Транзистор, это очень просто!

[KT608B]

Извините, если вопрос будет глупым, но на рисунке я вижу, что сопростивление нагрузки в цепи питания колектор-эмитер = 0

Это особенность программы-эмулятора? (не показывать такие "мелочи")

Это не программа-эмулятор, а программа Splan. Где вы видели чтобы при снятие обычных параметров применяли резистор нагрузки?

[MIF]

Это не программа-эмулятор, а программа Splan. Где вы видели чтобы при снятие обычных параметров применяли резистор нагрузки?

А, понятно - это программа-рисовалка.
"Снятие обычных параметров" - это что такое.., всмысле, чем там задаётся ток в коллекторе?

Вот тут, например, у вас ток коллектора уже фигурирует.


А в первом посте, когда ток коллектора равен бесконечности, то что вообще померить можно?

ПС. В ваши изыскания я не вдавался, прицарапался лишь к этому бесконечному коллекторному току. Извините, если отвлекаю.

[KT608B]

Я понял, вы думаете что без резистора получается короткое замыкание. Резистор задает линейность изменения параметров, т.е. наклон нагрузочной характеристики транзистора. Без нагрузки эта характеристика идет строго вертикально и все параметры транзистора изменяются вдоль нее. Этот момент достаточно хорошо описан в книге Айзенберга "Транзистор?.. это очень просто!"

А в первом посте, когда ток коллектора равен бесконечности, то что вообще померить можно?

Он будет равен бесконечности только в случае, если я подам в базу бесконечный ток. При подключении транзистора без нагрузки к источнику питания не вызовет в нем тока пока не будет подан ток в его базу. Ток базы будет определять ток коллектора, а ток коллектора будет изменяться вдоль нагрузочной характеристики (если нет нагрузки, то вертикально).

Никакого короткого замыкания, как вы видите.

[GP1]

ПС. В ваши изыскания я не вдавался, прицарапался лишь к этому бесконечному коллекторному току. Извините, если отвлекаю.

А не мешало бы ...

[KT608B]

Для дальнейшего продвижения пришлось задействовать "тяжелую артиллерию" - программу Electronics Workbench 5.12. Предыдущие характеристики снимались непосредственно на "живых" элементах, но для ускорения и упрощения процесса я решил попробовать поработать с виртуальными моделями. Ниже на картинках представлены графики снятые на виртуальной модели транзистора 2Т630Б в среде EWB 5.12:






Характеристики снимались по такой схеме:




Изначально предполагалось использовать такой вариант схемы, что позволило бы с минимальными затратами времени вводить табличные данные для получения графиков, но картинка которую вы видете на экране осциллографа нечеткая, поэтому и табличные данные выводимые программой неудобочитаемые:



Если кто знает, как эту проблему со множеством линий на экране осциллографа сократить до одной или максимум двух, просьба сообщить. Так же существует проблема с радиоэлементами СССР для решения которой я и создал отдельную тему Симулятор схем EWB 5.12 - модели радиоэлементов. Программу с набором отечественных компонентов можно скачать здесь (EWB 5.12 + отеч. элементы).

[KT608B]

Удалось сегодня частично запустить усовершенствованную схему снятия параметров.



Осциллограф включен в режиме, когда две его развертки управляются напряжениями поступающими с датчиков - преобразователей тока и напряжения в результате на его экране возникает характеристика транзистора, в данном случае выходная. Устройство в виде микросхемы с дискетой, это запоминающий прибор который передает данные в текстовый файл.



Повторяющиеся данные я из него удалил в результате осталась информация по нескольким разным синусоидам. Я выделил одну произвольно. Затем я передал текстовые данные в программу Exсel, в ней есть специальный режим. Для этого надо на пустом листе выделить несколько столбцов, после этого в верхней части программы появится кнопка "данные - импорт внешних данных". И еще округлил числовые данные посредством открывающегося по правой кнопке мыши меню "формат ячеек".



Тому кто интересуется созданием графиков в Excel можно прочесть информацию по ссылке: http://vtit.kuzstu.ru/books/shelf/135/d ... _3.html#A1

[MIF]

Никакого короткого замыкания, как вы видите.

А не мешало бы ...

Спасибо! Всё это действительно интересно и при случае опробую что-то аналогичное на симуляторе, а пока буду посматривать в эту тему - очевидно что у меня куча пробелов в области представления работы полупроводников.

[KT608B]

Никакого короткого замыкания, как вы видите.

А не мешало бы ...

Спасибо! Всё это действительно интересно и при случае опробую что-то аналогичное на симуляторе, а пока буду посматривать в эту тему - очевидно что у меня куча пробелов в области представления работы полупроводников.

