Всё верно так и есть. Об этом я и писал.

Это с точки зрения программиста считается за одну операцию, а сточки зрения физического износа полупроводника, это две операции (внесение заряда – это одна операция (происходит износ) и удаление заряда – это вторая операция (происходит износ)). И я об этом тоже писал… нет у меня желания ничего кому-то доносить… считаете себя правым – флаг в руки… я не настаиваю.

Это 2 цикла. Перечитайте внимательнее что я писал.

Добавлено after 6 minutes 8 seconds:
Здесь:
https://radiokot.ru/forum/viewtopic.php ... 5#p3887605
я уже предлагал именно такой способ. Кстати - неоднократно предлагал.

Добавлено after 9 minutes 10 seconds:
Итак - диванные теоретики начали выкручиваться.
Внимание вопрос:
Исходное состояние байта памяти == 0xFF (все биты стёрты). На сколько циклов "запись/стирание" уменьшится ресурс любой ячейки (бита) этого байта?, если её содержимое будет изменяться в следующем порядке:
0xFF
0xFE
0xFC
0xF8
0xF0
0xE0
0xC0
0x80
0x00
0xFF
Так - на сколько?

По утверждению недоучек (https://radiokot.ru/forum/viewtopic.php ... 3#p3887233) при данных действиях получается один износ, а реально по 2 износа на каждую ячейку (бит).

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

я рискну добавить "в лучшем случае минимум 2 и в лучшем случае только эти ячейки", поскольку конкретная модель E2PROM не указана, а контроллеры у них внутре бывают довольно-таки разные.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.

Подробнее>>

насколько я помню, производитель считает циклы "стирание-запись" т.е. один такой цикл подразумевает 2 изменения состояния ячейки...
и ещё, (тут я не уверен, возможно с УФ ПЗУ путаю) что процесс стирания ячейки расходует её ресурс даже если она итак стёрта...

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

Так и есть. Я выше ссылку приводил на документ производителя.


А вот это вряд ли. На физическом уровне ведь ничего происходить не будет. Ну во всяком случае с простенькими EEPROM, где нет умной логики, которая какую-нибудь регенерацию иногда будет делать.

Добавлено after 3 minutes 4 seconds:

Износ один будет, хоть и 2 смены состояния. Производитель измеряет 1 износ как 2 смены состояния. Именно в цикле стирание-запись (т.е. 2 смены состояния) Microchip выражает ресурс своих EEPROM. То, что там происходит на физическом уровне к вопросу не относится. Главное то, в чем измеряет (и гарантирует) ресурс производитель.

у микрочипа даже программка есть.
https://www.microchip.com/developmentto ... ceSoftware
на физическом уровне износов два (у некоторых и более) и говорилось о нём.
мне кажется, требуется определения терминологии и вообще области спора, потому что один про одно, другой про другое. Производителей много, кто там как измеряет... Тот же микрочип в рассказах про что есть цикл стирание-запись и как он износит еепром пишет, что обычно миллион циклов. Берем даташиты на дешёвые-популярные - и где ж там миллион? Гарантируется вдруг на порядок меньше. Наверное, на всякий случай

Садись. Два.
Учи матчасть, диванный теоретик!

Добавлено after 12 minutes 54 seconds:
Верный ответ!

Добавлено after 25 minutes 58 seconds:
Это ведь легко проверить внутри чипа - нужно стирание ячейки или нет. Поэтому - какой смысл преднамеренно ухудшать характеристики чипа (уменьшать ресурс когда не нужно), если этого легко избежать? Чтобы получить чип хуже по-характеристикам, чем у конкурентов и проиграть в конкурентной борьбе? Это было бы странно если бы производители чипов такого не учли.

ну да. забабахать туда мк, чтоб легко всё проверял. усложнить, удорожить и проиграть в конкурентной борьбе. вообще странно, что никто ничего не предусматривает сразу (например, не встраивает светодиодик в мк, это ведь легко) и проигрывает в конкурентной борьбе. еще можно в еепром счётчик циклов вставить, это тоже легко, но что-то не встраивают и опять проигрывают в конкурентной борьбе.

обычно электрод стирания накрывает не одну ячейку, а от байта до всей памяти... да и выяснять (делать на каждую ячейку схему определения необходимости стирания неоправданно дорого)
ещё больше ресурс снижает применение технологий TLC и MLC, но от них почему-то не отказываются...

