Приветствую всех.

Ситуация такая: в одном промышленном контроллере применяется микросхема статической памяти STK15C88, но не простая. При падении напряжения питания ниже Vsw происходит автоматическое сохранение содержимого статической памяти во внутреннюю flash-память за счет использования внутренней ёмкости.
Так вот, по питанию этой микросхемы я наблюдаю помеху, (см. картинку)


напряжение во время помехи падает до 2,6 В, длительность самой помехи около 200 нс, частота следования помех около 14 мкс.


По мануалу Vsw лежит в пределах 4...4,5 В.
Вопрос: может ли такая помеха вызывать постоянные автоматические сохранения содержимого SRAM во Flash, тем самым исчерпав ее ресурс?
Необходимо помнить, что AutoStore срабатывает только если были циклы записи в SRAM.

Не факт, что эта помеха есть внутри чипа. Вы видите её снаружи, внутри (на детекторе пропадания питания) её может не быть.
Да и как угадать ресурс той внутренней флеши?

В мануале написано 1 000 000 циклов. С такой частотой перезаписи вполне мог ресурс исчерпаться.

Если сильно беспокоит, то может поменять её на FRAM/MRAM? Думаю - должен быть совместимый по пинам вариант FRAM/MRAM.

Бывали еще и вот такие:

А они наблюдаются, циклы записи перед помехой ?
И откуда растут ноги у этой помехи ?

Нет возможности проконтролировать циклы AutoStore. Если бы это было возможно, я бы тему не создал.
Помеха лезет из DC-DC преобразователя. Это отдельная тема.
Наблюдается в разных устройствах с разным уровнем, но есть везде.

Разберитесь с питанием, затем, желательно, замените чип памяти. Остальное - от лукавого.

Для начала обсуждения, вначале приведите две картинки. Одну, когда щуп касается вывода Vcc микросхемы, и вторую, когда щуп на выводе gnd той-же микросхемы. Вы получите две картинки с одинаковыми импульсами.

Отнюдь.

Добавлено after 4 hours 24 minutes 11 seconds:
Если относительно шасси смотреть на GND микросхемы, то наводка есть. Относительно GND на GND - нет.

Т.е. - её фактически нет. Боретесь с ветряными мельницами.

Читаем внимательно.

Так мы внимательно читаем, потому как

никто и не предлагал этого, предлагалось посмотреть, совпадают ли во времени циклы записи в SRAM с помехой по питанию.

Циклы записи формируются внутри микросхемы...
Как вариант "обманки" - поставить по питанию той хитрой памяти дополнительный источник, гарантирующий поддержание тока (времени работы контроллера перезаписи данных) на момент падения напряжения основного блока питания...