схемы надо рисовать, а не рассказывать про них....))))
кроме того, желательно знать, что будет висеть в коллекторе КТ315 и какое там питание.....

Мне эта мысль ужасно нравится!
В коллекторе будет висеть нога передатчика TX118SA-4, который питается от напряжения 4в. Что там у него внутри и какой ток он будет кушать, я знать не знаю

так можно подсоединить мультиметр на измерение тока и узнать.....))))...также можно измерить и напряжение на этом входе управления...

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Ну конечно можно. Только я не знаю, что мне это даст

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>

если намеряете 200 мА, то будете знать, что КТ315 сгорит...))))

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

Опишу все подробно, с картинками. Датчик RCWL, должен нажать кнопку на передатчике ТХ118. Напряжение на кнопке передатчика 3,1в, при нажатии ток через кнопку 0,3мА. Подключал эти модули, через инвертор на 1 транзисторе, но иногда он зависает. Т.е. сигнал движения исчезает, а кнопка передатчика остается нажатой. Как это можно побороть? Вот схемы модулей и использованного инвертора
P.S. Прикрутил cd4066. Пока все нормально работает

Столкнулся с интересным фактом - транзисторы IRFP250 в полумостовом преобразователе. Что-то весело коротнуло, аж у транзисторов отгорели ноги от платы - только обрубки торчат.... но парадоксЪ - транзисторы живые, только отличаются от новых наличием некоторого обратного тока С-И (пока не измерял - но субъективно миллиамперы) при этом завор цел и транзистор работает. Только ток небольшой при нуде на затворе течет. Вот как так вышло. Дуга была мощная, прогорел кусок платы, кусок радиатора и оплавило элементы корпуса.

Побольше паузу сделать между отпиранием и запиранием транзисторов(если драйверов нормальных нет).
VT1 начинает закрываться, а VT2 начинает открываться, в итоге в какой то момент оба транзистора открыты и происходит КЗ.

Добавлено after 1 hour 9 minutes 35 seconds:

может нужен Гистерезис?
https://samelectrik.ru/chto-takoe-drebe ... ranit.html https://www.asutpp.ru/drebezg-kontaktov.html
Некоторые не парятся с гистерезисом, а просто конденсатор параллельно кнопке ставят http://www.bizkit.ru/2019/03/26/13145/
Тогда ёмкость конденсатора подбирать надо.

Доброго времени суток, друзья. Прошу помочь с пониманием одного момента в транзисторе. Итак. Имеем рисунок с учебника и описание:



"Здесь показано, как к транзистору структуры n-p-n подключен источник питания, причем именно в такой полярности, как он подключается в реальных устройствах к настоящим транзисторам. Но, если присмотреться повнимательней, то получается, что через два p-n перехода, через два потенциальных барьера ток не пройдет: как ни меняй полярность напряжения один из переходов обязательно оказывается в запертом, непроводящем, состоянии. Так что уж оставим пока все, как показано на рисунке и посмотрим, что же там происходит.

Неуправляемый ток

При включении источника тока, как показано на рисунке, переход эмиттер – база (n-p) находится в открытом состоянии и легко пропустит электроны в направлении слева – направо. После чего электроны столкнутся с закрытым переходом база эмиттер (p-n), который остановит это движение, дорога для электронов будет закрыта."

Я что-то никак не пойму этот момент. То есть, как это так? Если электроны проникли в базу, то они там уже НЕОСНОВНЫЕ носители заряда и второй переход для них ОТКРЫТ! Я вычитал подобное также в учебнике Айсберга "Транзистор - это очень просто". Там точь-в-точь такое же описание. Но такого не может быть! Абсурд какой-то.

И да. Я не могу понять никак, почему при таком подключении не возникает тока без базы. Ведь НИЧЕГО не мешает электронам проникать в базу. А там уже есть обратный p-n переход, который и должен их подхватить.

А даже если и будет подключена база и электроны проникнут в базу, с какой это стати обратно смещённый переход вдруг станет их пускать в коллектор? Как-то отсутствует логика в таком описании!

Не морочьте себе голову, для понимания того как практически работает транзистор всё это совершенно не нужно. Просто забейте на всё то что происходит внутри транзистора.

Я согласен с предыдущим оратором: всё это совершенно не нужно. Как не нужно волейболисту знать физику, раздел "движение тела, брошенного под углом к горизонту". Но это интересно, поэтому для начала вопрос: если заменить транзистор двумя встречно соединёнными друг с другом диодами (у Айсберга - "непроницаемый бутерброд", картинка рядом), повторить ваши рассуждения - ток будет идти? Если нет, то куда деваются электроны из "ветчины" этого бутерброда?

