Все о биполярном транзисторе.

[Соник]

У КТ315 наименьший h21Э = 20. Если при насыщении транзистора его h21Э падает в 10 раз, то выходит считать надо исходя из h21Э = 2?

[rustot]

У КТ315 наименьший h21Э = 20. Если при насыщении транзистора его h21Э падает в 10 раз, то выходит считать надо исходя из h21Э = 2?

типичным для кт315 считается 10, по крайней мере графики напряжения насыщения приводятся для Iб = 0.1Iк

[SmarTrunk]

Соник
Формально да, но это нестрогое правило. Обычно, как написал rustot, дают ток базы в 10 раз меньше планируемого максимального тока нагрузки. Для сильных токов нагрузки все чаще ставят MOSFET, у него нет тока затвора (только перезаряд емкости затвора при включении-выключении, ограничивают резистором).

[Соник]

Ну тогда я не понимаю почему в простейшем мультивибраторе по расчётам базовые резисторы R2, R3 получаются
I базы = I коллектора / h21э = 0,01 А/10 = 0,001 А
R базы = (U вх. макс - U паден. на транзисторе) / I базы = (5В - 0,7В)/0,001 А = 4300 Ом.

А на схеме он 27000 Ом!
http://www.radiokot.ru/start/analog/practice/04/03.png

Хотя я ставил по 1 МОм - всё работало

[Gudd-Head]

Хотя я ставил по 1 МОм - всё работало

10 мА — не насыщение.

[SmarTrunk]

Соник
Значит, транзисторы КТ315 были очень хорошие (с высоким H21э).
С МП39-МП42 такое бы не прокатило. Там приходилось брать базовый резистор в 10...30 раз больше коллекторного.

[Соник]

Ставил КТ315Г - UКЭ нас. 0,4 В; h21Э=50...350.
И всё же, как объяснить такой разброс в расчётах?

10 мА — не насыщение.

Чего?

[rustot]

Ну тогда я не понимаю почему в простейшем мультивибраторе по расчётам базовые резисторы R2, R3 получаются
I базы = I коллектора / h21э = 0,01 А/10 = 0,001 А
R базы = (U вх. макс - U паден. на транзисторе) / I базы = (5В - 0,7В)/0,001 А = 4300 Ом.

А на схеме он 27000 Ом!
http://www.radiokot.ru/start/analog/practice/04/03.png

Хотя я ставил по 1 МОм - всё работало

в мультивибраторе транзистор не обязан входить в насыщение, это не является непременным условием его работоспособности. насыщение полезно в ключевых схемах, тем что падение на транзисторе уменьшается и отсюда уменьшается рассеиваемая на нем мощность когда он постоянно открыт. а в том же мультивибраторе насыщение может быть и вредно, из насыщения транзистор выбирается небыстро

[Соник]

Обычно, как написал rustot, дают ток базы в 10 раз меньше планируемого максимального тока нагрузки.

Но у тех же КТ315 бывает коэфф. усилен. = 350. И существуют транзисторы с коэфф. усиления = 600. И 1000! Неужели во всех случаях берут расчётный всего 10? Сколько энергии транжирят в тепло...

а в том же мультивибраторе насыщение может быть и вредно, из насыщения транзистор выбирается небыстро

Получается тут транзистор работает не в ключевом а в усилительном режиме?

Допустим мне надо снизить частоту до 2 Гц. Для этого нужно увеличивать R2, R3. Но до какого порога их можно увеличивать? А то когда я поставил оба резистора 1 МОм мне показалось что светодиоды как то нестабильно начали вспыхивать (ярко вспыхивали на несколько миллисекунд, потом чуть пригасали и так светились пока не переключались).

[Gudd-Head]

Получается тут транзистор работает не в ключевом а в усилительном режиме?

В ключевом. Просто не в насыщении.

[SmarTrunk]

Но у тех же КТ315 бывает коэфф. усилен. = 350. И существуют транзисторы с коэфф. усиления = 600. И 1000! Неужели во всех случаях берут расчётный всего 10? Сколько энергии транжирят в тепло...

Конечно, если у транзистора КУ=1000, можно взять соотношение не 10, а 100, например. Но такое бывает у маломощных транзисторов, в основном, КТ3102, например. Но действительно это актуально для мощных ключей, при коммутации больших токов. А вот у мощных биполярных транзисторов большие КУ бывают нечасто. За исключением составных мощных транзисторов, КТ827 например (6000), но они плохи как ключевые, т.к в силу своей природы у них больше напряжение насыщения, и, значит, больше будут греться.

[Соник]

Блин, с этими транзисторами не разобраться. В справочниках пишут одно, считают по другому, паяют третье

За исключением составных мощных транзисторов, КТ827 например (6000), но они плохи как ключевые, т.к в силу своей природы у них больше напряжение насыщения, и, значит, больше будут греться.

А если взять тот же КТ3102 и мощный КТ805 или КТ837 (любой с коэфф. усилен. около 10) и рулить мощным через маломощный. Типа: на базе КТ3102 1мА, на базе мощного уже 1000 мА, на коллекторе мощного уже 10А?

[SmarTrunk]

Соник
Без проблем, так часто делали (а как иначе?). Но в твоем примере уже надо ставить три транзистора, т.к. 1000мА для КТ3102-многовато.

В наше время ставят ключ на MOSFETе. В некоторых силовых высоковольтных применениях - на IGBT-транзисторе.

http://ru.wikipedia.org/wiki/IGBT

[Соник]

Осталось разобраться с резисторами.

Допустим мне надо снизить частоту до 2 Гц. Для этого нужно увеличивать R2, R3. Но до какого порога их можно увеличивать? А то когда я поставил оба резистора 1 МОм мне показалось что светодиоды как то нестабильно начали вспыхивать (ярко вспыхивали на несколько миллисекунд, потом чуть пригасали и так светились пока не переключались).

[Соник]

Раз никто не знает - поеду дальше
Ежели например у меня много нагрузок, и каждая включена через транзистор - надо управлять всеми одновременно, то как тогда рассчитываются базовые резисторы?
Также:
I базы = I коллектора / h21э
R базы = (U вх. макс - U паден. на транзисторе) / I базы ?

[Gudd-Head]

Также?

При таком включении также.

[Соник]

Также?

При таком включении также.

А какое ещё может быть включение?

И там получается ток управления равен сумме всех базовых токов (по этой схеме, при условии что токи одинаковы = 3*Iб)?

[Gudd-Head]

А какое ещё может быть включение?

Один базовый резистор на все транзисторы, но это неправильно.

[Соник]

Ну а с индивидуальным базовым резистором на каждый транзистор все базовые токи суммируются?

[Gudd-Head]

Ну а с индивидуальным базовым резистором на каждый транзистор все базовые токи суммируются?

Где суммируются?