Вопросы по книге Х&Х "Исскуство схемотехники".

artemm писал(а):...плюс на К. Зачем?

При проверки транзистора можно принять, что у него два диода и подавая на базу плюс, а минус на эмиттер или коллектор, открывая тем самым переходы, проверять на работоспособность этих переходов. В схеме этого нельзя делать. Для n-p-n транзистора переход б-э обычно открыт из-за положительного напряжения на базе относительно эмиттера, а переход б-к закрыт, так как на коллекторе положительное напряжение больше, чем на базе. И за счет тока б-э открывается переход эмиттер-коллектор и тем больше, чем больше ток базы. Если ток б-э уменьшить до нуля, переход э-к закроется.

Реклама

ArtemKuchin

А, я понял, мы с Сэрром про разное говорили, я "просто так в теории", а он про рабочие схемы. Вопросы пока все закрыты, читаю дальше.

Реклама

ArtemKuchin

Итак, продолжаем. Теперь транзисторы.

1) Zвх=(h+1)*Zнагрузки

Т.е. если на выходе (в качестве нагрузки) стоит другой транзистор, то
входной импеданс будет вообще нереально большим?

2) Zвых=Zист/(h+1)

Какое Zист имеется ввиду? Я так понял речь про источник для сигнала на базе. А источник для коллектора как же?
Или предполагается, что источник всегда один с одним и тем же импедансом?

3) не понял что с втеканием и вытеканием

Не понял, что значит "втекать же может ограниченное количество тока"? Как он вообще может втекать в эмиттер? Куда он дальше потечет? Там же диод! В базу он не может, а на коллекторе более положительное напряжение. Брр.

И уточню: при входе на базу менее -4.4В диод БЭ просто закроется и транзистор выключится. И все, на выходе зафиксируется на -5В.
Только вот я чего то не уверен в причине закрытия транзистора.
Каково условие открытости транзистора? Ну т.е. перехода его в закрутого состояния в активный режим? Если просто наличие тока на базе?

4) Сказано, что h21э (далее h для краткости) падает, если напряжение БК недостаточно высокое. Эта зависимости приводится в даташитах к транзисторам? Я просмотрел даташиты - не нашел там такого. Где брать?

5) Сказано, что h падает при малом напряжении БЭ. Тоже графиков зависимости не нашел. Где это брать?

6)
http://www.chipdip.ru/product0/10953.aspx
что за странный h = 0.5 ?
он что, не усилитель, а ослабитель? Зачем такое?

7) В разделе про эмиттерные повторители сказано, что если хочется обойти ограничение по отрицательном входу, то как вариант, можно использовать двухтактную схему. Именно ее мне рекомендовали использовать, когда я хотел динамик посадить на ногу atmega8. А я вот теперь думаю, а зачем? Ведь нога у меня была или 0 или +5. Что мне двухтактная схема там дала бы?

Вопрос на параллельную тему.
Для защиты транзисторов от индуктивностей

говорят ставить диоды в обратку в параллель с индуктивностью. А есть какое то быстрое практическое правило, позволяющее оценить возникающее напряжение и выбрать нужный диод для этого?

Пухич

1) Zвх=(h+1)*Zнагрузки

Т.е. если на выходе (в качестве нагрузки) стоит другой транзистор, то
входной импеданс будет вообще нереально большим?

Он будет просто НЕРЕАЛЬНО большим.

Какое Zист имеется ввиду? Я так понял речь про источник для сигнала на базе. А источник для коллектора как же?
Или предполагается, что источник всегда один с одним и тем же импедансом?

Не уверен, но речь по-моему про источник сигнала.

Не понял, что значит "втекать же может ограниченное количество тока"? Как он вообще может втекать в эмиттер? Куда он дальше потечет? Там же диод! В базу он не может, а на коллекторе более положительное напряжение. Брр.

Речь не про транз, а про всю схему. Действительно, эта схема может отдать очень много тока (пока на эмиттере потенциал >0). Но если на эмиттере потенциал стал меньше 0, тогда тока начинает втекать в повторитель через Rн. И весь (почти) этот ток должен уйти в эмиттерный 1кОм. А туда много тока не уйдет. Очевидно, что при таких номиналах резисторов баланс наступит при потенциале на эмиттере равном -5В. Что подтверждается рисунком.

Каково условие открытости транзистора? Ну т.е. перехода его в закрутого состояния в активный режим? Если просто наличие тока на базе?

