Подскажите как всё таки можно было бы добавить источник питания туда? Без использования двуполярного питания. Схема с двуполярным питанием делала то же самое. Подскажите как можно легко вставлять подобные дополнительные постоянные источники питания в схему(как V4)
В чём фишка этого усилителя? Не понимаю зачем громоздить из 4 х транзисторов и двухполярного питания то, что можно сделать из одного транзистора и однополярного питния. Это ведь эмиттерный повторитель простой класса А? Очень понравилось взаимодействие транзисторов. Но не смог избавиться от постоянной составляющей. Может он и не расчитан на то чтоб убирали постаоянную составляющую. Или это одна часть усилителя АВ? Очень похоже на дифференциальный каскад, но нет входа для второго сигнала.
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
Я тут чего-то недопонимяу, поэтому обращаюсь к помощи зала. Читаю одну известную книгу уважаемого автора и вижу там схему УНЧ. Как здесь обеспечивается правильное смещение Q6? Текущая гипотеза такая: диф. каскад из-за действия ОС уравнивает потенциалы на своих входах. Тогда на коллекторе Q6 оказывается напряжение -Vbe, и Q6 вынужден пребывать в активном режиме. База Q6 подключена между двумя источниками тока, поэтому её потенциал не фиксирован и за счёт ОС устанавливается ровно таким, чтобы обнулить разность напряжений на входах диф. каскада. Если я увеличиваю R4 и R5, то в конце концов транзистор Q4 токового зеркала насыщается, зеркало больше не может регулировать напряжение на базе Q6 в сторону уменьшения, поэтому он тоже входит в насыщение. Это правильное объяснение?
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
ООС устанавливает на базе Ку3 ноль (грубо говоря), т.к. на базе Ку2 ноль (почти). Это означает, что на выходе установится тоже почти ноль. На базе Ку6 будет 0-Vбэ. Увеличивать Р4 и Р5 можно до тех пор, пока напряжение коллектор-эмиттер Ку4 не приблизится к нулю и Ку4 выйдет из активного режима. И после этого Ку6 не войдёт в насыщение, если напряжение на резисторе Р4 окажется недостаточно для этого. А зачем это делать?
Всё же Q6 должен будет войти в насыщение. Напряжение на коллекторе Q4 составляет Vbe относительно минусовой шины питания. Как только увеличением резистора R4 транзистор Q4 загоняется в насыщение, то из левой схемы получается правая. Транзистор Q4 из источника тока превратился в источник напряжения его насыщения (300мВ, допустим). Теперь напряжение Vbe транзиcтора Q6 больше не может регулироваться вниз и при дальнейшем увеличении R4 он тоже насыщается.
Теперь совсем идиотский вопрос (прошу не смеяться): получается, что даже идеально отбалансированный ОУ (voltage-feedback opamp) не способен работать без обратной связи по постоянному току? Ведь каскад VAS (Q6, Q7) - это два последовательно включенных источника тока, но только ОС может установить правильный потенциал на базе Q6, чтобы пропуститить через него весь ток Q7. Иначе они будут перетягивать одеяло между собой и один из них в конечном счёте окажется в насыщении.
Транзистор Q4 из источника тока превратился в источник напряжения его насыщения (300мВ, допустим). Теперь напряжение Vbe транзиcтора Q6 больше не может регулироваться вниз и при дальнейшем увеличении R4 он тоже насыщается.
Напряжение на базе Ку6 очень легко регулируется "вниз" - при уменьшении тока коллектора Ку2 уменьшится напряжение на Р4. Бесцельное увеличение сопротивлений почему-то напоминает мне ковыряние гвоздём в розетке, что получится?
Теперь совсем идиотский вопрос (прошу не смеяться): получается, что даже идеально отбалансированный ОУ (voltage-feedback opamp) не способен работать без обратной связи по постоянному току?
