Ток насыщения транзистора (saturation current)
Добавлено: Ср май 31, 2017 07:35:41
Есть такая программа "Every Circuit" (ссылка открывать в хроме!)...
Каждый элемент в ней имеет набор стандартных свойств, но эти свойства часто не совпадают названиями с параметрами из справочника.
Например, параметры транзистора:
Saturation Current - ?
Forward Beta - обычная бэта для схемы с общим эмиттером "B(h21)";
Reverse Beta - бэта для схемы с общим коллектором - "Ki(h21)";
Collector resistanse - ?
Base resistanse - ?
Emitter resistanse - ?
Объясните мне кто-нибудь, что из себя представляют остальные параметры! никак не могу понять, и найти ничего вразумительного, особенно по "Saturation Current" (току насыщения).
В вики сказано что ток насыщения - это часть обратного тока, вызванного диффузией неосновных носителей заряда... ОК, как я понял оно должно учитываться в реальном прямом токе транзистора, но как оно учитывается - не понятно...
При увеличении обратного тока, увеличивается и ток протекающий через транзистор... но этот ток очень мал (изначально вообще установлен в 1 фемтоампер), а потребление тока растет на значительно большие величины...
Ну и может кто-нибудь знает, зачем предоставлена возможность указывать сопротивление коллектора/базы/эмиттера? ведь реально их узнать невозможно (это какая-то модель?)
Каждый элемент в ней имеет набор стандартных свойств, но эти свойства часто не совпадают названиями с параметрами из справочника.
Например, параметры транзистора:
Saturation Current - ?
Forward Beta - обычная бэта для схемы с общим эмиттером "B(h21)";
Reverse Beta - бэта для схемы с общим коллектором - "Ki(h21)";
Collector resistanse - ?
Base resistanse - ?
Emitter resistanse - ?
Объясните мне кто-нибудь, что из себя представляют остальные параметры! никак не могу понять, и найти ничего вразумительного, особенно по "Saturation Current" (току насыщения).
В вики сказано что ток насыщения - это часть обратного тока, вызванного диффузией неосновных носителей заряда... ОК, как я понял оно должно учитываться в реальном прямом токе транзистора, но как оно учитывается - не понятно...
При увеличении обратного тока, увеличивается и ток протекающий через транзистор... но этот ток очень мал (изначально вообще установлен в 1 фемтоампер), а потребление тока растет на значительно большие величины...
Ну и может кто-нибудь знает, зачем предоставлена возможность указывать сопротивление коллектора/базы/эмиттера? ведь реально их узнать невозможно (это какая-то модель?)