Форум РадиоКот https://radiokot.ru/forum/ |
|
режим насыщения транзистора https://radiokot.ru/forum/viewtopic.php?f=21&t=112997 |
Страница 1 из 1 |
Автор: | evjen20 [ Чт фев 05, 2015 18:53:40 ] |
Заголовок сообщения: | режим насыщения транзистора |
Уважаемые форумчане! Как я понимаю режим насыщения транзистора наступает примерно когда Uк<Uэ+0,2В. В этот момент Uб>Uk на несколько десятых вольт. Но насколько я знаю, когда работает транзистор, носители заряда (для простоты, скажем электроны) инжектируются из эмиттера в базу, а из базы в коллектор. При этом потенциал эмиттера меньше потенциала базы, а потенциал базы меньше потенциала коллектора ( Uб<Uk). А в режиме насыщения Uб>Uk. Вопрос: Как получается такой парадокс? |
Автор: | El-Eng [ Чт фев 05, 2015 19:36:40 ] |
Заголовок сообщения: | Re: режим насыщения транзистора |
evjen20 писал(а): Как получается такой парадокс? Прочтите мои посты начиная отсюда и до конца следующей страницы. Надеюсь, станет понятно. ![]() |
Автор: | evjen20 [ Чт фев 05, 2015 20:45:39 ] |
Заголовок сообщения: | Re: режим насыщения транзистора |
Прочитал посты. Получается, когда транзистор переходит в режим насыщения, начинает открываться диод база-коллектор, при этом как я понял прямое напряжения смещения у него меньше, чем у диода база-эмиттер. За счёт этого часть базового тока начинает идти и в коллектор + уменьшается коэффициент h21, в итоге базовый ток начинает сильно увеличиваться, чтобы сохранить значение тока в эмиттере. Ну а поскольку сумма токов в входящих в узел равна 0 (а транзистор это узел), то ток коллектора начинает сильно уменьшаться (пропорционально току базы, конечно). Правильно? И всё-таки не всё ясно. Забудем диоды. Опустимся до p-n перехода. Возьмём n-p-n транзистор. Основные носители заряда n области- электроны, устремляются к тонкому слою базы (p-области), потому что её потенциал в линейном режиме больше потенциала эмиттера. В базе электроны-неосновные носители и для них на руку, что p-n переход база-коллектор смещён в обратном направлении (из-за того, что потенциал базы меньше, чем у коллектора), поэтому они сразу стремятся в коллектор. Когда транзистор переходит в режим насыщения его p-n переход становится смещённым не в обратном направлении (как это было в линейном режиме), а в прямом. Или по другому говоря диод база-коллектор открывается. Вопрос: Когда транзистор в режиме насыщения в коллектор из базы попадают не электроны, а дырки (основные носители базы)? Или как по другому? Просто скорее всего как-то по другому. Не могу понять как. |
Автор: | El-Eng [ Чт фев 05, 2015 21:51:42 ] |
Заголовок сообщения: | Re: режим насыщения транзистора |
evjen20 писал(а): ... ток коллектора начинает сильно уменьшаться (пропорционально току базы, конечно). Правильно? Поскольку в режиме насыщения напряжение КЭ практически не меняется (~0.2В), то не меняется и ток через коллекторный вывод. К этому току добавляется избыточный ток базы (Iб - Iк/В), текущий через открытый диод коллекторного перехода.evjen20 писал(а): Не могу понять как. Там идут два параллельных процесса: один как в активном режиме, другой - протекание тока через прямосмещенный коллекторный переход.
|
Автор: | evjen20 [ Чт фев 05, 2015 22:57:10 ] |
Заголовок сообщения: | Re: режим насыщения транзистора |
El-Eng, большую часть, которую я не знал, и которую вы хотели до меня донести я понял, за это спасибо, но ведь в своём последнем посте я чуток про другое спрашивал. Как происходит процесс насыщения транзистора на физическом уровне? |
Автор: | noise1 [ Чт фев 05, 2015 23:08:36 ] |
Заголовок сообщения: | Re: режим насыщения транзистора |
На физическом уровне транзистор полностью открыт и является сопротивлением, r к-э нас, Ом. Вот так в справочниках пишут. |
Автор: | Леонид Иванович [ Пт фев 06, 2015 00:16:57 ] |
Заголовок сообщения: | Re: режим насыщения транзистора |
evjen20 писал(а): Или как по другому? В режиме насыщения электроны в базу инжектируются и эмиттером, и коллектором. |
Автор: | El-Eng [ Пт фев 06, 2015 09:04:30 ] |
Заголовок сообщения: | Re: режим насыщения транзистора |
evjen20 писал(а): Как происходит процесс насыщения транзистора на физическом уровне? Физика работы транзистора подробно расписана в книге проф. И.П.Степаненко "Основы теории транзисторов и транзисторных схем". Здесь я приведу цитату из другой его книги - "Основы микроэлектроники".Цитата: Особое место в работе транзистора занимает режим двойной инжекции или, менее точно, режим насыщения. Режим двойной инжекции характерен тем, что на обоих переходах - эмиттерном и коллекторном - действуют прямые напряжения. При этом и эмиттер, и коллектор инжектируют носители в базу навстречу друг другу и одновременно каждый из них собирает носители, дошедшие от другого.
|
Автор: | evjen20 [ Пт фев 06, 2015 09:37:51 ] |
Заголовок сообщения: | Re: режим насыщения транзистора |
Спасибо Леонид Иванович, El-Eng. |
Автор: | El-Eng [ Пт фев 06, 2015 10:46:09 ] |
Заголовок сообщения: | Re: режим насыщения транзистора |
Пожалуйста. ![]() ![]() |
Автор: | evjen20 [ Пт фев 06, 2015 11:50:02 ] |
Заголовок сообщения: | Re: режим насыщения транзистора |
За ссылки на книги естественно тысячи благодарностей. Хотя о какой доброй Свете идёт речь я не понял. |
Автор: | White_Pit [ Пт фев 06, 2015 11:54:17 ] |
Заголовок сообщения: | Re: режим насыщения транзистора |
О добром Свете Учения ![]() |
Автор: | Света [ Пт фев 06, 2015 11:55:20 ] |
Заголовок сообщения: | Re: режим насыщения транзистора |
El-Eng писал(а): ...я, ведь, не ошибся? Извините, что влезла в ваш пост, но вы ведь не обиделись?... ![]() ![]() |
Автор: | mickbell [ Пт фев 06, 2015 11:56:36 ] |
Заголовок сообщения: | Re: режим насыщения транзистора |
![]() |
Автор: | El-Eng [ Пт фев 06, 2015 12:03:59 ] |
Заголовок сообщения: | Re: режим насыщения транзистора |
Света писал(а): ... вы ведь не обиделись? Наоборот, я обрадовался. Добрая фея исполнила мои желания. ![]() |
Страница 1 из 1 | Часовой пояс: UTC + 3 часа |
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group http://www.phpbb.com/ |