Отнюдь. Интегрировать напряжение одной полярности - будет неограниченно возрастать. Хотя мы в быту привыкли называть интегратором фильтр НЧ. Для получения действующего напряжения надо усреднять квадрат амплитуды (квадрат от полярности не зависит).
тоесть если нам нужен интеграл модуля некой функции то единственный способ - интегрировать ее квадрат, интегрировать модуль мы не можем ?
действующее значение - да связано с квадратом ... но по другой причине, потому что на постоянном сопротивлении нагрузки мощность пропорциональна именно квадрату напряжения или тока (по закону Ома).
интеграл положительной периодической функции будет всегда неограниченно возрастать c ростом времени интегрирования, независимо от того квадрат это, 222 степень или просто модуль понятно что речь о значении интеграла за период рассматриваемого сигнала, и отнесенном к этому периоду, если мы хотим получить какуюто эквивалентную вменяемую размерность.
Есть бесперебойник SENDON UPS-500, шим sg3524, в целом работает, но вот на выходе странный сигнал, в отличии от других бесперебойников такого типа там не модифицированный синус а пила какая то. В чем может быть причина?
Только какой-то внешней схемой, которая при достижении на батарее 3.7 В отключит TP4056 через вход управления CE. Иначе никак, в TP4056 "Preset 4.2V Charge Voltage with 1.5% Accuracy" - 4.2 В предустановлено...
Добрый день, Возникла необходимость коммутации 300В и 100А(~300А в пике) постоянки после блока конденсаторов. Коммутация нужна по "+" (верхнему плечу) 1 раз в 3 минуты и отключение при привышении 100А(защита по току и от КЗ) Нагрузка: ванна для плазменной полировки. Собственно вопрос какие ключи лучше выбрать? в наличии есть сборки дарлинктона на 200А, IGBT на 60А(в параллель штуки 3 поставить) и мосфеты 20-30А(собственно тоже в параллель зарядить с запасом по токам), драйвера верхнего плеча. Мои соображения: На дарлинктонах будут большие потери, IGBT надо точно подбирать по падению напряжения КЭ, мосфетов надо много(Если не прав-поправьте) На чем лучше реализовать такую задачу с минимальными потерями или может есть современные ключи с подходящими параметрами за вменяемые деньги? И если параллелить, то как лучше с отдельными драйверами на каждый ключ или с одним с большими токами.
- если параллелить затворные то конечно 1 общий мощный драйвер
- параллелить igbt как и bjt похорошему можно только с резисторами (на bjt - в эмиттер на igbt - почти пофиг куда) это нужно независимо от подбора транзисторов потому что возникает положительная обратная связь по температуре которую можно только ослабить общим радиатором и хорошим контактом с ним но не полностью устранить.
- падения у igbt и дарлингтона сравнимые, нет принципиальной разницы, по сути igbt это дарлингтон с fet в качестве 1го звена.
можно n-fet c бутстрепным питанием затвора, тогда наверно будет немного в параллель.
Вот эта штука то, что надо, закажу её, главное чтобы китайцы не намахали с 300А
И еще вопрос ir2127 потянет этот модуль (900nC полный заряд затвора)? Включение будет без нагрузки, главное отключить побыстрее. Или можно просто мощный мосфет(ампер на 10) поставить и тянуть им затвор к минусу, а открывать чем-нибудь слабеньким с доп. питанием выше рабочего на 12В?
или IRFP4332 250V 35mOhm штучки 2..4 в параллель, только надо будет проверить экземпляры по напряжению (если 300V без запаса взято) нагреть до 100С и померить ток утечки на расчетном напряжении +10% через 100к подержав часок . 155руб в чипе https://www.chipdip.ru/product/irfp4332 ... 9001729090
По характеристикам тоже красивые, 300В максимум, рабочее обычно 250-280В. Но что-то я как то не доверяю такому корпусу до 100А постоянно будут идти через такие выводочки... у меня там 50кв. мм кабель заложен на электрод. и входное 3-х фазное по 16кв.мм на 20кВт транс..... и все это по выходу через один такой транзисторик пойдет.... Модуль как-то посолидней выглядит, да и тепло лучше отдавать будет. 1,8Вх100А это 180Вт во включенном состоянии, не считая переходных процессов при отключении.... Этот вариант на другой проект пойдет, там как раз пиковые токи большие нужны, а время работы маленькое.
Последний раз редактировалось prizrack* Сб ноя 15, 2025 17:07:54, всего редактировалось 1 раз.
толстые квадраты в проводах нужны чтоб сопротивление приемлемое было и отвод тепла от него, по плотности тока нет проблем и при 100+A/mm2 при длине в неск мм.
