"Измерить" вы ничего не сможете, только "оценить". Пересмотрите ваше видео и сравните представленное с ТТХ диодов из их описаний. То, что показано на видео, хоть как-то коррелирует с данными в DS? Как-бы, разница в несколько порядков.
Так что, разделить диоды на кучки вы сможете, но не более того. Для получения адекватных значений, которые действително можно использовать, вы должны сделать не просто "генератор", а выполнить нормы тестирования для каждого диода. И это будут саааааааавсем другие деньги. ))

но вот и измерил.
брал два диода, скоростной FML-G12S, и медленный 1N4007
по даташитам, время пбратного восстановления:
FML-G12S - 40 наносекунд, и для медленного 1N4007 - 500 наносекунд.
но замешкалься,
есть Быстродействие (стандартное время восстановления) более 500 нс;
и Скорость обратного восстановления – 2 мс.
это по видимому разные параметры.
Конечно, все зависит от частоты, напряжения сигнала и нагрузки на диод по току.
но при одинаковом сигнале получаю вот это:

Если вы включили конденсатор, диод и резистор последовательно, то у вас на диоде будет постоянная составляющая, и он толком отпираться не будет.

так вот: