Мелкие вопросы по теории

oleg63m

[uquote="vovw",url="/forum/viewtopic.php?p=4095117#p4095117"]ЭТО НОВА я ТеоРИЯ чем больше налито в стакан тем больше возможностей усилительное устройство должно иметь запас мощности если рассматривать подачу напряжения. то этим запасом должен обладать тот источник кот орый его и создает. блок питания- трансформатор=== так же и транзистор он должен быть введен в параметры не только указанными напряжениями. но и достаточным их количеством .необходимым для его работы= как усилителя[/uquote]
https://zen.yandex.ru/media/id/5b935f60 ... 6942de3769

Реклама

lumped.net

oleg63m, это Вы на классный блог ссылку дали. Добавлю в закладки.
Hand-Maker, а в этот раздел симулятора я ещё не заглядывал. Посмотрим-ка...

Ого! Это ж для одного транзистора надо аж 8 зависимостей снять. Нашёл хорошую книгу (Bob Cordell - Designing Audio Power Amplifiers), там есть целая глава про то, как это делается. Вникаю...

Добавлено after 6 hours 24 minutes 55 seconds:
Ещё несколько PNP транзисторов в этот тред, если уважаемая публика не возражает.

8. BD140. По измерениям VAF~70, а в симуляторе снова 100.

Спойлер

9. КТ814А. Весьма унылые графики. VAF~30.

Спойлер

10. КТ816Г. Этот чуток пободрее, но VAF едва дотягивает до 20.

Спойлер

11. КТ818Г. VAF~30.

Спойлер

12. КТ837А. VAF~15.

Спойлер

13. КТ851Б. VAF~200 - ух ты!!!

Спойлер

Реклама

lumped.net

Я вас ещё не утомил со своими транзисторами? Тогда докину ещё один в копилку.

14. C9012 (2SC9012? KTC9012? SS9012?) VAF~35, в модели из LTSpice VAF=48. Ещё у этого транзистора в даташите есть графики выходных характеристик, которые, КМК, даже между собой не бьются. По этим графикам должно быть VAF>80.

Спойлер

В общем, множится моё непонимание. Читаю Боба Корделла, конкретно параграф про напряжение Эрли. Вот он там пишет, что измерять VAF надо по наклону выходной характеристики. Ну это и я так делаю (линейку прикладываю). А какие тут ещё могут быть способы?
Дальше он пишет, что обычно VAF>Vceo, или даже VAF>2*Vceo. Вот это как-то не подтверждается моими измерениями. Наверное, это только для NPN справедливо? Просто до них я ещё не добрался.
Самое интересное: на сайте у него есть файл с собственными моделями, которые он использовал в книге. Сравниваю я, значит, VAF для тех транзисторов, которые уже измерял сам:

2N4403 - 12 vs 50
2N5401 - 40 vs 196
BD140С - 70 vs 140
BC560С - 25 vs 162

И вижу, что у меня получаются в разы меньшие значения VAF. Насчёт BC560: такого транзистора у меня не было, но BC557 - из той же серии и должен быть похож. Но про BC560 написали здесь:

tolerably close to my BC560 measured value of 31.

Нутром чую, где-то тут злостное очковтирательство. У меня поддельные транзисторы (не исключено)? Или я чего неправильно измеряю?

El-Eng

lumped.net писал(а):Или я чего неправильно измеряю?

Естественно, неправильно. Нужно фиксировать не ток базы, а напряжение база-эмиттер. А вообще, напряжение Эрли проще найти, измерив дифференциальное сопротивление коллектор-эмиттер при каком-нибудь вменяемом токе коллектора и фиксированном напряжении база-эмиттер: Uy=Ic*rce. (Титце-Шенк)

Реклама

Express

Сумма двух частот 4кГц и 11кГц даст 1кГц.
4кГц - 250мкс
11кГц - 90мкс
1кГц - 1мс
Период увеличился в четыре раза по сравнению с 250мкс, в чём сокральный смысл?

Реклама

КРАМ

[uquote="Express",url="/forum/viewtopic.php?p=4096402#p4096402"]Сумма двух частот 4кГц и 11кГц даст 1кГц.
...в чём сокральный смысл?[/uquote]
Сумма двух частот даст сумму этих двух частот. Поэтому никаких других частот не будет как и сАкрального их смысла...

Реклама

vovw

новые утверждения что оос практически может все . так. что отрицание конструктивных особенностей например усилителя

Ярослав555

[uquote="КРАМ",url="/forum/viewtopic.php?p=4096454#p4096454"]Сумма двух частот даст сумму этих двух частот. Поэтому никаких других частот не будет как и сАкрального их смысла...

[/uquote]
Я бы вообще запретил применять понятие частоты и периода к несинусоидальным сигналам. А то вообще столько путаницы! Синусоиду характеризуем частотой/периодом, несинусоиду - стационарный/нестационарный сигнал, ну и спектром его описывать.

lumped.net

El-Eng писал(а):Нужно фиксировать не ток базы, а напряжение база-эмиттер.

Сдаётся мне, что это самый лучший способ обеспечить транзистору тепловой пробой. Коэффициент −2mV/K ведь никто не отменял. Тут и так графики вверх закручиваются из-за роста β от температуры. А с фиксированным Vbe получится вот такая загогулина:

Спойлер

И как тут напряжение Эрли определять?
Тем временем один источник систематической погрешности я нашёл. Блок питания давно не калибровался и занижал показания на 1.5 мА. Этим можно объяснить ошибку для маломощных транзисторов в 20%-30% - о таких расхождениях вообще не стоило бы речь вести. Но не в разы же, как для некоторых типов, измеренных выше.
Разобрался как перекалибровать блок и перемерил транзистор C9012. В результате VAF совпал с моделью из LTSpice.

Спойлер

Ярослав555, тогда синусоиду придётся отнести к несинусоидальным периодическим сигналам, так как она тоже раскладывается в линейчатый спектр.

Express, закусывайте. vovw, выдыхайте.

12943

Вот это уже ближе к правде - "напряжение Эрли" должно зависеть и от тока базы (коллектора) и от учитываемого диапазона напряжений.
Отдельные ветви ВАХ не должны сходиться в одной точке. Т.е. для реального транзистора напряжение Эрли в ряде случаев - недопустимое упрощение.
В отличие от практических ВАХ, симулятор даёт единственное напряжение - VAF, это напряжение Эрли

Добавлено after 6 minutes 21 second:
[uquote="Ярослав555",url="/forum/viewtopic.php?p=4096583#p4096583"]Я бы вообще запретил применять понятие частоты и периода к несинусоидальным сигналам. Синусоиду характеризуем частотой/периодом, несинусоиду - стационарный/нестационарный сигнал, ну и спектром его описывать.[/uquote]
К чему этот радикализм?
Взять последовательность прямоугольных импульсов - на фуя мне их спектр, если интересует именно частота повторения и, реже, скважность?

Добавлено after 52 minutes 53 seconds:
[uquote="lumped.net",url="/forum/viewtopic.php?p=4096812#p4096812"]Ярослав555, тогда синусоиду придётся отнести к несинусоидальным периодическим сигналам, так как она тоже раскладывается в линейчатый спектр.

.[/uquote]
Вот в такой спектр она раскладывается, в другой раскладывать не надо:

lumped.net

12943 писал(а):Отдельные ветви ВАХ не должны сходиться в одной точке.

Да и пускай не сходятся, пёс с ними. Я на это по-крестьянски смотрю: раз симулятор требует VAF - значит мне надо его измерить хотя бы приблизительно. Но не плюс-минус километр. Иначе нафига вообще заморачиваться, модели с параметрами от балды в симуляторе и так уже есть.
Боб Корделл предлагает измерять по такой схеме:

У меня такая же, только вместо базового резистора настоящий источник тока на ОУ. Это правильно или нет?

12943 писал(а):Вот в такой спектр она раскладывается

Обождите, а где вторая палка в области отрицательных угловых частот?