можно залить компаундом для лучшего теплоотвода, если будут отгарать чаще чем хотелось
внутри модуля кстати тож проводочки тонюсенькие по сравнению с 16mm2 а к кристаллу вообще пучек из нескольких ничтожно тонких волосков ~d0.2..0.3mm идет.
Последний раз редактировалось AlexS4 Сб ноя 15, 2025 17:10:49, всего редактировалось 1 раз.
внутри модуля кстати тож проводочки тонюсенькие по сравнению с 16mm2 .
Тоже верно, но лучше с запасиком взять, проект коммерческий нет смысла экономить. А вариант с отключением: подтягивание затвора на "-", с учетом, что колектор на "+" висит прокатит? или можно слишком большое отрицательное напряжение на затворе получить, если транзистор будет не успевать закрываться?
а затворов если будет слишком много по С то взять простенький бутстрепный чип ( L6388E напр) + двухтактный повторитель на комплементарной паре средних bt или fet.
а затворов если будет слишком много по С то взять простенький бутстрепный чип ( L6388E напр) + двухтактный повторитель на комплементарной паре средних bt или fet.
я имею ввиду ситуацию когда у меня igbt подключен колектором к +, эмитер к нагрузке(электроду), можно ли закрывать транзистор подтягивая затвор к - питания а не к эмитеру? 1. вариант :нагрузка при падении напряжения будет давать почти короткое на минус.(когда электрод в ванне, ванна подключена к "-" питания, а элетролит имеет низкое сопротивление) 2 вариант: парралельно нагрузке висит резистор на 10кОм. а основная нагрузка имеет оч. большое сопротивление.(электрод "в воздухе") Не получиться ли ситуация когда скорость падения напряжения на затворе будет намного быстрее скорости падения напряжения на эмитере при закрывании транзистора и на затворе будет отрицательное напряжение относительно эмитера.
ну поскольку npn igbt - надо подтягивать затвор на эмиттер при закрытии а для полного открытия - нужно на 10-15V больше текущегомгновенного +V но если применяем бутстрепный драйвер то вся эта работа на нем, незавмисимо усиливаем его повторителем или нет (повторитель естественно запитывается от летающего конденсатора как и h-driver)
верхний драйвер таких iс все делает сам, относительно эмиттера/истока верхнего транзистора и никакого отрицательного напряжения на его затворе не будет, независимо от динамики потенциалов на концах верхнего ключа.
а вот чтоб надежно зарядить за период отдыха летающий конденсатор снизу - может потребоваться либо какаято доп нагрузка (мощный резистор, и возможно нужен меньше 10k) либо может лучше даже нижнее плече из слабенького fet ~300V 1A который будет управляться нижней секцией полумостового драйвера. иначе при длительной холостой паузе с разомкнутыми электродами бутстрепный конденсатор будет разряжен и драйвер будет не готов открыть транзистор.
бутстрепный конденсатор должен быть x10+ больше емкости затворов ну и сопротивление нижнего плеча должно надежно успеть зпрядить его за паузу до ~15+V.
ну поскольку npn igbt - надо подтягивать затвор на эмиттер при закрытии а для полного открытия - нужно на 10-15V больше текущегомгновенного +V
С бутстепом все понятно, но мне можно открывать транзистор достаточно медленно, т.к. включаться он будет только при поднятом электроде(10кОм нагрузке), затем ток будет плавно расти при опускании электрода в ванну, дополнительно сделать питание не проблема (намотать доп. обмотку на транс мост+кондеры) и подключить ее к + основного питания, и спокойно открывать транзистор через оптопару с резистором. а вот отключать надо быстро и под нагрузкой, причем при падении напряжения на 30-40В на электроде сопротивление(электрод-ванна) резко уменьшется раз в 5-10(особенность процесса) соответственно токи увеличатся, ну и при увеличении токов больше заданных надо будет резко отключить питание дабы не сжечь блок питания(аварийное отключение). отсюда и идея закрывать IGBT мосфетом ампер на 10-20 подтягивая затвор к - для быстрого закрытия транзистора. То есть в начале закрытия на затворе может возникнуть отрицательное напряжение, что ускорит закрытие транзистора. Вопрос в том сможет ли там возникнуть отрицательное напряжение больше порогового, не пробьет ли его.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения
Вход
Регистрация
Правила
FAQ
Поиск
понятно что речь о значении интеграла за период рассматриваемого сигнала, и отнесенном к этому периоду, если мы хотим получить какуюто эквивалентную вменяемую размерность.
