Всем доброго и приятного дня. Разбираясь с IGBT-транзисторами столкнулся с такой непоняткой. Как правило, в даташитах на IGBT указывают параметр Switching Frequency, который обычно составляет десятки (в лучшем случае сотню-две) килогерц. При этом все остальные временные параметры, а именно время нарастания, время спада, задержка включения и задержка выключения, составляют значительно меньше 1 микросекунды. Возьмем к примеру первый попавшийся транзистор IRGP50B60PD1 (datasheet). У него указаны такие параметры:
Получается как будто нестыковочка. Если исходить из последних четырех параметров, то транзистор должен уметь переключаться с частотой до нескольких МГц (и на практике он у меня это успешно делает на частоте 500 кГц, правда недолго, около 300 мкс, дальше 1 секунда отдыха; в длительном режиме я запускать не пробовал, поскольку не было пока необходимости). Что же тогда означает параметр Switching Frequency?
вы наверное взяли данные из DUT- теста с частными заявленными параметрами испытания. практически выходные параметры их задающего генератора и реакция транзистора(а не собственно даташыта). у игбт входные емкости обычно очень большие..
Maykill, что вы имеете в виду? В даташите о крутизне ничего не сказано.
kaetzchen, данные из официального даташита. Входные емкости игбт - исключительно проблема драйвера, причем вполне решаемая. Например, драйверы TC4420/29 дают ток 6 ампер при частоте до 5 МГц. Этого достаточно для управления затвором транзюка из примера.
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
Cправа в таблице Conditions видите?, и еще правее Ref.Fig. Это результаты фактических замеров, но rise fall time etc.. -это даные их управляющих импульсов с генератора
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
kaetzchen. Вы правы, для параметров с наносекундами указаны условия, при которых получены такие измерения, и приведена схема и даже осциллограммы фронтов. Спасибо что обратили внимание. Но вопрос остается открытым. Схема у них вполне типичная, у меня примерно такая же. Фронты на осциллограммах имеют, как и сказано в таблице, длительность не более 50 нс. И неясно, что мешает, например, в этой конкретной схеме повторять такие импульсы с частотой, скажем, 2 МГц. Однако же текст "Switching frequency up to 150 kHz" почему-то от этого предостерегает. Хочется узнать, почему. Может быть, отгорит затвор, или что-то внутри транзистора накопится/насытится и он перестанет переключаться (временно) или пробьется.
И неясно, что мешает, например, в этой конкретной схеме повторять такие импульсы с частотой, скажем, 2 МГц
Мешает защёлкивание IGBT (открывание паразитной тиристорной p-n-p-n-структуры => потеря управляемости IGBT с протеканием тока коллектор-эмиттер вне зависимости от управляющего напряжения затвор-эмиттер => выход транзистора из строя).
Схема устройства IGBT:
--
Не забудьте про токовый хвост IGBT.
--
Мощные IGBT в режиме мягкого переключения могут работать на значительно более высоких частотах нежели в режиме жёсткого переключения. Но их рабочий режим совсем не на мегагерцах.
Здравствуйте подскажите по IGBT GT30G122 даташит на него есть но вот про частоту ничего. хотелось бы раскочегарить его хотя бы до 150 кГц попадались мне статейки что в мягком режиме переключения это как бы возможно. какие есть мысли у кого? http://monitor.espec.ws/files/200910231 ... df_116.pdf
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 33
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения