Подскажите по схеме инвертора для индукционного нагрева, как лучше поступить использовать 1 вторичку для открытия 1-2 3-4 ключей или для каждого ключа мотать свою вторичку?
как на 1 или на 2 схеме?

На каждый транзистор свою обмотку иначе будет КЗ.

В случае одной обмотки, это будут напряжения относительно одного потенциала. А по схеме 22.PNG, на каких точках сидят истоки ключей? ? )

Блин я то думал я начинаю вкуривть что к чему, уже 3 года изучаю разные схемы блоков питания, и все похожие схемы и последний год уже по тихому собираю схемки, но вот хоть убейте не пойму почему к.з. ведь ключи должны открыться синхронно сначала (1и2) потом (3и4) сигнал они получают один и тот же, от одного же драйвера почему к.з. ?
И с двумя вторичными обмотками мы то же получаем один и тот же сигнал но разбитый на 2.

Представьте что верхний транзистор открыт.

Атакой вариант с диодом не покатит?

Нет.

Да вот так думаешь чо понимаешь а оказывается фиг, дуб.
и есче вопрос работоспособна ли схема полумоста на 2 схеме?
и есть ли смысл из 1 схемы делать мост добавить по вторичке на трансформатор для второй пары ключей, просто схема проще и компонентов меньше.

Обе схемы работоспособны. Не вижу больших преимуществ в мосте.

ну а как же мощности теряется за счет обрезания напряжения через конденсаторный делитель 220в 10а грубо говоря более 2кв
а полумост срежет 110 и останется при тех же 10 амперах уже 1 кв.

Считаем грубо.
Мост 4 транзистора на 10А полное питание 300в, равно 3000вт.
Полумост 4 транзистора (по 2 в параллель) 20А половинное питание 150в, равно ????

Равно то оно равно, большие токи более дорогие транзисторы, больше тепла на радиаторы.

Добавлено after 2 minutes 34 seconds:
да и источник питания хочется сделать регулируемый а при больших токах это уже сложнее нежели при напряжении.

Добавлено after 2 minutes 32 seconds:
плотно села мысль о амплитудном регулировании мощности, начитался про шим и уже как то подташнивает, для индуктивного нагрева не самый лучший вариант.

Я же писал 4 тех же транзистора(по 2 в параллель), через каждый течёт ток в 10А( как в полном мосте) общий ток 20А.

эммм.... ну да.
Ну тогда вообще нет разницы особенно по количеству компонентов.

Только количество обмоток меньше.

Ну да это позитивный момент.
как то так? я прав?

Ну да. Только трансформаторы лучше разместить ближе к транзисторам.

А это для уменьшения потерь? или что то есть еще интересное?

Добавлено after 3 minutes 23 seconds:
а в таком полумосту достаточно 1 диода для шунтирования 2х транзисторов или нужно каждому свой диод?

Для уменьшения звона,
Достаточно одного диода, хотя в транзисторах уже есть диоды. Но можно поставить.

Также, если транзисторы работают в мостовой или полумостовой схеме на высокой частоте (индукционные нагреватели, импульсные источники питания и т.п.), то в цепь стока встречно включается диод Шоттки для блокирования паразитного диода. Паразитный диод имеет большое время запирания, что может привести к сквозным токам и выходу транзисторов из строя.
Это для полевиков, есть у меня IGBT GT30G122 у них нет диода паразитного так что шоттки мне не нужен.