Транзистор - это электронное сопротивление в отличии от переменного резистора, который является механическим сопротивлением. От напряжения на базе зависит сопротивление "коллектор-эмиттер", а через это сопротивление уже будет протекать ток. Если сопротивление равно нулю, то это короткое замыкание.

[MIF]

Транзистор - это электронное сопротивление в отличии от переменного резистора, который является механическим сопротивлением. От напряжения на базе зависит сопротивление "коллектор-эмиттер", а через это сопротивление уже будет протекать ток. Если сопротивление равно нулю, то это короткое замыкание.

Не ну.. не настолько уж я не понимаю транзистор..
Меня тут больше заинтересовал (учитывая ваше подключение без ограничения тока коллектора) момент включения транзистора и я задумался.. какое напряжение колектор-эмитер может удерживать транзистор (не сгорая) и при каком базовом токе наступит пробой.

А по поводу вашего вопроса о плавающей характеристике..
Учитывая - "При нагреве транзистора кривые смещаются влево в область меньших напряжений.", может быть кристал нагревается и поэтому ведёт себя не стабильно? Это так.. предположение дилетанта.

[KT608B]

В предыдущих сообщениях я спрашивал, как работает эта (ниже показаная) часть схемы: не шунтирует ли транзистор VT2 резистор R1; для чего нужен резистор R2 ?... Ни кто не смог мне определенно ответить. Теперь я сам могу точно сказать, как функционирует этот кусок схемы.

Первое изображение


Для начала я разберу детально схему. Резистор R1 с транзистором VT1 образуют делитель напряжения, где транзистор выступает в роли регулируемого сопротивления. Резистор R2 защищает VT2 от чересчур низкого выходного сопротивления VT1 в следствии нарущений в работе схемы. Транзистор с резистором VT2 и R3 тоже делитель напряжения для следующих каскадов. Напомню, что схема работает в статическом режиме, т.е. в режиме когда в схеме действуют постоянные токи и отсутсвуют переменные. Поэтому для расчетов входных - выходных сопротивлений применяется формула не Rвх=dU/dI, где d-дельта, а формула Rвх=U/I.

Ниже приведена схема со значениями токов и напряжений. Транзистор VT2 закрыт, его входное сопротивление огромно.

Второе изображение


Здесь, на третьем фото, VT2 уже открыт. Сопротивление его около 3 кОм + R2 75 Ом и вносит малое шунтирующие действие в схему.

Третье изображение


Сейчас транзистор VT2 отключен. Как видите показания мало изменились. Небольшое напряжение на вольтметре "Б-Э" у VT2 = 38,5 мкВ обусловлено обратным током коллектора VT2.

Четвертое изображение


А вот так, транзистор VT1 "К-Э" закорочен и вы видите действие резистора R2.

Пятое изображение

[KT608B]

Выбором номинала резистора R1 задается линейность изменения напряжения. Вы прекрасно видите на этих графиках, как происходит изменение. При выборе номинала в 1,3 кОм резистора нагрузки VT1 напряжение изменяется плавно. Посмотрите сколько значений токов коллектора и базы для каждого предела напряжения. Ниже я специально провел нагрузочную прямую для Rн=40,6 Ом. Видите ее почти не видно и напряжения по ней регулируется не так плавно. Смотрите всего лишь изменение тока коллектора до 5 мА приводит к тому, что напряжение с 5 вольт на транзисторе падает до 0 в !

[KT608B]

Моделировщик схем вещь очень хорошая и при правильном использовании оказывается мощным оружием в борьбе с не веденьем и скептицизмом.
Свой моделировщик Electronics Workbench EWB 5.12 я никак не могу наладить. Мне нравится как он сделан, но некоторые вещи в нем отказываются подчинятся. К примеру у многих он выдает ошибку при проектировании схем, как сейчас выясняется сложных требующих больше памяти ОЗУ компьютера. Но как только я в программе увеличиваю память с 10 Мб до 100 или 500 Мб, то ошибка пропадает, но в программе сбиваются все установки анализатора.

Эта схема сейчас работает с ОЗУ 10 Мб.



А на этой я в настройках поменял память ОЗУ с 10 Мб на 100 Мб. Сравните значения токов на этом и предыдущем изображениях.



Произошло это по причине того, что сбились все параметры в настройке анализатора программы. Это происходит так каждый раз при изменении любого параметра.

Вот окно анализатора без изменений.



А вот с внесенными изменениями.



Обратите внимание, что сбой происходит только в тех ячейках, где запись числа имеет вид 1е-12 в переводе 0,0000000000012. Проблема еще в том, что записать в эти ячейки вид 1е-12 не получается, а вид 0,0000000000012 слишком громоздок и полностью не умещается.

[KT608B]

Это, учебное пособие "Казанского Университета им. А.Н. Туполева" под названием "Виртуальное проектирование электронных приборов и систем" в нем содержится исчерпывающая информация по EWB 5.12 с переводами на русский многих параметров программы.

