается, кроме того, что все сделано правильно.
Повторю:



Ну, схему регулировки оборотов, конечно, делать не обязательно, можно вентилятор сразу включать на полное (или пониженное) напряжение.
Вместо одной LM324 устанавливается две LM358 (или больше).

А надо ли?
(отсюда)

Какой, вообще, сценарий теплового пробоя полевого транзистора, что с ним происходит? У меня они пробивались накоротко, после чего срабатывала защита источника от КЗ, и он отключался. А если бы на его месте был высокотоковый аккумулятор, что происходило бы дальше? Наверное, транзистор долго бы жарился, с хорошим-то теплоотводом, убивая аккумулятор?
Самовосстанавливающийся предохранитель (два-три в параллель, ампер на 30 суммарно) подойдет в качестве защиты, на такой случай?

какая автобалинсировка может быть в линейном режиме? а никакой.
это в ключевом режиме можно параллелить без выравнивающих резисторов, там рост сопротивления канала с ростом температуры балансирует токи через ключи.
а для линейной схемы нужно подбирать мосфеты, чтобы при одинаковом напряжении затвор-исток были одинаковые (близкие) токи стока. ну, и выравнивающие резисторы тоже желательны.

Конструктив резистора, Ом на 0.0005?

ну, если у тебя там будет 1000 Ампер через один транзистор, то 0,0005 Ома, как раз подойдет.
исходить нужно из 0,3-0,5 Вольта падения на резисторе при планируемом максимальном токе через транзистор.

IRFB3306: R(ds) типикал 3.3 мОм, мах 4.2 мОм.


За счет положительного ТКС: растет температура - растет сопротивление канала.

Да, если посмотреть даташит IRFB3306 (VGS, Gate-to-Source Voltage), напряжение VGS, с ростом температуры, на небольших токах, изменяется как раз на 0,5 Вольта (это неплохой показатель, чаще оно больше, до вольта). Значит, на выравнивающем резисторе, минимум 0,5 Вольта и должно падать, при максимальном токе.
Если максимальный ток на транзистор, допустим 4 Ампера (при 12 Вольтах больше нельзя), значит выравнивающий резистор 0,5 / 4 = 0,125 Ом.
На этом сопротивлении будет рассеиваться 2 Вт, значи номинальная мощность резистора должна быть от 4-5 Ватт, и больше.
Например, два двухваттных 0,27 Ом в параллель. Или три двухваттных по 0,36..0,39 Ом в параллель.

Соответственно, эти резисторы, рассетвая 2 Вт, будут греть все вокруг себя. Решение с дополнительными ОУ (по ОУ на транзистор) - лишено такого недостатка. Там вся мощность рассеивается на транзисторе, а на шунтах может падать в несколько раз меньше.

ну, и какое будет "сопротивление" канала, если, например, на транзисторе 30 Вольт и ток через него 1 Ампер?

"Самобалансировка" без выравнивающих резисторов будет, если вы возьмете высоковольтные полевики, те которые на на 500-600 Вольт, с сопротивлением канала 0,15..0,27 Ом. Тогда - да, роль балансира выполнит само сопротивление канала (т.к. оно достаточной, для этого, величины), и вся мощность будет рассеяна внутри транзистора (на кристалле, температуру которого нужно, кстати, всегда просчитывать, ориентировочно).

еще один туда же...
тогда ты тоже ответь на мой вопрос из моего предыдущего поста.

Чтобы получить пригодную для измерений (например, емкости аккумуляторов) электронную нагрузку, сделал хороший термостабильный измерительный шунт, по габаритам и цене/трудозатратам получился почти в половину всей конструкции...

Спараллелю, попробую подобрать транзисторы из одной упаковки, всяко они ток между собой поделят и дадут более распределенное тепловыделение в радиатор.

А просто нагрузить источник можно и нагревательной спиралью

Можно ж поидее завести управление охлаждения на контрольный ОУ, когда нагрузка будет подключена и питание будет поступать вентилятор включится, как по мне в таком варианте удобнее так сделать...

В линейном режиме сопротивление канала не будет балансировать ток, так как в линейном режиме транзистор открыт не полностью и сопротивление канала зависит от напряжения на затворе. А это напряжение будет отличатся у разных транзисторов.

Ну да. Сопротивление канала - не будет, а дополнительное внешнее сопротивление, внезапно, будет.

У вас какие-то свои понятия о сопротивлении канала, потому мне этот ваш вопрос не сильно интересен.
Я думаю, стоит, все-таки придерживаться оффициальной версии о том, что такое сопротивление канала, и как оно рассчитывается.

А дополнительное будет, так как падение напряжения на этом резисторе вычитается из напряжения затвора. И чем больше на этом резисторе упадёт тем меньше будет открывающие напряжение на затворе.

То, о чем вы спрашиваете - называется динамическое сопротивление канала. Вы же сами понимаете, что мы говорим не об нем, а об физическом сопротивлении, то которое константа, и зависит, в основном, только от температуры.

это ты не понимаешь, о чем мы говорим.
а то, "физическое", сопротивление, о котором говоришь ТЫ, тут совершенно ни при чем, так как транзистор находится в линейном режиме, и "работает" именно "динамическое" сопротивление.

какое напряжение должно бъть на гейте для тока 7,5А. Смотрим на графике. Возле 4В. Через транзистор течет ток, он нагревается, на гейте все те-же 4В. Что происходить с током через транзистора? Он растет, аж до 50А. При все те-же 4В на гейте. Ток увеличился аж 7 раз. И наш транзистор не въдерживает - уходит в мир иной.
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfs3306pbf.pdf

Въвод:
В активной области полевой транзистор ведет себе как сопротивление с отрицательнъм темп. коефициентом - при увеличение темп. сопротивление падает - ток растет. Отсюда и нужда в токовъравнивающих резисторов при работе в активном режиме.


Цитируемое вами валидно для полевъх транзисторов работащюих в ON-OFF (ключевом) режиме. Смотрим на графике и видим, что после какого-то напряжение на затворе линии с графика меняють позицию - т.е. сопротивление канала будеть расти (ток уменьшатся) при одинаковом напряжение на затворе.