Дело в том, что реальная схема и схемы замещения (коих для одного устройств может быть несколько разных) - это не одно и то же.

другими словами схема замещения предназначена только чтоб обьяснить или смоделировать ту или другую функцию обьекта
(которая интересует на момент рассмотрения)

например схема нарисованная на доске вообще не обьясняет работу транзистора в режиме насыщения, более адекватна в этом смысле а вот эта:

но и она не обьясняет например электродинамику транзистора и эффект эрли
а более полная эквивалентная схема (которую используют симуляторы например) только осложнит понимание принципов работы, посему ее никогда не применяют для знакомства с базовыми свойствами транзистора.

а если интересно - надо читать книжки, их много, какаято наверняка покажется более понятной и позволит пойти дальше.

AlexS4 огромное спасибо за ответ, эффект Эрли я пока не учитываю, мне б осознать как работает транзистор. Я перестаю понимать схемы когда в них оказывается источник тока, когда только источники ЭДС все понятно, потому что можно второй закон Кирхгофа записать.

ponomarevap1093, транзистор, увы, это именно источник тока причем не только биполярный.

насамом деле источник тока это не сложнее чем источник эдс.
для него например просто записывается 1й закон Кирхгоффа.
и у него внутреннее сопротивление параллельно ему самому и в идеале = бесконечности.
(в отличие от источника эдс у которого все наоборот)

чтоб прямо руками пощупать
источник эдс 10V через резистор 10k виден нагрузке в диапазоне 0..1V как источник тока 1mA -0..10%
а источник эдс 100V через резистор 100k виден той же нагрузке на тех же 0..1V как в 10 раз более точный источник 1mA -0..1%
а при бесконечно большом напряжении и сопротивлении - получится идеальный источник тока.
и того же эффекта можно достичь в реальности, без экстремальных напряжений, просто схемотехникой на транзисторах. както так

Это комикс для "тупых" американцев.

Продолжаю разбираться со схемами на биполярном транзисторе и столкнулся с непонятным мне поведением дифф. усилителя. НА базу транзистора VT1 подано 1.6 V через делитель, на транзистор VT2 0.8V при этом на транзисторе VT2 между коллектором и 0 вольт напряжение меняется несинусоидального, если исключить VT1, то появляется чистый синус на VT2. Если уменьшить амплитуду входного сигнала на VT2 до 8 милливольт синус тоже появляется. Самый верхний график это входное напряжение на базе VT2. На вход подаю естественно синус.

Почему разное?

Динозавр, на базы обоих транзисторов подано 1.6 через делитель и на базу VT2 0.8 переменки синус . Ответ я уверен простой,но я не могу догадаться.

Много.
0,12 В на 2 перехода Б-Э изменяют токи транзисторов в 10 раз.
Чтобы не было искажений хватит 0,06 В, это в 3 раза.
Резисторы в коллекторах (небольшие) должны допускать такой диапазон токов.

ponomarevap1093, вот картинка из учебника:

Спойлер

HochReiter спасибо за ответ. Но хочется исходя из логики работы схемы понять куда пропадает синус. Вот аналогичная модель, график тот же, для упрощения я убрал сигнал с базы Q1. Напряжение на базе Q2 это зеленый график, напряжение на R2 синий, напряжение на коллекторе Q2 красный график, не могу понять куда пропадает синусоида, почему напряжение, не плавно а резко возрастает на коллекторе Q2 до 20 вольт. Если вообще исключить Q1 то Q2 включен по схеме с общим эмиттером и синусоида на его коллекторе будет нормальной. Думал долго, но понять так и не смог.

график и схема подробно https://drive.google.com/file/d/1W-Q2uT ... drive_link

ponomarevap1093, синус пропадает когда транзистор выходит за пределы линейного режима, например входит в отсечку или насыщение.
в линейных схемах это может быть следствием ошибки выбора рабочей точки (смещения) или избыточного уровня входного сигнала.
для начала поставьте R5=R7=30k
поставьте переменный R2 4.7k и посмотрите как влияет его сопротивление на выходной сигнал. добейтесь неискаженной синусоиды.

потом выкючайте генератор и в статике посмотрите потенциалы на коллекторах.

AlexS4 я попробовал, но синус не появился, может вернее только уменьшить R2 до 500 Ом тогда сумма токов через него будет 2 миллиампера что даст падение в 1В на R2? Самое главное при отсутствии Q1 все работает правда резистор R2 должен быть 1к.

забудьте про 2mA. откуда они взялись?!

какое у вас напряжение питания?

уменьшив R2 вы увеличите усиление а главное еще более сместите транзисторы к насыщению. и то и другое помешает синусу.

скорее там надо 2..3k, тогда коллекторы отпустит повыше и синус будет красив.
если нет - еще уменьшите входное c генератора.

и выключив генератор на входе, посмотрите потенциалы на эмиттерах и коллекторах. они должны быть растянуты вдоль питания.


а где вы смотрите выходное ??

AlexS4 напряжение у меня 20 вольт, на базах я делителями задал 1,6 вольта, 0.6 упадет на переходе б-э и еще вольт на резисторе 500 Ом такой расчет не верный?

а где вы смотрите выходное ?? на коллекторе Q2

верный.

проверьте тогда на коллекторных 10k в статике должно быть 10V
это так?

и усиление 20 и макс выходной размах ~8V
тоесть макс входное до 400mV

попробуйте 200mV

в реальности так не делают для диф усилителей, потому что разброс резисторов в базовых делителях и неидентичность параметров эмиттеров приведет к недопустимому перекосу. поэтому смещения делают с ООС.
если симулятор симулирует такой разброс то это будет видно по сильно разным напряжениям на коллекторах в статике.

AlexS4 спасибо, все получилось.

На праздниках инету не будет скорее всего - закину пока вопрос сюда :

Есть схема - во вложении. Каскад с ОЗ. Вопрос - как рассчитывается усиление данного каскада. С некоторым приближением. Но с учетом номиналов резистора, напряжения питания, без учета температуры

Понятно что у древних германиевых транзисторов разброс параметров был большой, но тут задача хотя-бы примерного понимания.

Пояснения :

Транзистор П13 (Предшественник МП39) но опираться надо именно на П13. h21э=12..45, рекомендованный ток эмиттера 1 мА (ну вроде по номиналам резисторов при полностью открытом транзистора 1,5 мА, что похоже на правду).

Входной сигнал синусоидальный частота 400 Гц Амплитуда входного сигнала неизвестна.

Как понимаю тут 2 ООС, ограничивающие Ку, одна в цепи эмиттера R5,C3. Вторая падение на R3, которое смещает рабочую точку.

Что-то по найденным на просторах формулам получается фигня какая-то. Пробую разные места, найду вменяемое - напишу. Флейм и провокации будут игнорироваться.

Я конечно многого не знаю и могу быть где то не прав, но в такой схеме усиление целиком зависит от характеристик транзистора а потому рассчитывать его не стоит. И не стоит применять такую схему там где требуется четко заданное усиление.

Как понимаю - за счет ООС всё-же Ку должно быть как-то стабилизировано.

Применять нигде не собираюсь, но для расчетов других узлов при повторении некоторой схемы (точнее её идеи) на современных элементах нужно понимать уровни сигналов в её частях.

Хотя бы понимать от скольких и до скольких мог бы усиливать данный усилитель (это часть МДМ усилителя постоянного тока)