Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
Одно другому не мешает. У меня ослик Hantek 200 MHz, а пользуюсь С1-55. Ещё подумываю достать из пыльной полки Н-313 и присобачить к нему генератор 465 кГц.
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
А кто-нибудь ГКЧ, синхронный с гетеродином анализатора спектра делал? То, что называется следящий генератор или на буржуйском tracking generator? Чтобы из анализатора спектра АЧХ-ометр сделать.
И что же это? Вам дали полностью рабочую, тщательно отлаженную и испытанную схему под ваши хотелки, а Вас поставило в тупик отсутствие стрелочки? Уж извините великодушно, я ее для себя составлял, и прекрасно представляю куда и что там подключено. Тем более, что собирать вы ее не собирались и не собираетесь, так что вам должно быть пофиг чего там такое.
Подключил устройство: синус на коллекторе Т3 и базе Т4 в норме, но на коллекторе Т4 тихо, как и на выходе SaoPinShuChu (Саопиншучу . Ассистент в смартфоне перевёл как «Дэн Сяо Пин» По-видимому, Т4 закрыт. Размах 440 мВ. .
У меня проблема с полевиками. Тем более, заработала нормально китайская схема. Теперь я, исходя из опыта настройки этой схемы, переделаю и злополучную схему АЕН. Увеличил R22 до 78 кОм - синусоида стала нормальной, но макс. размах на выходе лишь 440 мВ, т.е. действующее напряжение 160 мВ. Затем выходной транзистор 9018 заменил на КТ3102Е с h21e = 650 в надежде увеличить выход, но стало не на много больше - 480 мВ, т.е. 170 мВ действующее. Однако прибор VC99 показывает 360 мВ, а 9205 - 300. В то же время ламповый вольтметр В7-15 показал лишь 130 мВ.В то же время Hantek 2C72 показал размах 500 мВ.
Это распространенная схема генератора на 2-х транзисторах, позволяющая применить катушку без отвода. Принцип работы очень простой. Активным элементом генератора является транзистор VT11, включенный по схеме с общей базой. Резистор в цепи базы(в вашей схеме его нет) - для исключения паразитной генерации. Если генератор не запускается, надо снизить его сопротивление. Положительная обратная связь не индуктивная и не емкостная, как в однотранзисторных схемах, а через эмиттерный повторитель на транзисторе VT10 и резистор в цепи эмиттера. Это схема генератора, работающего в барьерном режиме - напряжение коллектора равно напряжению на базе. Барьерный режим приводит к сильному повышению межэлектродных емкостей транзистора. В результате, по данным С.Беленецкого, входная емкость генератора на транзисторах КТ326Б составляет 39 пФ, на транзисторах КТ3107Б - 85 пФ. Это ограничивает частоту генерации. Межэлектродные емкости зависят от тока - при снижении тока снижаются. Эта схема не нова. Она применена в тюнере Радиотехника Т-101. Гетеродины по такой схеме применял в своих конструкциях Е.Б.Гумеля. Любительские транзисторные приемники. МРБ 1008. На транзисторах КТ326Б мне удалось добиться генерации до 90 МГц. Безусловное преимущество генератора, работающего в барьерном режиме - низкое ВЧ напряжение на контуре, что удобно при настройке варикапами. В то же время большая емкость снижает диапазон перестройки. Более широко применяется разновидность этой схемы, где транзисторы работают без барьерного режима - коллекторы и базы транзисторов развязаны конденсаторами и имеют отдельное смещение. Это значительно снижает входную емкость генератора, поскольку емкость эмиттер-база всего несколько пФ. Такая схема применена в схеме гетеродина микросхемы К237ХА5, предназначенного для УКВ блоков. По такой же схеме построен широкодиапазонный ГВЧ, схема которого опубликована в журнале Радио N'6 1997г., стр. 48, 49. Радиолюбители отзываются о схеме хорошо. Единственная сложность - исток полевого транзистора напрямую соединен с базой транзистора следующего каскада. Для возможности применения полевых транзисторов со значительными отличиями параметров, каскад на транзисторе VT4 надо развязать от истока полевого транзистора конденсатором, для смещения цепи базы предусмотреть делитель на 2-х резисторах. Режим полевого транзистора подобрать номиналами резисторов делителя на затворе и сопротивления резистора на истоке согласно параметрам применяемого полевого транзистора. Ест видео о сборке такого генератора на канале Слава Фадеев. Двухтранзисторный генератор, работающий без барьерного режима применена и в конструкции ГВЧ И,Уткина. Радио N'4 1974 г. Стр. 47, 48. Еще одно свойство генератора на 2-х транзисторах, работающих в барьерном режиме - ограничение амплитуды P-N переходами транзисторов, поэтому, для получения синусоиды, амплитуда напряжения на генераторе не должна превышать 0,4 В(Как полагается, в одну сторону, а не от пика до пика). Снижения амплитуды добиваются подбором сопротивления в цепи эмиттеров - R22. Поскольку такой генератор работает с низкими токами, желательно в качестве буфера использовать полевой транзистор. Например - BF998. 1-й затвор соединяется с массой резистором 1 МОм, к генератору - конденсатором. Исток соединяется к массе. На 2-й затвор подается напряжение 4 В от делителя на резисторах и ставится блокировочный конденсатор около 10 nF. Усиление определяется резистором на стоке. К = R * S, где S - крутизна транзистора в mA/B(20...25 для BF998), R - сопротивление резистора в на стоке в кОм. При напряжении питания 9 В оптимальное сопротивление на стоке примерно 330 Ом. (При меньшем сопротивлении возможно превышение максимально допустимого тока через транзистор). При этом усиление будет около 6,6. Максимальная амплитуда входного напряжения для такого усилителя - 0,2 В(В одну сторону) Еще одна проблема ГКЧ - проблема стабилизации выходного напряжения, если диапазон перестройки большой. При этом постоянная времени системы стабилизации должна быть существенно меньше периода пилообразного напряжения. По налаживанию вашей схемы. Подбором сопротивления резистора R10 выставить ток через транзистор Т4 4...6 mA(Падение напряжения на резисторе R13 примерно 0,2...0,3 В). Этот транзистор работает с довольно высоким для ВЧ усилением - примерно 13. Поэтому будет наблюдаться спад усиления начиная примерно 3...5 МГц. Ток через транзистор Т5 надо увеличит. Уменьшить сопротивление резистора R16 до 360 Ом, подбором сопротивления R14 выставить на эмиттере транзистора T5 напряжение около 3,6 В. Тема для меня представляет некоторый интерес, поэтому рад оживлению темы. Успехов в экспериментах!
_________________ Основное правило электробезопасности: Если видите торчащие оголенные концы, руками не трогайте...
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 29
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения
Вход
Регистрация
Правила
FAQ
Поиск
. Ассистент в смартфоне перевёл как «Дэн Сяо Пин» 