КРАМ

[uquote="lumped.net",url="/forum/viewtopic.php?p=4096862#p4096862"]где вторая палка[/uquote]
Под спектром в любительском обиходе чаще всего понимают МОДУЛЬ спектра.

lumped.net

Ааа, точно, туплю

Это я спектральную плотность написал, а нужно было тригонометрический ряд Фурье.

12943

[uquote="lumped.net",url="/forum/viewtopic.php?p=4096862#p4096862"]раз симулятор требует VAF - значит мне надо его измерить хотя бы приблизительно.[/uquote]
Какое измерение считать правильным? Варианты: 40, 70, очень много на картинку не поместилось.

Добавлено after 23 minutes 41 second:
[uquote="КРАМ",url="/forum/viewtopic.php?p=4096868#p4096868"]Под спектром в любительском обиходе чаще всего понимают МОДУЛЬ спектра.[/uquote]
Интересно бы взглянуть на профессиональный анализатор спектра с отрицательными значениями частоты.

El-Eng

12943 писал(а):Какое измерение считать правильным?

То, при котором в процессе измерения минимально менялась температура кристалла. При типовом для ТО-92 тепловом сопротивлении кристалл-окружающая среда 200°/Вт при мощности на коллекторе в 15 мВт (Uк=1В, Iк=15мА) перегрев будет 3°, а при мощности 500 мВт (Uк=20В, Iк=25мА) - 100°. Отсюда и возникает разброс полученного напряжения Эрли. Титце-Шенк правильно рекомендуют находить это напряжение измерением выходного дифференциального сопротивления при определенном токе коллектора и умножением полученной величины на этот ток.

12943

Вы бы прежде чем писать, посмотрели на картинку.
На одной-единственной кривой хорошо видны участки с разным диф. сопротивлением.

lumped.net

Ага, сейчас дам пояснения. Значит, на нижние графики вообще внимания не обращаю. У блока питания (систематическая) погрешность установки тока 1мА даже после перекалибровки. Может, надо давать подольше прогреться или ещё в чём дело. Пока не знаю, я это только вчера обнаружил. Но это только для маломощных транзисторов существенно, а в мощных ток коллектора можно побольше поддать.
Верхние графики обрываются не достигая правого края - это установлено ограничение по рассеиваемой мощности. Ну и вверх они загибаются из-за нагрева, так что на них тоже внимания не обращаю, либо смотрю только на начальный участок.
Короче, беру только центральные графики (которые самые прямые) и прикладываю линейку. Итого VAF=40-60. Точнее некуда

El-Eng, это всё правильно Вы пишете, но я тут пытаюсь подручными средствами хоть что-то измерить (желательно ещё и нахаляву

).

Добавлено after 11 minutes 14 seconds:
А, ещё существенный момент насчёт рассеиваемой мощности. Когда снимаю характеристики, то для установленного Vce=const варьирую Ib. Так эффект от нагрева должен меньше проявляться, чем если бы делал наоборот.

12943

[uquote="lumped.net",url="/forum/viewtopic.php?p=4096919#p4096919"]Ага, сейчас дам пояснения. Значит, на нижние графики вообще внимания не обращаю. У блока питания (систематическая) погрешность установки тока 1мА даже после перекалибровки.[/uquote]
Точность установки тока базы мало интересна, главное - стабильность.
Как раз нижние графики наиболее важны, а они с перегибом не как от нагрева, а наоборот.
Самое главное в этих измерениях - практическая применимость.
В каких случаях от модели требуется соответствие реальному транзистору по VAF?
Только в усилительном режиме, с большим изменением напряжения на коллекторе и тока коллектора, без или с малой глубиной ООС,
для моделирования нелинейности в таком режиме. Много таких задач?
Поэтому и плюют на VAF и ряд других параметров и при этом получают отличное соответствие железной схеме.

lumped.net

Пардон, не совсем правильно написал. Имел в виду точность измерения тока коллектора, но она же - точность установки тока в режиме КЗ блока питания. Ток базы как раз с хорошей точностью устанавливается. Там ОУ, опорник, шунт, все дела.

12943 писал(а):Много таких задач?

Вот у меня появилась. Ну и просто интересно иметь возможность отбраковывать явно фуфлыжные spice-модели.

12943

Какая, если не секрет?