Читать - читаю а сути уловить не могу. Расскажите пожалуйста, на примере чего нибудь простого, например, К565РУ5, как это работает.
Как записать, и как прочитать бит. как выполнить регенерацию. Просто последовательность действий со входами микросхемы. Почему только 8 адресных входов для 64 кбит памяти (что невозможно).

Ну вот паки и паки вы не утруждаете себя изучением , ведь проще спросить на форуме ..


Потому что мультиплексирование, сначала защёлкивается половина по спаду RAS , потом ещё половина по спаду CAS .


Записать : после защёлкивания адреса то, что на DI при активном W записывается.
Прочитать : после защёлкивания адреса то, что запомнено в ячейке, выдаётся на DO .

Просто выполнить чтение любой ячейки строки - и проделать это для всех строк .
Бывают ещё и.м.с. , где есть доп. режимы для регенерации.

Спасибо.
Да, признаться, я решил схалявить. Извините.
Довольно хлопотная микросхема. Но интересная.
Вопрос про регенерацию. То есть, при регенерации мне надо перебирать адреса только строк. При этом как - осуществляется полный цикл обращения к микрухе на чтение, т.е выставили байт, сначала RAS вниз, потом CAS. Или во время регенерации стробится только один RAS?

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Действительно, решили схалявить.
Для изучения достаточно скачать пару-тройку даташитов, и там будет всё, включая временные диаграммы работы. Что может быть лучше временных диаграмм?
Вот, как пример http://www.minuszerodegrees.net/memory/ ... _2164A.pdf
Вот ещё вариант https://www.jameco.com/Jameco/Products/ ... IEMENS.pdf
и ещё https://www.silicon-ark.co.uk/datasheet ... uments.pdf
А ведь это далеко не всё... Собственно, алгоритм работы DRAM везде одинаковый, различаются только мелкие детали, типа кому-то RAS перед CAS надо обязательно опускать, кому-то пофиг, кому 128 циклов на регенерацию, кому-то 256 (зависит от внутренней организации), ну и т.д.

Вот ещё почитать http://www.geoff.org.uk/microtan/files/ ... roject.pdf (другой скан этого же http://www.microtan.ukpc.net/64KDRAM.pdf )

Наверное самый трудный момент озвучу. Суть регенерации - восстановить заряд на затворе запоминающего транзистора. Для этого его достаточно просто прочитать (остальное делается внутри схемотехнически). А вот ту фишка. дело в том, что выставление RAS - это уже процедура чтения, но читаются сразу все ячейки. Выставление CAS - это другой процесс - это выдача одной ячейки из всей строки прочитанных на выход. Это всё организуется внутренним мультиплексором, прочитанное по RAS подаётся на его входы (их много) CAS задаёт адрес входа. Так вот, поскольку RAS уже читает, то регенерацию можно сделать, просто перебрав все адреса RAS и не трогая при этом CAS? что здорово экономит время.
А есть ещё режим скрытой регенерации, режим чтения бурстами

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.

Подробнее>>