Заинтересовал вопрос о времени входа в прерывание (увеличении этого времени) в условии максимально напряженной работы DMA (STM32F103). Хочу устроить преобразование последовательного интерфейса в параллельные слова на GPIO. Скорость GPIO предполагается 400 КГц. Интересно, какой получиться фазовый дребезг параллельного вывода по таймеру. Поскольку GPIO не снабжено DMA вывод будет по таймеру. Если кто измерял фазовый дребезг в таком случае прошу меня посвятить?

Если загружать сразу словом, то дребезга не будет.
Зачем нужен вывод по таймеру, если все равно нужно дождаться конца слова с последовательного входа? Слово пришло, целиком загрузили и готово.

Потому, что нужно получить буферизацию для нивелирования ошибок последовательного интерфейса, иначе клок будет определятся свойствами последовательного интерфейса, что крайне не желательно, поскольку я хочу менять частоту вывода. Я хочу на практике показать влияние клока отладки SWD интерфейса на фазовый дребезг в таком случае. То-есть доказать, что CLK SWD "вращает" приоритеты DMA. Таким образом подтвердить свое теоретическое предсказание. Изменяя частоту CLK SWD посмотреть эффект.

P.S. Вот еще вопрос, работая в CCS с процессором TMS320F280xx привычно оформление так называемых RAM функций, Как обстоят дела с этим в STM32CubeIDE? Я не спрашиваю о принципиальной возможности, а о ассистентах этого дела.

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Я писал модули, которые загружаются и исполняются в ОЗУ МК. Но я давно работаю полностью без кубика, используя его только при распределении ресурсов и настройки коэффициентов тактового дерева.

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>

GPIO, в частности ODR может быть указан в качестве регистра назначения у DMA. Передача DMA активируется в этом случае по любому событию любого таймера. "Фазовый дребезг" (джиттер, если в общепринятой терминологии) в этом случае определяется загруженностью памяти, DMA-каналов и приоритетами. Если есть две и более различных областей SRAM (SRAM1, SRAM2), то целесообразно буфер вывода поместить в отдельную малоиспользуемую область. Так же, если есть два DMA контроллера, целесообразно использовать малозагруженный DMA.

Тактирование SWD тут вообще не при делах, тактирование SWD - это как I2C в режиме слейва. По запросу от мастера по SWD из буфера забираются данные, и всего делов то. Топикстартер несколько неверно информирован, и ему рекомендуется почитать про подсистему отладки - https://developer.arm.com/documentation/ddi0337/e/. Она никак не вмешивается в системные приоритеты, и уж точно никак их не "вращает".

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>