Ток должен идти через базу (и весь базовый ток, как бы он ни был мал, уходит в эмиттер). А он идти не сможет при потенциале на базе сильно меньше -4,4В, иначе нарушатся законы Кирхгофа (и Ома заодно).

4) Сказано, что h21э (далее h для краткости) падает, если напряжение БК недостаточно высокое. Эта зависимости приводится в даташитах к транзисторам? Я просмотрел даташиты - не нашел там такого. Где брать?

5) Сказано, что h падает при малом напряжении БЭ. Тоже графиков зависимости не нашел. Где это брать?

Назови страницу в ХХ, где ты ИМЕННО ЭТО прочитал. Или раздел.

Для защиты транзисторов от индуктивностей Smile говорят ставить диоды в обратку в параллель с индуктивностью. А есть какое то быстрое практическое правило, позволяющее оценить возникающее напряжение и выбрать нужный диод для этого?

Какое тут может быть быстрое практическое правило? Да никакого. Для оценки выброса надо знать параметры обмотки и считать формУлу. Я это делал в дикие годы студенчества и благополучно забыл. Сейчас я исхожу из таких соображений - при наличии диода напруга явно не поднимется выше Uп+падение на диоде. Диод я выбираю такой, чтобы его ток был не меньше номинального тока обмотки. Обычно работает. Хотя я не считаю, что это на 100% верно. Для 100% уверенности надо считать.

Обратноходовые импульсники - другое дело. Там снаббер надо считать по-любому, методики есть.

6)
http://www.chipdip.ru/product0/10953.aspx
что за странный h = 0.5 ?
он что, не усилитель, а ослабитель? Зачем такое?

Это ж однопереходник. Если я не ослеп.

Реклама

ArtemKuchin

И понеслася...

Назови страницу в ХХ, где ты ИМЕННО ЭТО прочитал. Или раздел.

раздел 2.02 Транзисторный переключатель, там где лампочку вешают на транзистор. В параграфе начинающего ся с "Если на базу подается избыточный сигнал", ближе к концу есть замечание про коэффициент бета.

И чуть ниже через два параграф еще один параграф начинющийся с цифры 1.

исхожу из таких соображений - при наличии диода напруга явно не поднимется выше Uп+падение на диоде. Диод я выбираю такой, чтобы его ток был не меньше номинального тока обмотки.

да? Т.е. напруга в катушка больше питания никогда не лезет? Я почему то думал, что в своих попытках сохранить ток, они напряжение поднимают очень сильно.

Обратноходовые импульсники - другое дело. Там снаббер надо считать по-любому, методики есть.

словов сколько незнакомых. Что есть:
1) Обратноходовые импульсники
2) снаббер

Это ж однопереходник. Если я не ослеп.

А ШО ЭТО?

А что с вопросом 7 ? Он пошлый что ли какой-то?

"7) В разделе про эмиттерные повторители сказано, что если хочется обойти ограничение по отрицательном входу, то как вариант, можно использовать двухтактную схему. Именно ее мне рекомендовали использовать, когда я хотел динамик посадить на ногу atmega8. А я вот теперь думаю, а зачем? Ведь нога у меня была или 0 или +5. Что мне двухтактная схема там дала бы? "

Дальше едем:

Простой эмитеррный повторитель для аудио сигнала с взодом через конденсатор и однополючным питанием +15. Там надо чтобы сигнал не обрезался и рабочая точка была с выходом в 7.5В и током в 1мА.
Сигнал идет через делитель после конденсатора.
ВОпрос вот какой. Там сказано, что параллельноре соедиение этих делителей дожно быть намного меньше, чем h*Rэ. Это на самом деле, если строго говоря, имеет ввиду, что выходное сопротивление этого делителя должно быть намного меньше чем входное сопротивление транзистора со стороны базы,т.е. (h+1)* Rнагрузки, +1 просто игнорируем - это мелочи, Rнагрузки у нас и есть Rэ. А делается это, чтобы не ослаблять сигнал. Я правильно понял?

Реклама

Пухич

раздел 2.02 Транзисторный переключатель, там где лампочку вешают на транзистор. В параграфе начинающего ся с "Если на базу подается избыточный сигнал", ближе к концу есть замечание про коэффициент бета.

И чуть ниже через два параграф еще один параграф начинющийся с цифры 1.

Там везде речь идет, фактически, об эффекте Эрли (эффекте модуляции базы). О нем в ХХ точно было написано, ищи. Изменение обратного коллекторного напряжения приводит к изменению размеров базы и переходов. Отсюда и плавание h21э. Вообще h21э - очень неопределенный параметр. И об этом в ХХ тоже точно говорилось и не раз. На этот параметр вообще почти нельзя опираться при разработке усилительных схем. При расчете ключей на него условно опираются (при этом подстраховываясь коэффициентом насыщения, который обычно лень точно рассчитывать).

