Практически, при параллельном соединении 10 транзисторов типа КТ808, в цепь базы ставил слпротивления 50юю80 Ом, в цепь эмиттера 0,1 Ом.
Можно подойти к этому вопросу с такой точки зрения. При идельно совпадающих характеристиках транзисторов, очевидно, эти сопротивления не нужны- све транзисторы будут вести себя одинаково. Но у них есть разброс характеристик,наиболее значимые в случае запараллеливания- разброс выходных и входных токов, и соответственно- выходных и входных сопротивлений.. Поэтому установка резисторв в в цепи базы в какой-то степени уменьшает разброс входных токов,а сопротивления в цепи эмиттера- разброс выходных токов. Но для этого, номинал резисторов, должен быть не менее фактического входного/выходного сопротивления резистора. Поэтому ,чем меньше отличаются характеристики применяемых транзисторов, тем меньше номиналы устанавливаемых резисторов.
На мой взгляд, надобности в резисторах по базам нет.
Коллекторные токи выравниваются благодаря местной обратной связи за счет эмиттерных сопротивлений. При этом базовые токи могут быть разными (напр., в случае разных коэфф. усиления транзисторов) и выравнивать базовые токи нет смысла.
Спасибо за ответы ребята! следовательно, получается, что эти резисторы компенсируют разность сопротивлений транзисторов... то есть измерив сопротивления транзисторов можно подобрать соответственные номиналы резисторов, или поставить на один из транзисторов соответствующий резистор равный разнице сопротивлений.
Вы не знаете схемы в которой за мест резисторов ставят диоды?
Вы неправильно поняли. Резисторы в эмиттеры ставят для образования отрицательной обратной связи. Именно она выравнивает коллекторные токи. И чем больше сопротивление этих резисторов, тем лучше это выравнивание (транзистор приближается к генератору тока).
Но чрезмерно увеличивать сопротивления нельзя ввиду большого падения напряжения на них. Выбирают компромисс. При этом выравнивание конечно уменьшается ввиду уменьшения обратной связи.
Вот пояснение для 2-х транзисторов - при фиксированном и одинаковом потенциале на базах при равенстве эмиттерных сопротивлений транзисторы работают в режие генератора тока и их коллекторные токи равны (в идеале) :
Спойлер
Уже понимаю по не многу
Подскажите как можно рассчитать номинал резистора... что бы рассчитать и спаять схему сразу с нужными резисторами, а не подбирать на глаз, перепаивать много раз.
Подскажите метод рассчета
Последний раз редактировалось Timych Пт окт 11, 2013 14:07:53, всего редактировалось 1 раз.
Я думаю, надо исходить из того, чтобы на максималном токе на эмиттерном резисторе упало 0,5-1 В.
Далее по закону Ома делим это напряжение на ток через него (практически это ток коллектора каждого по отдельности транзистора). Получаем значение сопротивления резистора. Размерности: В, А, Ом.
Неравномерное распределение рассеиваемой мощности - разная температура транзисторов. В худшем случае - тепловой пробой из-за превышения макс. рассеиваемой мощности на каком-то транзисторе.
Также пробой из-за превышения макс. тока на отдельном тр-ре.
Как я понимая, это может возникнуть из-за разных параметров транзисторов... в отечественных транзисторах параметры могут значительно отличатся, а в зарубежных отличие малое
Это может возникнуть из-за разной температуры транзисторов, даже если сами транзисторы абсолютно одинаковые. Если p-n переход база-эмиттер одого из них чуть теплее, то падение напряжения на нём чуть меньше, а ток коллектора больше. А чем ток больше, тем сильнее он нагреется, и напряжение на p-n переходе база-эмиттер ещё уменьшится, и т.д. Если не будет резисторов в эмиттерах, то получится лавинообразный процесс - весь ток попрёт через один транзистор. Поэтому транзисторы ещё надо ставить на общий радиатор как можно ближе друг к другу - чтобы они грелись одинаково.
Поэтому транзисторы ещё надо ставить на общий радиатор как можно ближе друг к другу - чтобы они грелись одинаково.
Спорное утверждение.
Относительно параллельного включения транзисторов. У меня сложилось мнение, что несколько параллельных транзисторов - это надёжнее, чем один мощный. Во всяком случае, температурный нагрев кристалла получается меньше, и рассеивание тепла эффективнее. Помнится, читал о 200 (!) маломощных транзисторах для замены одного мощного, в импульсной схеме.
Спасибо ребята за ответы! если использовать резисторы, то их в свою очередь тоже нужно на радиаторы и включать параллельно много штук, что бы они выдерживали ток и не грелись
Так закон Ома в помощь! Максимальный ток нагрузки,разделить на число запаралеленных транзисторов,полученный ток возвестив квадрат и умножить на сопротивление резистора- получите мощность, рассеиваемую на нём.А тут и решите-либо резистор на радиатор, либо несколько в параллельно. Я делал их из высокоомного провода, и монтировал на стойках, и они рассевали несколько ватт напрямик в воздух.
Timych писал(а):Извините за не внимательность) Параллельное соединение транзисторов для увеличения предельного тока
По схеме понятно как это все спаивается... основная трудность заключается в том, что я не знаю как рассчитать номинал резисторов.
А их и не рассчитать. Нужно потом каждый подгонять в рабочем режиме. И если они работают в блоке питания, то подгонять в предельном режиме.
А если там, где их параметры меняются, то нужно подогнать в том параметре, в котором они чаще всего находятся. Транзисторы имеют свойства расползаться по параметрам в разных режимах. Конечно можно их минимизировать, но тогда нужно подобрать идеально пары транзисторов.
Но проверенное на практике. Транзисторы TIP147, в эмиттерах 0,1 Ом. На разных радиаторах. Точнее, радиаторы абсолютно одинаковые, но у каждого свой. Начальный ток через каждый 1,5 ампера. При нагреве, быстро разъехались в разные стороны. Один сгорел. Когда стояли на одном радиаторе рядышком и грели друг друга, то было значительно лучше, но тоже начинался перекос. Пришлось увеличивать сопротивления резисторов в эмиттерах. Кончилось тем, что поставил 6 штук параллельно и резисторы по 1 Ом. По 3 штуки на каждый радиатор.
И вообще, как оказалось, параллелить транзисторы Дарлингтона (вроде КТ825, КТ827, TIP147 и т.п.) - дурацкая затея. У них там по два перехода база-эмиттер в каждом. Соответственно, температурная стабильность в два раза хуже, чем у отдельного транзистора, что требует в два раза большего сопротивления резистора в эмиттере.
Опытным путем вы будете долго и нудно подбирать , выравнивая токи для разных условий эксплуатации.
Главное условие - обеспечить необходимую местную обратную связь. Резисторы надо увеличивать до разумного предела, который может в каждой схеме быть свой (зависит от того, сколько мы можем позволить потерять напряжения на резисторах).
Конечно это не гарантирует полного равенства токов, но при желании их можно потом подкорректировать.
а если резисторы не ставить, то к чему это может привести?