Кроме уже приведённой уважаемым NStorm ссылки на мануал Микрочипа, можно привести ещё мануал от Renesas:
"RL78/G13 User’s Manual"
https://www.renesas.com/us/en/doc/produ ... 73201cf1f2
где сказано:
а позже расшифровано что такое "rewrites":
Обратите внимание, что говорится именно о: "1 erase + 1 write after the erase is regarded as 1 rewrite."
Это то, что другие вендоры называют "1 W/E cycle".

Также можно почитать данный пост, где обсуждали аналогичный алгоритм множественной записи в одну страницу флешь:
https://devzone.nordicsemi.com/f/nordic ... -confusion
И где тоже подтверждается, что ресурс флеши считается по количеству стираний.

Также в даташите на "Tiva TM4C129DNCPDT" от TI на стр.620 "Internal Memory\EEPROM\Endurance" можно прочитать следующее:
Endurance is per meta-block which is 8 blocks. Endurance is measured in two ways:
1. To the application, it is the number of writes that can be performed.
2. To the microcontroller, it is the number of erases that can be performed on the meta-block.
Т.е. - для МК один из путей вычисления Endurance - подсчёт числа стираний. Только стираний!

Также можно в гугле набрать "what is cycle erase/write for flash" и найти много полезной инфы.

PS: Т.е. - пока что везде где удаётся в мануалах найти более-менее понятное толкование, что такое - "endurance" для flash, везде имеется в виду именно, что 1цикл это = запись+стирание.
PPS: Диванным теоретикам - на домашнее изучение. Читать и вникать до просветления.

Добавлено after 2 minutes 56 seconds:
Не надо валить с больной головы на здоровую! Для проверки необходимости стирания ячейки (перевода бита в лог."1") нужно всего один элемент "И".
Разницу между МК и элементом "И" улавливаете?
Или для "погромиста" нет разницы?

Добавлено after 3 minutes 14 seconds:
Ну ОК - может и так. Но это не мешает программно определять необходимость стирания и выполнять его только когда нужно.

Не просто улавливаю, а могу даже представить, что за куча бесполезной хрени на кристалле будет. Даже светодиодик в мк и то лучше. И конкурентноспособней в борьбе

ячейка памяти — это один транзистор... а сколько транзисторов в элементе "И"? во сколько раз усложнится схема? и станет ли конкурентноспособной память, которая получится много дороже, да ещё и изнашивается даже внутри байта неравномерно и практически непредсказуемо?

В многовходовом "И" транзисторов столько же сколько в 2-входовом, а входов может быть очееееееееееееееень много. И такие "И" можно ещё и каскадировать. Для получения по одному входу от каждого бита всей стираемой страницы.

Она и так будет неравномерно изнашиваться если в каких-то битах ==0, а в каких-то ==1.

так... т.е. вы считаете что стирание "1" не изнашивает ячейку? тогда пропадает последний смысл обходить её при стирании и, тем более что-то для этого городить...

Смысл имеет, так как кроме износа это может приводить к увеличению скорости стирания или уменьшению потребляемого тока. Хотя это всё уже - гадание на кофейной гуще, никто (кроме вендора) не знает как оно там внутри у конкретного чипа устроено, и нет смысла рассуждать об этом.
Для нас (юзеров) главное - построить алгоритм хранения так, чтобы уменьшить число циклов износа.

А вот вопрос.
Есть Ардуино Мега 2560 и настоящее статическое ОЗУ типа UT62256CPCL-70 или аналогичное.
Можно пристыковать такое ОЗУ к Ардуине? Как сделать внешнюю 14-разрядную адресацию?

Пристыковать можно, если ног хватит. 14 ног на шину адреса, 8 ног на шину данных (вход/выход), 3 ноги на управляющие сигналы, итого 25 ног. Они могут использоваться для других функций, если чип памяти не выбран сигналом на CE.
Только смысл такого действа? Это не еепромка, это просто SRAM на 32 КБ. Причём, зная ардуино-подход, будет очень медленная работа.

Да можно eeprom W27C512 поставить. Вопрос был о принципиальной возможности. При шинной организации устройства данные ведь можно не только в Ардуину и из Ардуины передавать, а можно Ардуиной Мега управлять адресацией, а данные из sram или eeprom передавать и в другие устройства.

Да, конечно можно. По этому принципу были построены древние параллельные шины 6800