Вау, как я вижу, пора повторить свой пост с описанием работы биполярного транзистора "на пальцах".

Итак. Для определенности возьмем n-p-n транзистор в активном режиме, т.е. эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный - в обратном. Прямое смещение эмиттерного перехода означает, что в базу поступают носители заряда (дырки), которые притягивают электроны из эмиттера. Однако, из-за малой толщины базы (это важно), электроны не успевают рекомбинировать с этими дырками (промахиваются) и, пролетая базу насквозь, попадают в коллекторную область, где у них один путь - к коллектору (из-за более высокого чем на базе положительного напряжения на коллекторе). Так возникает коллекторный ток. Понятно, что рано или поздно какой-нибудь электрон из эмиттера рекомбинирует с дыркой в базе (попадет), и на место этой дырки придет другая (через базу течет ток). Таким образом, ток эмиттера будет представлять собой сумму токов базы и коллектора. Легко догадаться, что соотношение базового и эмиттерного токов определяется вероятностью рекомбинации в базовой области, эта вероятность есть ничто иное как отношение Iб/Iэ. Очевидно, что задавая ток базы, мы можем управлять током эмиттер-коллектор, т.е. током коллектора. Также очевидно, что чем тоньше база, тем сильнее ток коллектора зависит от тока базы, т.е. лучше усилительные свойства транзистора.
Надеюсь, из моего объяснения также понятно, почему нельзя сделать транзистор из двух включенных встречно диодов.

Понимаю, но трудно представить работу без понимания принципа. Всегда же учили, что чтобы что-то делать, надо разобраться с принципом работы. Да и во всех учебниках вносят молекулярное описание работы транзистора.



Полагаю, что электроны начнут уходить через один диод в направлении положительного полюса источника питания. Через второй пройти не смогут. Поэтому ток будет, но не долгим.

В современном телевизоре тысячи транзисторов, вы имеете представление как они работают? Однако же телевизором наверняка пользуетесь совершенно без проблем.
Вот если бы вы заинтересовались создание транзисторов, тогда да, знания о том что происходит внутри транзистора были бы очень нужны.

В общих чертах работа транзистора понятна. Создаём ток через базу, увеличивается многократно ток через коллектор. К слову об этом. Не понимаю физического смысла коэффициента усиления по току. Да, он показывает во сколько раз ток коллектора больше тока базы. Но какой в нём смысл, если этот коэффициент у 2х даже одинаковых транзисторов существенно отличается? В разы.

Смысл будет понятен, если начать применять транзисторы.

Немного не так выразился. Поменяю формулировку. Как можно рассчитывать схемы на определённых транзисторах, если мы не можем опереться на их коэффициент усиления? Допустим, транзистор КТ315Г. Если мы прикинем в схеме, что у него коэффициент 100, то мы можем очень сильно ошибиться. Ведь разброс 20 - 350, и нам попался 20, который откроется в схеме недостаточно. Как же тут рассчитывать, если эта характеристика такая непостоянная?

Как считать? Наоборот. От коллектора к базе. Рассмотрим возможный вариант расчёта режима каскада ОЭ. Сначала задаёмся током коллектора, исходя из задач, возлагаемых на каскад. Затем, считая ток эмиттера примерно таким же, а также предварительно выбрав падение на эмиттерном резисторе, определяем его номинал. А теперь можно переходить и к базе. Взяв наихудшее значение коэффициента передачи тока, считаем базовый ток. Далее, зная базовый ток, а также напряжение на базе (на 600 мВ больше напряжения на эмиттере), мы сможем посчитать базовый делитель. Далее следует проверить, как режим будет меняться при изменении температуры, питающего напряжения, и скорректировать падение на эмиттерном резисторе, если надо, после чего расчёт придётся повторить. При желании можно проверить режим при максимальном коэффициенте передачи тока. В этом случае меньший ток базы будет меньше нагружать базовый делитель, из-за чего режим тоже немного уплывёт. Ну вот как-то так.

Как считать?
Ещё проще. ОЭ. Втыкаешь в эмиттер резистор это и будет предел усиления. Точка равновесия, за неё транзистор не сможет выйти. ОСь создаваемая Rэ ограничивает усиление транзистора.

Для 315-х разброс установлен просто дикий, поэтому вариантов несколько:
1) рассчитывать схему на минимальный коэффициент передачи, тогда лишнее усиление большинства экземпляров пойдёт псу под хвост,
2) рассчитывать схему на 100, отобрать транзисторы с коэффициентом не меньше 100, оставшееся меньшинство в утиль,
3) перейти на другие транзисторы с меньшим разбросом.