Мелкие вопросы по аналоговой технике.

[tedikgb]

По характеристикам транзистора
пытаюсь разобраться в даташите подскажите:BF199 против s9018 fT transition frequency VCE = 10 V; IC = 5 mA; f = 100 MHz − Typ550 − MHz и соответственно fT Current Gain Bandwidth Product VCE =5V, IC =5mA 700 1100 MHz. s9018 по лучше усиливает на укв?
если у транзистора граничная частота 1ГГц, то на этой частоте бэтта=1, а на частоте 500МГц=2, а на 100МГц=10, так работает транз?

[isx]

Всех С НОВЫМ ГОДОМ, товарищи!!!!!
Решил после праздников заняться делом, а вот только никак.
Можно ли таким образом управлять МОСФЕТОМ?
Проблема в том, что собрал я на макетке такую схемку, а она мне показывает кое-что не приличное , открывается только процентов на 20. Но вот только стоит коснуться одним пальцем земли а вторым стока или истока, как транзистор открывается полностью. Как поправить такую ситуацию?

[SmarTrunk]

Нет, так управлять нельзя.

А вот если поставить МОСФЕТ n-канальный в разрыв не плюса, а минуса, то можно. Хотя в цепь базы обычно ставят резистор ом триста, типа для ограничения тока перезаряда емкости затвора и все такое.

Можно ставить МОСФЕТ р-канальныцй и в цепь плюса питания, но потребуется схема преобразования уровня, например на ключевом биполярном транзисторе.

[isx]

если поставить МОСФЕТ n-канальный в разрыв не плюса, а минуса,

В том то и дело, что нужно именно в разрыв плюса...

Можно ставить МОСФЕТ р-канальныцй

Я тож сначала хотел, но P-канальных с управлением от Лог.уровня, током не менее 30А, и в корпусе ТО220 найти не удалось (только за огромную цену)

А может можно через гальваническую развязку питания МК попробовать? Плюс пусть на затвор, а минус на на сток или исток?

[Murlock]

для управления n-канальным MOSFETом, с нагрузкой в цепи земли, придётся использовать дополнительный источник питания, подымающий потенциал затвора выше потенциала питания нагрузки. или оптопару с фотоэлементом, только никакого быстродействия при этом не получится.

[isx]

А быстродействие и не надо.... Он у меня только включает и выключает нагрузку. .
А можно по-подробнее про доп. источник питания и оптопару?

А что по поводу такого подключения?

При подключении земли через МК тут на затворе получается -24В? Если так, то получается, что транзистор вылетит... Как можно решить проблему?

[Murlock]

первое, что нашлось:
http://www.chipfind.ru/news/vo1263__sdv ... i_mosf.htm
тут принцип следующий: светодиод в оптопаре светит на линейку фотоэлементов, заряжающих затвор ПТ. разумеется, довольно медленно. разряжается он еще медленнее.
если же использовать дополнительный изолированный источник питания, напряжение которого превышает напряжение открывания ПТ, и, своим минусом соединённый с плюсом источника питания нагрузки, то можно обойтись и без оптики, парой транзисторов для преобразования уровня.

[isx]

Посмотрел цены на оптику... КОШМАР больше 200р. за штуку (а у меня в цепи 21 транзистор)....

своим минусом соединённый с плюсом источника питания нагрузки, то можно обойтись и без оптики, парой транзисторов для преобразования уровня.

Типо так?

И посмотрите пожалуйста схемку, что я выше кидал.....

[Murlock]

не, не так.

это самый простой вариант.

[isx]

это самый простой вариант.

А если использовать транзисторы с открытием по Лог. Уровню, то можно как я рисовал сделать? Пытаюсь минимизировать схему, ато на 21 транзистор городить такие огороды не охото... Не дай Бог потом повторить придётся

[Murlock]

так делать нельзя, потому, что потенциал между выводами контроллера может получиться более 24В.

[isx]

Ясно... А что насчёт этого?

[SmarTrunk]

Вот взять эту схему, оставить Т1, выкинуть Т2 и Т3, вместо них включить к месту соединения резисторов R1 и R6 затвор р-канального МОСФЕТа, включенного в разрыв 24В плюса питания. И НЕ НАДО городить дополнительный источник питания, И НЕ НАДО р-канального МОСФЕТа, управляемого логическими уровнями - любой подойдет, т.к. на затворе будет 12В!!!, а можно сделать любое, изменив номинал сопротивлений R1, R6.

Извините, рисовать лень.

[isx]

А хватит ли тока, если делитель будет на 2-х 10К резисторах? Там ведь ёмкость надо зарядить...
А по поводу Т1. Проще прошивку переписать и поменять программно Лог. уровни....

[SmarTrunk]

Как Вы сделаете логические уровни "+24В - закрыт, +12В - открыт"? МК же может дать только 0...+5В? В этом и суть транзистора Т1 - преобразовать уровни.

Емкость зарядить... ну возьмите другие резисторы, например два по 1кОм.

[isx]

Как Вы сделаете логические уровни "+24В - закрыт, +12В - открыт"? МК же может дать только 0...+5В?

Ну получается же, когда МК подключает 0 к затвору, то на затворе (с делителем 10К:10К) напряжение относительно истока становиться -12В.
Хотя.... Вы правы. Транзистор нужен, ато когда на выходе станет +5В, то с резистора на вход МК пойдёт 24В, и ему будет пипец...

[КРАМ]

[tedikgb]

По характеристикам транзистора
BF199 против s9018 fT transition frequency VCE = 10 V; IC = 5 mA; f = 100 MHz − Typ550 − MHz и соответственно fT Current Gain Bandwidth Product VCE =5V, IC =5mA 700 1100 MHz. s9018 по лучше усиливает на укв?
если у транзистора граничная частота 1ГГц, то на этой частоте бэтта=1, а на частоте 500МГц=2, а на 100МГц=10, так работает транз?

?

[isx]

КРАМ

А в первой картинке, когда МК подаст на выход +5В, то через резисторы и переход коллектор-база транзистора на МК пойдёт 24В... Это его не убьёт?

[КРАМ]

Через переход база коллектор с питания НИЧЕГО НЕ МОЖЕТ ПОПАСТЬ, поскольку коллекторный переход ОБРАТНОСМЕЩЕННЫЙ...
А обратные токи слишком малы, чтобы сместить шунтированный резистором базоэмиттерный....