Доброго времени суток! Ранее для записи переменной по конкретному адресу во Flash при компиляции использовал такую конструкцию:
MyVariable[] __attribute__((at(0x08002000)))={0, 4, 3, 55, 32};
Вопрос, можно ли с использованием подобной директивы записать массив данных/переменную в область EEPROM при компиляции?

При компиляции ничего в микроконтроллер не пишется.

А еще прочитайте http://www.keil.com/support/man/docs/ar ... 981140.htm, а то создается впечатление, что MyVariable[] __attribute__((at(0x08002000)))={0, 4, 3, 55, 32}; - это просто от балды.

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

В STM32 нет как таковой EEPROM, это просто выделенная область FLASH. Так что может быть и да.

Надо посмотреть, как указаны границы FLASH в файле линкера. Если область EEPROM туда входит, то должно получиться. Можно попробовать завести отдельный сегмент для EEPROM и располагать переменные там. Главное чтобы линкер положил данные куда надо, и софт для программирования это правильно понял.

Но я бы просто из программы записывал при первом старте, тем более, что механизм возврата к настройкам по-умолчанию всегда полезен.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.

Подробнее>>

Вообще-то в серии L есть именно EEPROM.

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

EEPROM конечно же есть в L-серии. Но я посмотрел на размер секторов FLASH, они довольно мелкие, выделил пару для хранения данных и забил на EEPROM.



То, что вы не пробовали так делать, не значит, что эта конструкция не работает.

Ну, они просто так пишут.

Эта так называемая EEPROM расположена непосредственно за FLASH, управляется тем же контроллером и стирать ее можно не менее чем по слову за раз (ну хорошо хоть не по 4 кБ). Один байт стереть и перезаписать нельзя, что явно говорит о том, что это не настоящая EEPROM.

Есть у меня подозрения, что из этой так называемой EERPOM и код запустить можно.

Вы сделали странный и глупый вывод.

Значит память 32-ух битная (неудивительно учитывая разрядность ядра).

Это ни о чем не говорит.
Память 32-ух битная, а не 8-ми битная.

При компиляции разумеется ничего в МК не пишется. Пишется при загрузке. Но! Есть такая гадость, что EEPROM после сброса залочена и в нее нельзя писать сразу. Да, не эмуляция, а самая настоящая EEPROM есть в некоторых из "элек". Она сделана на той же флеши, но с отдельными адресами и с большим гарантированным числом перезаписей. Ее можно писать без стирания, хоть побайтно, хоть пословно, без разницы. Она работает именно как EEPROM.
Чтобы при прошивке записать в EEPROM, придется в скрипте дебагера предварительно разблокировать запись двумя командами:
set *0x40023c0c = 0x89ABCDEF
set *0x40023c0c = 0x02030405

Если она сделана на той же флеши, то она такая же. У нее не может быть иная физика.
Подобная гадость с блокировкой не является свойством мк, а лишь кривого инструментария.

Почему? В референс-мануале четко и однозначно написано:
Unlocking the Data EEPROM block and the FLASH_PECR register
After reset, Data EEPROM block and the Program/erase control register (FLASH_PECR) are not accessible in write mode and the PELOCK bit in FLASH_PECR is set. The same unlocking sequence unprotects them both at the same time.
The following sequence is used to unlock the Data EEPROM block and FLASH_PECR register:
• Write PEKEY1= 0x89ABCDEF to the Program/erase key register (FLASH_PEKEYR)
• Write PEKEY2= 0x02030405 to the Program/erase key register (FLASH_PEKEYR)

И "физика" там немного другая. Можно писать даже побайтно без стирания. Да и гарантированное число перезаписей указано в 300 тыс. против 10 тыс у программного флеша. То есть, в принципе, очень даже годная штука для энергонезависимого хранения настроек и прочего изменяемого контента.

Тут дело немного в другом. Чтобы записать данные в EEPROM вместе с прошивкой программной памяти, нужно писать скрипт для External Loader. Я пока что еще не разбирался с этим, а готовых скриптов вроде как нету. Ограничился пока что тем, что прописал в стартап-скрипте строчки, указанные в предыдущем посте. Писать их нужно до команды load. Работает кривовато, но грузит нормально.

Не факт. Может компиляция происходит на этом же самом МК?