Форум РадиоКот

В чем различие между полевыми и биполярными транзисторами с точки зрения практики. Ведь для чегото существуют оба типа транзисторов? Что ограничивает применение полевых транзисторов в усилительных схемах? И какие вообще особенности применения того или иного типа приборов?

Уважаемый Гри! По-быстрому ответить на такой вопрос невозможно. Тип транзистора выбирается, исходя из задачи. Полевые транзисторы в усилителях- без проблем. Но есть ещё такая штука, как цена, опыт разработки, технические характеристики. Вот из совокупности всего и выбирают- на чём схему делать.

Раскрою карты - меня интересует сущевствует ли оптимальное сочетание пп приборов в усилителе или там еще в какой схеме при которой достигаются максимальные показатели. Вот крутится у меня оно гдето в мозгах что есть такое дело а поймать немогу.

ЗЫ Некурю, непью и наркотиков неупотребляю - мне и без всего этого жизнь кажется интересной и красочной.

А что лучше курица или яйцо? Есть сейчас и IGBT (БТИЗ) биполярный транзистор с изолированным затвором. Ну и зверь!!!
Сотни вольт , сотни ампер Быстродействие фь-ю-ю-ить

У полевых преимущество в низком токе управления вследствие большого входного сопротивления (мкА при МОм) по сравнению с биполярными (мА при кОм). Ну а частотные характеристики у биполярных лучше (емкость перехода З-И у МОП существенная).

Сейчас более современными считаются МОП ПТ, хотя и биполярные своих позиций сдавать не собираются. Вот и родился БТИЗ.

Полевой транзистор можно представить себе как переменный резистор с электронным управляемым сопративлением. Открытое состояние мощного полевого транзистора (ПТ) характеризуется долями Ома на участке исток-сток (два основных силовых электрода). Вот если через открытый полевой ранзистор с сопротивление открытого канала 0,044Ома (кажись IRF540) пустить ток в 5 ампер, то на корпусе транзистора выделится 1,1Ватт тепла,взять биполярный и через него (участок эмитер-коллектор) пропустить тот-же ток (5А), то на корпусе такого транзистора выделиться, скажем, 7,5Ватт тепла (Uкэ - 1,5В) потому что открытый БТ можно представить как диод включенный в проводящем направлении. Это первая причина, по которой ПТ последнее время почти вытеснили БТ из блоков питания. А вот с очень высокими частотами при больших мощностях, лучше всего справляются биполярные транзисторы, им только подавай гигагерцы .

А вот познакомьтесь со зверем по кличке IGBT (БТИЗ - по русски)

Очень стрр-р-рашный, аж жуть

gri писал(а):В чем различие между полевыми и биполярными транзисторами с точки зрения практики.

полевой управляется напряжением.

биполярный - током.

биполярный вобщем несколько лучше, однако что применять в устройстве нужно решать в каждом конкретном случае.

у биполярного рабочее направление тока одно. полевой проводит в обе стороны - практически это резистор управляемый напряжением.

avr123.nm.ru писал(а):...полевой проводит в обе стороны...

C небольшой закавырочкой - у MOSFET-ов меж стоком-истоком влеплен диод, так-что по существу используем проводимость в одном направлении.

Кстати если разбирать ПТ, то у этих есть типы JFET
и MOSFET. Первые применяем в усилительных каскадах где требуется получить очень большое входное сопротивление усилителя, делаем стабилизаторы тока. Вторые в всевозможных преобразователях, коммутационных схемах. У первых при закороте участка затвор-исток сопротивление канала сток-исток минимально, то есть открыт. У вторых при закорачивании этого ж участка сопротивление канала очень велико. Но благодаря находчивости нашего человека применение обоих типов можно менять местами .

И родителями IGBT (БТИЗ) была фирма IR . В СНГ у него у него нашлись крестные и дали ему обозначение "Е" (2Е/КЕ для кремниевых). Ну а в ЗАГСе неопытная секретарша всё перепутала и несколько БТИЗ оказались с именами 2П/КП .
У силовых модулей IGBT существует своя система обозначений, об этом наверное сибирские (новосибирские) коты лучше знают. Ну а воронежские, минские, орловские, московские если чего помогут.

Встречается ещё обозначеие MESFET - МОП ПТ с барьером Шотки. Ну а фирма IR использует фирменное обозначение HEXFET - МОП ПТ с низким Rси.
P.S. Пишу по памяти, если что поправьте.

мышонок писал(а):Встречается ещё обозначеие MESFET - МОП ПТ с барьером Шотки. Ну а фирма IR использует фирменное обозначение HEXFET - МОП ПТ с низким Rси.
P.S. Пишу по памяти, если что поправьте.

ПТ с барьером Шоттки творятся из GaAs с его огробной подвижностью электронов и успешно трудятся на очень высоких частотах(до десятков ГГц), но вот МОПами их назвать язык не поворачиваентся, ибо затвор у них не оделён от канала диэлектриком, это разновидность приборов с управляющим каналом, и ПТ с pn-переходом - их ближайшие родственники
Вообще, оксид исходного материала используется в качестве диэлектрика только в кремниевых приборах (у остальных материалов оксиды-плохие диелектрики ) , так что МОП ПТ - этопросто кремниевый МДП ПТ

Если не ошибаюсь, то MESFET транзисторы у IR-овцев маркируются так IRLxxx?

По-моему, в IRLxxx главное управление МОП ПТ уровнями ТТЛ. Ну а ТТЛ и ТТЛШ - понятия почти одинаковые.

я где - то слышал или это мне приснилось, что ПТ используют для согласования вх и вых сопртивлений УК...
з.ы. всё равно БТ и ПТ никуда не денутся они не взаимозаменяемы, а во всём виновата температура!!!

Mozart, ваши сведения немножко устарели. Современные МОП ПТ +150°С на кристалле спокойно переносят. Ну, а низкое сопротивление Rси современных МОП ПТ не позволяет им сильно разогреваться, даже при больших токах (у нас тут тема "Синхронные выпрямители" имеется).

Кстати, пытаюсь упредить один вопрос - мощные МОП ПТ предназначены в основном для переключательных режимов, и поэтому для усилителей не совсем подходят. А вот-таки и нет! Здесь возникает очень интересная тема - усилители класса D (звуковые) и класса E (ВЧ/радио). В основе лежит ШИМ, используются переключательные МОП ПТ, К.П.Д. достигает 94%, выходные транзисторы практически не греются (по сравнению с обычными усилителями).

мышонок писал(а):... возникает очень интересная тема - усилители класса D (звуковые) и класса E (ВЧ/радио). В основе лежит ШИМ, используются переключательные МОП ПТ, К.П.Д. достигает 94%, выходные транзисторы практически не греются (по сравнению с обычными усилителями).

У меня пару схем имеется ШИМ усилков - 2 по 300ВТ!!! 600ВТ, крышу дома без спец техники можно снять .

во избежание флуда предупреждаю - тема по ШИМ усилителям на форуме уже есть