Добрый день!
Запутался в двух березах...
Есть транзистор, вот, собственно, что о нем пишут на ЧипДипе:
IRL540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 36А, [TO-220AB]

Это значит, что на него можно грузить до: 100х36=3600 Вт постоянного тока?
А если у меня например, 12 вольт нагрузка, то: 3600/12=300 А?
Аж 300 Ампер???
Или я что-то путаю? Тогда скажите, сколько ампер на него можно грузить при 12-14 вольтах постоянного тока и какую мощность (Вт) при постоянном токе на него можно грузить.
Благодарю!

Даже элементарный здравый смысл подсказывает, что 300 А гораздо больше 36, значит, нельзя тем более...
Вы автоматы на 300 А видели (особенно "правильные" 1960х годов) или провода на 300 А ??????...
====
А 8-10 А можете попробовать включать...

100В - напряжение пробоя. Напряжение между стоком и истоком, которое убьет закрытый транзистор.
даташит читали? там все написано про токи.

Господа, я пытаюсь разобраться! Не пинайте!
Даташит читал, но не понял! И да бы не наломать дров, пишу сюда.
Вот есть хорошее описалово:
https://ru.mouser.com/Search/m_ProductD ... BXP4BpZM0=
И там есть характеристики, на которые я обратил внимание:
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100V
Id - Continuous Drain Current: 36 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2V
Vgs - Gate-Source Voltage: 16 V
Pd - Power Dissipation: 140 W

Давайте я попробую сказать, как я думаю, а вы меня поправите или согласитесь.
1) Напряжение пробоя. Превышать нельзя.
2) Ток пробоя. Превышать нельзя.
3) Порог открытия/закрытия транзистора. То есть можно юзать логические уровни микроконтроллера и транзистор будет работать как надо! В отличие от серии IRF, правильно????
4) Максимально напряжение, которым можно открывать транзистор. Превышать нельзя.
5) Самое интересное. Рассеиваемая мощность. То есть, получается, что нужно рассчитывать нагрузку так, чтобы уложиться в эти 140 Вт, правильно? Ну и в то же время чтобы не привысить пункты 1 или 2, верно?
Исходя из этого, если хотим через него пускать 14 вольт и 10 ампер, то как раз и получим эти 140 Вт.
А если вольт у нас 12 и 10 ампер, то будет 120 Вт, 20 из которых оставим про запас, да бы транзистор жил долго и счастливо.

Ответьте пожалуйста по пунктам, правильно ли я думаю? Да бы избежать глупых вопросов в будущем.
Спасибо

корректнее не "пробоя", а "поджаривания". Обратите внимание - он указан для температуры корпуса 25 градусов. Чем горячее, тем меньше допустимый ток.

нет. Достаточно пофигу на мощность нагрузки, тразистор коммутирует ток. Указанный предел - мощность, рассеиваемая самим кристаллом при прохождении через него оного тока. Для ключевого режима она более-менее (есть еще потери на переключение, существенные при высоких частотах) равна Rdson*I^2. Но не обольщайтесь сходу низкими значениями сопротивления и высокими - тока в таблицах даташита, а полистайте дальше, где показаны графики их зависимостей от температуры.

Кроме того, раньше писали, что не допускается использовать полупроводниковый прибор
даже по любым двум максимально допустимым параметрам одновременно....
Отличайте мощность нагрузки и мощность, выделяемую на канале полевика...
И 140 Вт отвести от квадратного см площади можно только жидким азотом...)))))
(или водой, может)

При 12 вольтах 30 ампер потянет если в ключевом режиме с хорошим мощным драйвером будет работать. Да наверное и в автоусях сможет на преобразователе быть, если там две пары

Ну не совсем так... Да, предельные значения параметров превышать нельзя. Причем каждый по отдельности. То есть, если напряжение предельное, то ток (или любой другой параметр) уже не может подходить к предельному значению. Кроме того, есть понятие "область безопасной работы". Она определяется функцией пароы значений "ток стока" - "напряжение сток/исток" . Для Вашего IRL540N она показана на рисунке 8 (Maximum safe operating area). Кроме этого, влияние на допустимую рассеиваемую транзистором мощность влияет его охлаждение, то есть, радиатор (а еще можно радиатор с вентилятором). Это влияние осуществляется через максимальную температуру кристалла и температурные сопротивления "кристалл - корпус", "корпус - охлаждающая поверхность" и "кристалл окружающая среда". Для Вашего транзистора это 175 градусов, 1.1 градуса на ватт, 0.5 градуса на ватт и 62 градуса на ватт. То есть, для транзистора без радиатора кристалл будет горячее корпуса 62 градуса на каждый ватт рассеиваемой транзистором мощности. А для транзистора на радиаторе на 1.6 градуса, плюс температурное сопротивление "радиатор-окружающая среда". При температуре окружающей среды 25 градусов максимальная рассеиваемая транзистором без радиатора мощность не должна превышать 2.4 ватта. Кроме того, надо учитывать, что с ростом температуры кристалла снижается максимально допустимы ток стока (рисунок 9). Это для аналогового режима работы.

Для ключевого режима все несколько хитрее. Транзистор не может закрыться и открыться мгновенно. И за время переключения выделяется мощность, которая и нагревает транзистор. Но длительность переходный процессов мала, а термические процессы инерционны. Поэтому кристалл может перегреться несмотря на то, что корпус холодный.

Что касается логических уровней... Для Вашего транзистора пороговое напряжение составляет, максимум, 2 вольта. Но это для тока стока 250 микроампер. А вот если Вам надо коммутировать ток, скажем, 10 ампер, то потребуется уже минимум 2.5-3 вольта. А еще это все зависит от температуры кристалла. Посмотрите на рисунки 1, 2 и 3. Так что не всякая логика сможет управлять этим транзистором. Например, логика с напряжением питания 3.3 вольта может работать неустойчиво при больших нагрузках и температурах.

А еще это транзистор имеет ощутимую емкость затвора. Так что логика должна обеспечивать довольно большие втекающий и вытекающий токи на выходе, что бы перезаряжать затвор за приемлемое время. Думаете, зачем применяют драйверы управления полевыми транзисторами?

Номера рисунков указывал по этому документу https://www.infineon.com/dgdl/irl540npb ... 5fc2a62567