да? Т.е. напруга в катушка больше питания никогда не лезет? Я почему то думал, что в своих попытках сохранить ток, они напряжение поднимают очень сильно.

А чего ему дальше напругу поднимать? Ток идет и ладно.

словов сколько незнакомых. Что есть:
1) Обратноходовые импульсники
2) снаббер

1) Обратноходовой импульсный источник питания
2) гасящая цепочка в нем.

Не заморачивайся, тебе еще пока не до них.

А ШО ЭТО?

ru.wikipedia.org/wiki/Однопереходный_транзистор

Там ты узнаешь, что коэффициент передачи однопереходника, и коэффициент h21э - совсем не одно и то же....

А что с вопросом 7 ? Он пошлый что ли какой-то?

Я просто не помню, кто, где и при каких условиях тебе это советовал.

А делается это, чтобы не ослаблять сигнал. Я правильно понял?

Ну в этом, как бы, и состоит смысл любого повторителя - отбирая минимум мощности у сигнала, повторять его форму при работе на низкоомную нагрузку. Иначе говоря, слабосильный сигнал думает, что он очень крутой, и может гонять туда-сюда динамик. А на самом деле мы его обманываем....

Реклама

ArtemKuchin

Таак, все понятно.

По поводу вопроса 7.
Есть атмега8. Нужно пипискать динамиком дергаю ногу. Напрямую к ноге низя. Атмегу не испортит, но и пищать не будет. Надо через транзистор. Я посадил на воторитель - меня зачмарили. Я пожаловался, что как то не очень громко то и пищит от 5В. В итоге не помню кто, предложил поставить двухтактовую схему. Я ее так и не делал. А вот теперь думаю, а на фига она тут? Там же не отрицательного напряжения, чего там pnp даст то?

Пухич

Речь там была о том, если помню, что надо ток в динамик сначала вогнать, потом отсосать. Для этого ставили кондей. Верхний транз двухтактника заряжает кондей (при этом динамик идет в одну сторону), а нижний его разряжает (динамик идет в другую сторону).

ArtemKuchin

Пухич писал(а):Речь там была о том, если помню, что надо ток в динамик сначала вогнать, потом отсосать. Для этого ставили кондей. Верхний транз двухтактника заряжает кондей (при этом динамик идет в одну сторону), а нижний его разряжает (динамик идет в другую сторону).

Неа, кондея не помню

Ну ладно. Хрен с ним. Читаю дальше.

ArtemKuchin

Загвоздка с температурной компенсацией. Чего то в ХХ не договорили.

Сначала простой вопрос (без схемы):
Что происходит с Uбэ при нагреве (пусть будет нагрев для примера) в npn и pnp транзисторах?

Я спрашиваю, так как по схеме получается сто процессы должны быть противоположенные, т.е. в одного типа тразистора напряжение между базой и эмиттером должно расти, а у другого падать.

artemm писал(а):... в одного типа тразистора напряжение между базой и эмиттером должно расти, а у другого падать.

Когда говорят в электронике "расти" и "падать" имеют ввиду увеличение какого-нибудь параметра или его уменьшение в относительных единицах. У транзисторов разной структуры если увеличение напряжения или тока, то у обоих одинаково, только полярность напряжения или тока получается разной.

ArtemKuchin

Так, итак, банальная схема температурной компенсации из двух транзисторов. Сигнал подается на первый, pnp типа.
У него на базе напряжением на 0.6В меньше, чем на эмиттере, так ведь?
с эмиттера идет сигнал на базу второго транзистора - NPN. У него на базе напряжение на 0.6В больше, чем на эмиттере.

Пусть на входе +5. Тогда, на эмиттере первого 5.6В? На базу второго приходит 5.6, на эмиттере второго 5В. Красиво.

Пусть температура выросла. Пусть напряжение между эмиттером и базой на обоих транзистора одинаково увеличилось. Пусть теперь между базой и эмиттером надо 1В для включения.

На входе +5В. На эмиттере первого 6В. На базу второго приходит 6В. На эмиттере второго 1В.

Это все верно?

Мне, лично, непонятны все рассуждения о термокомпенсации транзистора, основанные на напряжениях. Обычно все расчеты ведутся исходя из токов, текущих в транзисторе.
При повышении температуры увеличивается ток к-э транзистора, который надо компенсировать, изменяя ток в базе. Это добиваются за счет стабилизации тока базы и введения ООС.

