Уважаемые коты прошу опознать достижение отечественной электроники (транзистор сгоревший в блоке электронного зажигания ваз 2107 выполнявший роль ключа) Вещь весьма редкой экзотической технологии.Делаю несколько снимков. Все-бы хорошо, но забыли на нем написать его название.

Добавлено after 5 minutes 25 seconds:
https://iimg.su/i/ofNHMF

Добавлено after 1 minute 2 seconds:
https://iimg.su/i/w1Hhif

Добавлено after 54 seconds:
https://iimg.su/i/rmFRHx

Добавлено after 50 seconds:
https://iimg.su/i/eINY7J

Это кристалл на подложке.

А сам какое-то название имеет?
Хотя, обычно, производители комплектующих длдя автомобилей, делают из схемы своих устройств- "страшную тайну"..

Да, сложная задача для котов

Да нет, это соринка на клавиатуре.

если это старинная штуковина то там какойто простенький высоковольтный npn транзистор
~400+V ~3+A

купите такой за 40..100 рублей и не скребите моск
напр 2SC4242 отличный транзистор
https://www.chipdip.ru/product/2sc4242- ... 9000464568

или
https://www.chipdip.ru/product/kt854b-t ... 8041805550

Придется открыть эту страшную тайну. Поставил полевик 2sk2847 . Работает. Дешево и сердито. Что плохо, то-что он имеет встроенный защитный диод, который гасит 50% эдс самоиндукции (в этом деле она полезна!) Всем спасибо!

Там дарлингтон может стоять типа КТ892. Эти вроде специально для авто, для зажигания. https://docs.yandex.ru/docs/view?tm=176 ... 26nosw%3D1

offtop/

Прибор (BJT, FET, IGBT) без защитного диода сгорает от обратного напряжения. Так что, не надо придумывать.
Если прям так нужно сохранить обратный выброс, поставьте диод последовательно. Наверно ДШ, на должное напряжение/ток обратного выброса.

Спасибо за лигбез

Добавлено after 9 minutes 54 seconds:
Дарлингтон не влез-бы туда, а этот в аккурат https://ibb.co/CKrk0Hzb

Добавлено after 2 minutes 9 seconds:
А сапротик приворил между затвором и истоком 1000ом, что-бы он быстрее закрывался. Толково

если быть совсем точным то у BJT, в обратную сторону "обязательно установлен " встроеный зенер, как и у дискретного FET с индуцированным каналом "встроенный диод" . это неотьемлемая часть структуры, в одном случае это высоколегированный эмиттерный переход с напряжением обратного электрического пробоя обычно в пределах 15..40V у больших транзисторов и 6..15 у маленьких, в другой - канальный pn переход сток-подложка, для которого обратка является прямым падением и ток начинается с 550..650mV обычно при 25С.

а сгорит или нет - это отдельный вопрос, связанный с допустимым тепловым импульсом или с возможностью отведения тепловой мощности от области эмиттера или канала, обычно напрямую в дэйташите не указывается но есть народные приметы позволяющие довольно точно их угадать по косвенным из дэйташитов


что касается конкретного случая - с BJT, IGBT обратная полуволна осцилляций на первичке будет ограничена ~30..35V
а у FET ~ 15V. насколько это существенно для мощности искры - врядли ктото качественно исследовал

диод - да, вполне, сам хотел предложить, но поленился ... но судя по реальным пром схемам от bosh и hitachi - никто на эту тему не парится

У шнивы например ngd8201 стоит на катушки