Один минус (впрочем, как и для хим. олова)- судя по книжкам, хим.никель получается пористый.vlad465 писал(а):Да, меня эта тема интересует
Его под золото наносят, да и контакты разъемов покрывают. Дорожки то все равно медные будут. Некритично скорее всего. Его 1-2 микрона всего.Но у никеля ниже электропроводность
Это принципиальный минус, потому что химолово тоже не работает судя по всему по причине пористости.tvmaster1975 писал(а):Один минус (впрочем, как и для хим. олова)- судя по книжкам, хим.никель получается пористый.vlad465 писал(а):Да, меня эта тема интересует
Судя по описаниям работать будет намного хуже, не пробовал.Ruzik писал(а):vlad465
Без добавки ОС-20 будет работать?
По химии у меня уже мешанина в голове, но кажется что читал что с гальваническим покрытием никелем (по крайней мере по стали) покрытие тоже пористое, и чтобы закрыть поры никель натирают маслом.tvmaster1975 писал(а):С гальваническим не пробовал.
Даже вредное. Особенно если маской потом покрывать.vlad465 писал(а):масло совсем лишнее
Одно полезное соображение: время (в наносекундах), за которое драйвер закачает заряд в затвор равно суммарному заряду затвора (в нанокулонах) деленному на ток драйвера (в амперах). Иными словами, это примерно та длительность фронта импульса, которую можно получить. Если сам транзистор переключается медленнее, чем полученное время, то именно он будет определять длительность фронта.-=Женек=- писал(а):evsi, на какую величину заряда затвора нужно ориентироваться?
Приблизительно для 100 кГц, для 600 кГц?
Кстати, у NXP есть весьма приятные полевики в очень удобном корпусе LFPAK (SOT-669). Помимо удобства (по сути он ложится на место SO-8, так же как и IR-овский PQFN5x6, но, при этом LFPAK выводной и паяется заметно проще и удобнее), эти корпуса позволяют получить хороший теплоотвод да и с большими токами проблем там не возникает. На вскидку (увы, я пока не настолько хорошо знаю номенклатуру NXP-шных полевиков) могу назвать PSMN3R3-40YS (по основным параметрам он очень близок к IRLR8743, с поправкой на то, что корпус реально может пропустить 100А) и PSMN2R6-40YS. Этот самую малость помедленнее, но у него в полтора раза меньше Rdson.-=Женек=- писал(а):Ну тогда наверное я поставлю по 2 транзистора в параллель. Можно одним драйвером рулить двумя затворами?
Ну, не то, чтобы намного. Как немного окисленная медь. Еще наносят серебряно-никелевый сплав. http://www.tech-e.ru/2001_3_12.php И тут про олово-никель http://www.tech-e.ru/2007_7_32.phpvlad465 писал(а):никель намного хуже паяется
Допилю прошивку - выложу полное описание. Времени свободного очень мало, поэтому не быстро всеled_fan писал(а):UPD: и да, далеко не один человек внимательно следит за твоими достижениями на ниве строения источника тока...
Блин. а ведь лрачик просто открывался. Ведь кулон это 1 Ампер в секунду.Одно полезное соображение: время (в наносекундах), за которое драйвер закачает заряд в затвор равно суммарному заряду затвора (в нанокулонах) деленному на ток драйвера (в амперах). Иными словами, это примерно та длительность фронта импульса, которую можно получить.
Мощность просто делится на количество параллельных транзисторов. Ну и проще посчитать сразу P=I^2*R.-=Женек=- писал(а):Вопрос - правильно ли я расчитываю мощность, рассеиваемую транзистором?
Делаю так: сопротивление 0.0016 Ом умножаю на 120 Ампер. Получаю падение напряжения на транзисторе в 0.192 вольт. Умножаю на те же 120 Ампер - получаю 23 Ватта. А учитывая параллельность и тот факт, что в полумосте 2 транзистора - получаем 5,76 Ватт.
Это все касается только потерь на сопротивлении канала. Там переключательные еще свой кусок вносят и немалый.Умножаем это на 0.2 (заполнение ШИМ) получаем 1,152 ватта.
Считаем с учетом доли этого импульса в ходе гальванизации - 1,152*0,05= 0,0576 мВт.
Резюмируем: 5% времени мы потребляем 0,0576 Вт и 95% времени 0,0144 Вт.
Я прав?
Не, не надо 50ма, лучше 2.5А (а лучше еще больше, ампера 4)-=Женек=- писал(а):берем транзистор http://www.irf.com/product-info/datashe ... 14mpbf.pdf
у него заряд затвора 29 nC. При 50 мА тока драйвера получаем частоту переключения в 1.7 МГц. Если работать на 100 кГц, то имеем соотношение импульса и его фронта 1 к 17.
Чем длиннее фронт, тем бОльшую часть времени транзистор проводит в промежуточном (полуоткрытом) состоянии. Там и ток уже изрядный и падение напряжения немалое, в итоге мощность получается большая, причем 2 раза на каждое переключение (передний и задний фронт) и, что хуже всего, это не зависит от скважности совсем.Точно так. Именно по этой причине нам пофиг емкость и то, что она сильно нелинейна, важен заряд и только он.-=Женек=- писал(а):А сам параметр - заряд затвора - смысл его ведь не в количестве энергии, которую может накопить затвор, а в том ее количестве, которое нужно вогнать, чтобы транзистор открылся.
А чем этот ток определяется? Драйвером? Он настраивается? А сам транзистор никак не ограничивает этот ток?Не, не надо 50ма, лучше 2.5А (а лучше еще больше, ампера 4)
Выходным сопротивлением драйвера и сопротивлением затвора (оно есть в даташите). Его не нужно настраивать, только использовать при расчете потерь.-=Женек=- писал(а):А чем этот ток определяется? Драйвером? Он настраивается? А сам транзистор никак не ограничивает этот ток?Не, не надо 50ма, лучше 2.5А (а лучше еще больше, ампера 4)