ArtemKuchin

Ну, как написано так и рассуждаю. Прилагаю схему и текст из книги.

INFERION

В этой схеме используется стандартная местная ООС. Когда транзистор нагревается - он сильнее открывается. Из-за чего через резистор, в его эмитерной цепи, начинает протекать бОльший ток. При этом на резисторе падает бОльшее напряжение, что как бы "отодвигает" транзистор от общего провода и на его базе, относительно эмитера, ток падает из-за уменьшевшейся разницы напряжений. Что и приводит к его частичному закрыванию. Т.е. он таким образом сам себя стабилизует. Это обычный эмитерный повторитель (если не ошибаюсь). Причём в такой схеме транзистор выравнивает не только температурную характеристику, но и существенно уменьшает влияние собственного h21э на форму сигнала.

ArtemKuchin

Вы, господа и дамы, садисты. Я выдержку дал из книги. Там что-то про токи есть, кроме фразы, что он меняется из-за того, что Uбэ и h едут из-за температуры? Нет! Я конечно понимаю, вам хочется сразу с токами. Но вот на этом уровне я правильно процесс понял или нет? Мне кажется это все одно и тоже,только вид сбоку.

Объяснение INFERION-а я не понял. В схеме два транзистора, а по тексту не понятно какой где имеется ввиду. Один тразистор точно сам себя не стабилизирует.

И вообще, по тексту говорится о компенсации падения напряжение Uбэ на T2 с помощью падения напряжения Uбэ на T1.

Непонятная ситуация. Люди пишут одно, я пытаюсь это понять, общественность говорит, что вообще в таких терминах в культурном обзествое размышлять об этом нельзя. Что делать?

Пухич

Света писал(а): Мне, лично, непонятны все рассуждения о термокомпенсации транзистора, основанные на напряжениях. Обычно все расчеты ведутся исходя из токов, текущих в транзисторе.

Мне лично очень все понятно. Вы же не считаете, что ток коллектора транзистора зависит от тока базы? Он как раз от напруги на базе и зависит.

INFIREON писал(а):В этой схеме используется стандартная местная ООС. Когда транзистор нагревается - он сильнее открывается. Из-за чего через резистор, в его эмитерной цепи, начинает протекать бОльший ток. При этом на резисторе падает бОльшее напряжение, что как бы "отодвигает" транзистор от общего провода и на его базе, относительно эмитера, ток падает из-за уменьшевшейся разницы напряжений. Что и приводит к его частичному закрыванию. Т.е. он таким образом сам себя стабилизует. Это обычный эмитерный повторитель (если не ошибаюсь). Причём в такой схеме транзистор выравнивает не только температурную характеристику, но и существенно уменьшает влияние собственного h21э на форму сигнала.

Как раз эмиттерным повторителем то, что вы назвали не называется. Это есть обычный усилитель с ОЭ. При этом резюк в эмиттере является термокомпенсирующим. Работает все именно так, как вы сказали. Только насчет "уменьшения влияния собственного h21э на форму сигнала" я как-то не уверен. Каков механизм?

artemm писал(а):Что происходит с Uбэ при нагреве

Друг мой, помнишь ли ты уравнение Эберса-Молла? Оно есть в ХХ. Именно согласно ему все и происходит.

ArtemKuchin

Уравнение не помню уже. А в этот раз до него не дошел еще. Вопрос в том, мое описанное понимание работы этой термокомпенсации верно или нет? На этом уровне, без уравнений.

Пухич

Тут такая мешанина, что я не вполне осознаю, о чем мы говорим. Я просто ответил на первый вопрос, а дальше пошли разборки. Какие твои предположения надо проверить?

ArtemKuchin

Повторюсь:

Так, итак, банальная схема температурной компенсации из двух транзисторов. Сигнал подается на первый, pnp типа.
У него на базе напряжением на 0.6В меньше, чем на эмиттере, так ведь?
с эмиттера идет сигнал на базу второго транзистора - NPN. У него на базе напряжение на 0.6В больше, чем на эмиттере.

Пусть на входе +5. Тогда, на эмиттере первого 5.6В? На базу второго приходит 5.6, на эмиттере второго 5В. Красиво.

Пусть температура выросла. Пусть напряжение между эмиттером и базой на обоих транзистора одинаково увеличилось. Пусть теперь между базой и эмиттером надо 1В для включения.

На входе +5В. На эмиттере первого 6В. На базу второго приходит 6В. На эмиттере второго 1В.

Это все верно?