Возникло несколько вопросов по тз и ун-надо ли ставить резисторы в эмиттеры транзисторов тз и ун,если надо то какое оптимальное сопротивление резисторов в тз и ун.Также интересует оптимальное сопротивление резисторов при использовании в тз и ун германиевых и кремниевых транзисторов как чисто на кремние или германие так и при комбинации-например тз на кремнии а ун на германии и наоборот.

Резисторы нужны для компенсации разности параметров транзисторов, если, как и положено, использовать интегральную сборку из пары транзисторов на одном кристалле - резисторы можно не ставить... Соответственно - чем больше разброс параметров, тем более высокое сопротивление нужно выбирать для этих резисторов...
(при "модернизации" некоторых усилителей, после добавления токового зеркала придётся подстраивать коррекцию...)

Как-то слишком много вопросов для одной темы. И какие вообще могут быть германиевые транзисторы в современных разработках?

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Вопрос вобщем то один о номиналах резисторов в эмиттерных цепях тз и ун.Разработки не современные так что могут.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.

Подробнее>>

Если это выравнивающие резисторы, то номиналы чем меньше тем лучше. Потому что при минимальных номиналах эмиттерных резисторов в токовых зеркалах и дальнейший уход сопротивления будет минимальный.

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

С выравниванием чего?Если разброса параметров транзисторов дифкаскада то лучще это делать используя резисторы в эмиттерах дифкаскада.А резисторы в токовом зеркале ставят для компенсации эфекта Эрли-хотя и ими тоже можно подровнять .А вот какой номинал резистора в эмиттере усилителя напряжения в зависимости от сопротивлений в токовом зеркале выбирать-непонятно.

Если вы знаете что такое эффект Эрли и как он проявляется, то какие могут быть вопросы в любительском форуме?

У резистора в каскаде УН другое назначение, это - местная ООС по току, снижающая усиление и кривизну входной характеристики... Минимальное напряжение на выходе токового зеркала примерно равно напряжению насыщения транзистора, т.е. 0,2-0,5 вольта, закрыть транзистор УН такой узел сможет и без дополнительных мер по изменению режима транзисторов... На германии так не получится!
(...кстати, резистор в цепи эмиттера УН при работе от токового зеркала бесполезен - при питании базы током, обратная связь не работает и резистор лишь увеличит напряжение насыщения каскада, уменьшив размах выходного напряжения... Опять же, токовое управление сделает более сильными все паразитные ОС, в том числе - через нелинейную ёмкость коллекторного перехода, несколько снизит быстродействие каскада УН...)

Эффект Эрли относится к свойствам транзистора, а не каскада, поэтому в данном контексте применять этот термин неправильно.
Что касается номиналов резисторов в зеркале, то в первом дифкаскаде - чем больше тем лучше, но в пределах заданного напряжения питания, обычно несколько килоом. Это связано с тем, что одна половина зеркала является низкоомной нагрузкой плеча дифкаскада, а лучше высокоомная. Если дифкаскад, это последний каскад усилителя напряжения, то всегда есть оптимальное сопротивление по максимальной линейности, всегда несколько сотен ом.
Резисторы в эмиттерах дифкаскада нужны для увеличения перегрузочной способности дифкаскада на ВЧ, но одновременно уменьшают усиление в рабочем диапазоне частот. Поэтому нужно шунтировать их катушкой индуктивности, при этом сохраняется полезная функция и ликвидируется вредное влияние. Для первого дифкаскада сопротивление 1 кОм, для второго 20 -50 Ом.

Номинал каких резисторов токового зеркала?

Первый каскад усилителя - это максимально линейный преобразователь напряжение-ток, выход первого каскада - токовый, вход второго каскада (на биполярном транзисторе...) - тоже токовый, получается, никакого смысла в излишнем увеличении номиналов резисторов в токовом зеркале нет... По дифкаскаду - согласен...

Все знают об эффекте Эрли-об этом много написано, я спрашиваю о другом, о номиналах резисторов которые там применяются-об этом ничего не написано.Вот поэтому я и спрашиваю чтобы устранить пробел.

Добавлено after 23 minutes 29 seconds:

Напряжения насыщения 0,2-0,5 вольта это не мало-там же 2 перехода кремния?Тоесть вы предлагаете не ставить резистор в ун-тогда какие резисторы при этом можно ставить в тз.или можно обойтись без них .И как быть если токовое зеркало к примеру на кремние а усилитель напряжениея на германии и наоборот соответственно?И поповоду дополнительных мер по изменению режима германиевых транзисторов хотелось бы прояснить.

Их всего-то два и оба одинаковые.

0,2-0,5 - это напряжение эмиттер-коллектор, при этом на базе относительно эмиттера будет около 0,6 вольта. Использование "германия" в данных узлах считаю извращением - никакого преимущества германий не даст. Если уж так хочется поставить германиевый транзистор в каскад УН, добавьте ему в цепь вывода эмиттера кремниевый диод, последовательно. Ставить германиевые транзисторы в токовое зеркало смысла не вижу - будет криво и с непредсказуемыми параметрами...

А что с германиевыми транзисторами не так?Чем они кривее и непредсказуемые кремниевых в тз?У Перепелкина вон все ровно и предсказуемо-никто не жаловался.

И какие преимущества даёт применение древнего германиевого дерьма в этой схеме?

По поводу схемы это не ко мне а к Перепелкину.Я ее привел как пример применения в тз германиевых транзисторов. А по поводу древнего германиевого дерьма так я его хочу использовать не для преимущества а скорее для недостатков ,но германиевых
Повторюсь -меня интересуют номиналы резисторов или их отсуствие в выше перечисленных мною комбинаций транзисторов в тз и ун а все остальное это уже другая тема.

Все номиналы я тебе дал.

???И где они эти номиналы???

На 11 сообщений раньше.