Не глядя в даташиты: не знаю. Может быть, транзистор был взят с огромным запасом, а замена будет с большим запасом. Может быть какой-то из параметров критичен, а может быть, на него можно не обращать внимания.
_________________ Нет ничего практичнее хорошей теории
Заголовок сообщения: Re: Биполярные и полевые транзисторы
Добавлено: Вс фев 09, 2020 14:10:23
Друг Кота
Карма: 67
Рейтинг сообщений: 1012
Зарегистрирован: Чт сен 18, 2008 12:27:21 Сообщений: 18810 Откуда: Столица Мира Санкт-Петербург
Рейтинг сообщения:0 Медали: 1
Другими словами, есть нюансы в зависимости от схемы, в которой он будет использоваться.
_________________ [ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ] Измерить нннада?
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
Здравствуйте! Я планирую использовать биполярный транзистор в режиме ключа по схеме с форсирующим конденсатором, который подсоединяется параллельно базовому резистору. Схема довольно известная - думаю, не нужно в деталях описывать принцип ее работы. Суть в том, что конденсатор должен значительно сокращать время открывания и запирания транзистора. Кто скажет: если на базу транзистора в этой схеме подать идеальный прямоугольный импульс, то можно ли в коллекторной цепи получить такой же вертикальный фронт импульса?
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
Нет вообще ничего, что бы происходило за промежуток времени, равный 0! Даже напряжение в прямоугольном импульсе. Кто-нибудь, может, проверял такой ключ? Чисто визуально форма входного сигнала отличается от сигнала на коллекторе? У меня нет осциллографа.
"Чисто визуально" - это не конкретно. Сколько в вольтах, миллиамперах, микросекундах, омах, нанофарадах и всём остальном? Нет осциллографа - можно по формулам калькулятором или тупо симулятором.
_________________ Нет ничего практичнее хорошей теории
Поивет всем! Не знаю теория или практика... Дайте ссылку где посмотреть.. в даташитах по полевикам всегда указано время он/офф , А мне надо понять какая это частота.. Есть формула 1/он+офф , но в каких единицах частоты получатся результат не знаю.. Вот возьмем конкретный транзистор AUIRF2804S-7P: https://chipdip.ru/product/auirf2804s-7p Какая у него граничная частота?
_________________ Кто стремится - тот добьется, кто ищет - тот найдет, ибо выход всегда есть, напролом или в обход!
Есть формула 1/он+офф , но в каких единицах частоты получатся результат не знаю..
Если подставлять время в секундах, то результат в герцах; если в наносекундах — то в гигагерцах.
_________________ [ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ] Измерить нннада?
Как по выходной ВАХ узнать параметры полевого транзистора? Здравствуйте! Я получил 2 выходные ВАХ полевого транзистора при Uзи = 5 В и при Uзи = 4.5 В. Мне нужно рассчитать -внутреннее сопротивление Ri=dUси/dIc при Uси=10В. - крутизну S=dIc/dUзи при Uси=10В - статический коэфициент усиления µ= dUси/dUзи при dIc=const. Но при Ucи примерно от 2 В до 30 В ток Ic не меняется, и dIc = 0. Как тогда рассчитать внутреннее сопротивление? Может ли оно стремится к бесконечности?
Крутизну рассчитал так: в точке где Uси = 10 В и Uзи = 4.5 В, Ic = 1,6 A в точке где Uси = 10 В и Uзи = 5 В, Ic = 3 A S = (3 - 1,6) / (5 - 4,5) = 1,4 / 0,5 = 2,8 A / B. Правильное ли решение?
Также не понимаю как рассчитать статический коэффициент усиления. Я знаю что его можно рассчитать по формуле µ = Ri * S. Но в данном случае его нужно рассчитать по формуле статический коэфициент усиления µ= dUси/dUзи при dIc=const. Непонятно что означает dIc = const. Это означает разность значений Ic между двумя графиками, когда Uзи разные или для одного графика и Uзи = const?
Именно это оно и делает. Небольшим внутренним сопротивлением обладают ламповые триоды - порядка сотен ом - единиц килоом. Биполярные транзисторы и пентоды уже имеют внутреннее сопротивление порядка сотен килоом (гуглить напряжение Эрли), поэтому обычно это сопротивление в схемах не учитывают. Коллектор биполярного транзистора просто представляют идеальным источником тока. Полевые транзисторы занимают промежуточное положение с внутренним сопротивлением в десятки килоом. В зависимости от схемы, сопротивление такой величины иногда приходится брать в расчет. То есть резистор ro включается или параллельно источнику тока в стоке транзистора, или последовательно с источником напряжения в стоке транзистора (в зависимости от используемой схемы замещения).
Речь совсем не об этом. Он ВАХ строит в симуляторе, модель мосфета фуфлыжная - внутреннее сопротивление бесконечное, а надо по графику измерить внутреннее сопротивление.
Есть две игрушки. TX118SA-4 и RCWL-0516 На ногу передатчика TX118SA-4 нужно подать корпус, а на выходе RCWL-0516 сигнал 3,3в. Нужно инвертировать сигнал. Я понимаю что можно поставить КТ315, коллектором на ногу передатчика, эмиттер на корпус, а в базу через пяток кОм, сигнал с RCWL-0516. Но я не знаю на сколько это надежная схема. Не будет ли ложных срабатываний. Это важно. Может что нибудь надежнее можно слепить. Может полевики лучше?
в чём измеряется твоя надёжность, понять трудно....сигнал на базу можно даже поделить (к Б-Э добавить резистор 2К2 и керамический конденсатор 10 нФ).....4 детали в общем случае надёжнее микросхем (там деталей больше)...
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 18
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения