Здравствуйте!
Вопрос из разряда "для начинающих бездарей"
Мы знаем, что биполярный транзистор из кремния открывается при напряжении 0,4-0,7V. При каком-то значении входного напряжения, выходное напряжение близко к напряжению питания. Но, часто, (например, в усилителях, стабилизаторах) на базу транзистора подается напряжение порядка 5V или даже выше. По идее транзистор находится в насыщении и повышение входного напряжения результатов дать не может.
1) Вопрос: Зачем, что это дает ??? (Эмиттерные повторители в расчет не берем).
2) Тот же самый вопрос но про полевики с изолированным затвором.

Пример можно?
При подготовки примера, не забывайте, что напряжение насыщения б-э (0,7 В) измеряется именно между базой и эмиттером...

Это как раз случай эмиттерного повторителя. А вообще говоря, напряжение на базе - относительно эмиеттера, а не болтающееся неизвестно где. Определитесь.

Простейшим случаем может служить стабилизатор напряжения, который известен любому, даже начинающему...

В продаже новые LED-драйверы XLC компании MEAN WELL с диммингом нового поколения

Компания MEAN WELL пополнила ассортимент своей широкой линейки светодиодных драйверов новым семейством XLC для внутреннего освещения. Главное отличие – поддержка широкого спектра проводных и беспроводных технологий диммирования. Новинки представлены в MEANWELL.market моделями с мощностями 25 Вт, 40 Вт и 60 Вт. В линейке есть модели, работающие как в режиме стабилизации тока (СС), так и в режиме стабилизации напряжения (CV) значением 12, 24 и 48 В.

Подробнее>>

А это что такое?
Где Вы взяли такую каракатицу?
Неужели сами придумали?

Похоже да... Прошу прощения ошибся

Измерьте эти напряжения и Вы убедитесь, что они всего лишь десятые доли вольта.

Чаще всего резистор R4 ставят номиналом в 1к или даже меньше (470Ом), а при верхнем положении резистора R4, на базе VT2 будут уже не десятки вольт

Напряжение всегда меряется относительно чего то. Сейчас речь идет о напряжении на базе относительно эмиттера.
Я же красными стрелками нарисовал между какими точками нужно в данном случае мерить напряжение и резисторы тут не при чем.

Напряжение между базой и эмиттером второго транзистора, это разность напряжения на R3 и R4
В независимости от величины сопротивлений R3 и R4 разница этих напряжений в данной схеме будет десятые доли вольта.
Читайте как работает стабилизатор.

на r3 относительное фиксированное напряжение со стабилитрона 13в, значит r3 может менять напряжение на базе vt2 от 1 до 13в. при этом напряжение на эмиттере vt2 синхронно меняется от 0.6 до 12.6в.

представим что это не так, на базе 5в а на эмиттере в результате какой-то флуктуации образовалось 4в, значит vt2 полностью открыт, в насышении и практически закорачивает r4 на питание. то есть на нем не 4в а все напряжение питания окажется. парадокс? да. значит эта ситуация невозможна. то есть как только напряжение на эмиттере отклонится от положенных 4.6в в любую сторону возросший или уменьшившийся эмиттерный ток выправит напряжение. обратная связь

ps все упомянутые напряжения - отрицательные относительно +. я просто привык в старых схемых с общим плюсовым проводом менять мысленно напряжения местами, а также инвертировать диоды, стабилитроны, npn<->pnp. иначе голову сломаешь

Ясно, я не учел ООС.
Я если VT2 заменить на n-p-n, с соответствующим подключением выводов и изменением включения стабилитрона. В этом случае, напряжение управляющие транзистором VT3 будет сниматься с коллектора VT2. В таком случае нет ООС....

pnp<->npn меняется (при смене полярности питания и всех прочих полярных элементов) без смены выводов, где был эмиттер так и остался. вот как выглядит узел vt2-vt3-r4 'классически':



то есть это эмиттерный повторитель на составном транзисторе дарлингтона

а vt1 с диодами - стабилизатор тока для стабилитрона. он же элемент неидеальный и напряжение 13в при плавании тока как вкопанный держать не будет. но это схема 'нехорошая', закладывается на четкие параметры диодов и транзистора, которые могут от экземпляра к экземпляру плавать. и ток в результате в одном экземпляре будет 1ма а в другом 10ма

Т.е. получается на базу транзистора всегда подаютя лишь десятые доли вольта

По отношению к эмиттеру - да..

Переход база-эмиттер - это, по сути, обычный диод, то есть, p-n переход. И в транзисторе, в рабочем режиме, этот переход открыт.
А теперь посмотрите на вольт-амперные характеристики p-n перехода и скажите сами, какое максимальное напряжение на этом переходе может быть...

Да... я понял! Как говорится "Все гениальное просто!"
А как дело обстоит с полевыми транзисторами с изолированным затвором ??? Есть 2 напряжения: 1-е пороговое (в зависимости от транзистора, но скажем ~5V), и есть предельное ~20V. Т.е. размах входного напряжения может быть равен 20V - 5V=15V ???

ну можно построить схему так, что подастся 2 вольта. тогда транзистор сгорит

при анализе можно прямо исходить из этого как из данности, что Uб=Uэ+0.7. ну или Uб=Uэ в ключевой схеме. и если вдруг при этом получается что при фиксированных Uбэ никак не сходятся другие напряжения между собой, значит что-то в схеме построено неправильно

Спасибо.
А как дело обстоит с полевыми транзисторами ???