Вы понимаете, что такой подход обречён?

Нужна ООС.

т.е. вы хотите сказать, что измерять у полевиков ничего не нужно, а просто брать справочные данные и под них рассчитывать схему?

Но тогда у меня новый вопрос: берем транзистор КП303Ж у него по справочнику Id0=0.3…3 mA, Ugsoff=0.3…3 V, S=1…4 mA/V. А у меня амплитуда входного напряжения 0.2 В, получается, что транзистор с отсечкой 0,3В мне не подходит, а вот с отсечкой 2В самое то, но это тот же КП303Ж.

Как быть в этом случае? Брать транзистор, у которого по справочнику минимальное Ugsoff=2V? Но опять же, из-за разброса параметров, я рассчитываю для транзистора Ugsoff=2V, чтобы каскад работал на наиболее прямолинейном участке, а мне попадается с Ugsoff=4V, и я попадаю на явный перегиб.

В справочнике параметры транзисторов указаны для 10В, а как быть, если мне нужно чтобы мой каскад работал под напряжением 24В?

И еще такой момент, если взять КП303Ж с Id0=0.3mA, Ugsoff=0.3V, S=1 mA/V, рабочую точку при Ugs р.т.=0,05V (чтобы оказаться на наиболее прямолинейном участке) Id р.т.=0,3*(1-0,05/0,3)^2=0.208 mA (т.к. справочные денные указаны при Up=10V, примем Up=10V, Ud=5V), то Rd=(Up-Ud)/Id р.т.=(10-5)/0.208=24кОм. Я в литературе встретил, что внутренне сопротивление полевого транзистора Ri=50кОм (в лекциях Глазова А. Б. эта величина указывалась 40кОм) и Rd должно быть много меньше Ri, в данном же случае получилось, что Rd меньше Ri примерно в 2 раза.


Как организовывается ООС в подобных каскадах?

При правильном подходе, да. Это всё равно что вы бы измеряли h21э у каждого транзистора, и рассчитывали бы под них схему.

Вот тут ничем не могу помочь.

Посмотрите схемы усилителей.

вот схема http://guitar-gear.ru/forum/index.php?a ... h_id=18578
расталкуйте, пожалуйста, где тут обратная связь и как она работает

Все резисторы в истоках транзисторов образуют последовательную ООС по току в каскадах

т.е. в этом каскаде уже реализована обратная отрицательная связь на резисторе Rs? и все мои расчетные искажения сойдут на нет?

Друзья, помогите пожалуйста подобрать полевой транзистор для схемы

в схеме он будет использоваться как ключ. Я честное слово искал, где они, какие у них характеристики, но так и не смог в них разобраться.
на исток будет приходить 5В и ток до 100 мА. На затвор будут подаваться теже 5 В.

Да вроде любой маломощный. Посмотрите в сторону IRLML___ или других Logic Level.

Скажите, правильно я понял:
1. Vgs - Gate to Source Voltage - это максимальное напряжение затвор-исток(?), то есть это то напряжение, выше, которое, нельзя подавать на затвор полевого транзистора (ключа)?

2. Часто работы ключа определяется по формуле =1/T , где T - это: "Turn-On Delay Time" + "Rise Time" + "Turn-Off Delay Time" + "Fall Time" ? "T" нужно перевести в секунды. http://lib.chipdip.ru/222/DOC000222419.pdf - для irfp460 это примерно 4 081 632 Гц ?

Это просто напряжение затвор-исток.

Скорее T = Q/I, где I — ток, выдаваемый драйвером, Q — заряд затвора.

я плохо понял, простите.

Что значит: "просто напряжение затвор-истор"?

И по максимальной скорости срабатывания/частоте работы ключа, вопрос есть. На обычных биполярных транзисторах пишут их рабочую (максимальную) частоту, к примеру: КТ315А, fгр (fh21) = 250 МГц. А для IGBT, MOSFET - это параметр где зарыт? Я так понимаю, что при "100%"-тном необходимом обеспечении Затвора полевого транзистора Напряжением и Током, частоту примерно определяют исходя из параметров " "Turn-On Delay Time" + "Rise Time" + "Turn-Off Delay Time" + "Fall Time" " ? - В чём я здесь не прав?

Нигде не сказано что оно максимальное. Это может быть напряжение З-И при котором нормировано сопротивление С-И. Или заряд затвора.

Нуууу... можно и так сказать. Но, например, если вам важно только чтобы транзистор открылся и закрылся, можете выкинуть времена задержки и остаивить только фронты.

Сколько тока нужно подать на затвор, чтобы транзистор закрылся ?
Т.е. подаём, скажем 3.2В на затвор. Сколько будет потребление затвора, чтобы через сток-истон не протекал ток ?

МОП транзисторы управляются не током, а напряжением на затворе относительно истока. При подаче напряжения на затвор, ток затвора определяется токами утечки через изоляцию затвора и находятся в пикоамперной области.

Поставлю вопрос по другому....

Есть транзистор irlml6302
На затвор подаётся напряжение 3.2В через амперметр
На сток, подаётся напряжение 5В
К истоку подключена лампочка

Что покажет амперметр ?

Точно ответить невозможно, т.к. это зависит от параметров лампочки. Вместо того, чтобы спрашивать давно-бы уже измерили ток в схеме для конкретной лампочки.

Кратковременный скачек тока в момент переключения транзистора, в зависимости от сопротивления в цепи затвора. Потом будет показывать 0 (или ток утечки). Затвор по-сути - конденсатор. Если амперметр реальный (цифровой или стрелочный), скорее всего вы ничего не увидите.

В даташите есть такой параметр, суммарный заряд затвора (Total Gate Charge). Вот его и надо весь выкачать чтобы транзистор закрылся. А уж каким током вы это будете делать, зависит от внешней схемы.

После скачка тока на время заряда затворной ёмкости (как уже сказали), амперметр покажет не больше 100 нА — ток утечки затвора.

Ребят, где-то на просторах интернета была замечательная брошюра на русском языке про MOSFET. В начале там рассказывалось о строении транзистора, были графики токов и напряжения при открытии, очень хорошо все так написано. Находил где-то тут или на подобных сайтах, сейчас ринулся посмотреть, а и нету. Прям жалко так, что не сохранил. Может кто знает о чем речь? Есть у кого? (находил в pdf, и запросы "MOSFET" и "MOSFET теория" не дали результата:( )

Во вложении.
Ещё у Москатова https://sunduk.radiokot.ru/loadfile/?load_id=1286853274
Плюс у Семёнова https://sunduk.radiokot.ru/loadfile/?load_id=1387385561