Ссылка:
http://depositfiles.com/files/6ex149pdj
http://stream.ifolder.ru/12260532

[KT608B]

Кто-нибудь может подсказать, каким образом обратный ток эмиттера влияет на коэффициент усиления транзистора?


Наткнулся на интересовавшую меня информацию по составным транзисторам:

"Желание увеличить коэффициент усиления привело к появлению схем составных транзисторов, наиболее известной из которых является схема Дарлингтона (рис. 34,а). В ней эмиттерный ток первого транзистора служит базовым током второго, в результате общий коэффициент передачи тока равен произведению h21Э обоих транзисторов. Он может достигать нескольких тысяч. Составной транзистор включают точно так же, как и обычный, - его эмиттер, база и коллектор обозначены буквами на рисунке.

Недостаток схемы Дарлингтона в том, что пороговое напряжение открывания составляет уже не 0,6 В, как у обычного кремниевого транзистора, а вдвое больше - 1,2 В. Этот недостаток устранен в схеме составного транзистора, показанной на рис. 34,б. В ней используются транзисторы разной структуры, а для управления током второго транзистора (р-n-р) служит коллекторный ток первого. В остальном свойства этого транзистора такие же, как и у предыдущего."

Составные транзисторы


Ссылка: http://www.chipinfo.ru/literature/radio ... 43_44.html

[GP1]

Сдается мне - пора тему переносить в обучалку.

[KT608B]

Для чего используется включение конденсатора параллельно "К-Э" транзистора?

Схема 1


Схема 2


Схема 3

[Сэр Мурр]

Из разных соображений.
1.Например, уменьшить усиление высоких частот- они будут уходить в колекторную нагрузку, минуя сам транзистор.
2.Этот конденсатор может входить составной частью в выходной LC-контур.
3. Против самовозбуждения на ВЧ- см. п.1.
КТ608, благодарю Вас за упорство и последовательность при изучении теории. Очень хорошо, что Вы пользуетесь для этого симулятором. Буду ставить Вас в пример другим!

[KT608B]

Спасибо! Действительно, с симулятором намного удобнее. Но идея с его использованием не моя, меня на нее навели.

Только маленькая поправка к первому пункту: конденсатор будет выполнять роль, как в фильтре блока питания, т.е. будут сглаживаться пульсации ВЧ напряжения. Или можно сказать так: конденсатор будет заряжен первой волной напряжения и далее в зависимости от величины емкости будет разряжаться за какое-то время...
Но мне именно важно было услышать, что такое включение конденсатора препятствует самовозбуждению на ВЧ.

[KT608B]

На ниже показанных изображениях видно, как влияет конденсатор в цепи "коллектор-эммитер" на сигнал. Привожу осциллограмы.

На частоте 2 МГц конденсатор не влияет, т.к. период сигнала большой и заряд конденсатора происходит очень быстро и незаметен.


На частоте 30 МГц влияния тоже нет, но вот на 100 МГц уже есть, сигнал напоминает работу фильтра в БП "быстрый заряд и медленный разряд".


На частоте 300 МГц вы видите как упала амплитуда, это из-за того что конденсатор частично уже заряжен быстро изменяющимся сигналом и емкость его следовательно упала (возросло реактивное сопротивление). На более низких частотах конденсатор успевал разряжаться.


Осциллограма на частоте 1ГГц.


Тажа частота, но "открытый вход" осциллографа. Видно наличие постоянной составляющей.

[KT608B]

Амплитудно-частотная осциллограма. На красную линию не смотрите, это входная характеристика цепей.


Спектроанализ выходного сигнала на частоте 2 МГц. По изображению видно, что кроме основного сигнала ничего более нет - сигнал чист.


На частоте 100 МГц сигнал упал до 1.6 Вольта, появилась достаточно мощная вторая гармоника 200 МГц 0.5 Вольта.


На частоте 300 МГц сигнал стал еще меньше 0.7 Вольта и уровень гармоник также подрос. Вторая гармоника имеет амплитуду в 0.3 Вольта, почти половина величины основного сигнала. Гармоники растут в связи с искажением основного сигнала.



Представьте что такой генератор с искаженным сигналом используется в приборе для снятия параметров антенны "антенном анализаторе". Сигнал с генератора питает ВЧ-мост, к мосту подключается исследуемая антенна. Мост состоит из резисторов и детектирующих напряжение диодов.
В случае чистого сигнала на резисторах падает только это чистое напряжение. Но если появляется второе, третье... напряжение, то они так же упадут на резисторах, сложатся с первым, и продетектируются диодами в результате показания получатся неверными.
На выходе такого генератора лучше включать фильтр ФНЧ, который будет фильтровать рабочую низкую частоту, а высокую обрезать не допуская попадания гармоник на ВЧ-мост.