Спасибо за информацию. Теперь буду знать, что Ge от Si отличается ещё и в этом.



Не совсем так, но я их использовал лет 20 назад точно так же, как и кремниевые. Впрочем, для ключей я их не использовал никогда - только усилительный каскад.



А вот это вопрос хороший, почему так получается, что довольно большая инжекция носителей заряда происходит при Uбэ=0. Вероятно, это просто свойство германия.

Это по сути главное отличие кремниевых транзисторов от германиевых, что не во всех схемах и позволяет заменить германий на кремний и наоборот.Если транзисторы работают в обычном усилительном каскаде, о котором Вы говорите, то замена обычно не вызывает затруднений и ограничивается только подбором нужного смещения, да и то не всегда. Если усилительный каскад охвачен ООС по постоянному току, то транзисторы "махаются" даже без без подбора смещения, т.е. по сути создается впечатление, что особой разницы между ними и нет, что по сути истинно в данном случае.