Тут бы задуматься: что есть балансировка? А это и есть установление нуля на выходе без помощи ООС. Если температура всех элементов усилителя и напряжение питания стабильны, то балансировка от времени не нарушится. Если есть ещё и входное напряжение, то, конечно, дело сильно осложняется
Ведь каскад VAS (Q6, Q7) - это два последовательно включенных источника тока, но только ОС может установить правильный потенциал на базе Q6, чтобы пропуститить через него весь ток Q7. Иначе они будут перетягивать одеяло между собой и один из них в конечном счёте окажется в насыщении.
Ещё не хватало цитировать дурака экспресса. Надо же себе хотя бы предполагать механизм этого "перетягивания". Предположи.
Напряжение на базе Ку6 очень легко регулируется "вниз" - при уменьшении тока коллектора Ку2 уменьшится напряжение на Р4.
Это понятно. Речь о влиянии величины сопротивлений R4,R5 при прочих неизменных условиях. Вот картинка из симулятора для этой схемы (напряжение питания ±12В, суммарный ток покоя диф.каскада 3 мА). Шкала по горизонтали - сопротивление R4 и R5 в омах. Синий график - напряжение КЭ транзистора Q4 токового зеркала. Видно, что он входит в насыщение. Красный и зеленый графики - напряжения КЭ транзисторов Q6 и Q7 каскада VAS. До момента насыщения токового зеркала они примерно равны (отличаются на Vbe), то есть оба транзистора находятся в активном режиме, а обратная связь стабилизирует ток через Q6. Но дальнейшее увеличение R4 вводит Q6 в насыщение.
12943 писал(а):
Тут бы задуматься: что есть балансировка? А это и есть установление нуля на выходе без помощи ООС.
Уточню, что под идеальной балансировкой я подразумевал гипотетическую ситуацию, когда транзисторы диф.каскада попарно идентичны и имеют бесконечную бету.
12943 писал(а):
Надо же себе хотя бы предполагать механизм этого "перетягивания". Предположи.
Ну это можно. Транзистор в активном режиме со стороны своего коллектора выглядит как источник тока. Тогда два транзистора, включенные коллекторами друг к другу - как два источника тока, но их можно разбить на три, как показано на картинке. Далее, воспользовавшись свойством source-shifting transformation (русский перевод мне неизвестен), можно разорвать цепь в месте, обозначенном "X". Теперь источник разностного тока подвешен в воздухе и создает бесконечное напряжение. В реальности оно, конечно, будет конечным из-за подключенных цепей и по-любому не может быть больше напряжения питания. То есть, если Q6 открыт меньше чем нужно, то в насыщении находится Q7, а если больше чем нужно, то насыщается Q6.
12943 писал(а):
Бесцельное увеличение сопротивлений почему-то напоминает мне ковыряние гвоздём в розетке, что получится?
И вовсе даже не бесцельное, а скрупулёзное уточнение границ возможного.
Последний раз редактировалось lumped.net Чт май 06, 2021 05:37:05, всего редактировалось 1 раз.
Ну это можно. Транзистор в активном режиме со стороны своего коллектора выглядит как источник тока. Тогда два транзистора, включенные коллекторами друг к другу - как два источника тока, но их можно разбить на три, как показано на картинке. Далее, воспользовавшись свойством source-shifting transformation (русский перевод мне неизвестен), можно разорвать цепь в месте, обозначенном "X". Теперь источник разностного тока подвешен в воздухе и создает бесконечное напряжение. В реальности оно, конечно, будет конечным из-за подключенных цепей и по-любому не может быть больше напряжения питания. То есть, если Q6 открыт меньше чем нужно, то в насыщении находится Q7, а если больше чем нужно, то насыщается Q6.
Так разговор не получится. Ты говоришь, что попало, не задумываясь о смысле сказанного. Механизм (или суть физического явления, как больше нравится), это связь причины со следствием. Где в твоих "рассуждениях" причина? И с каким следствием ты пытаешься её связать? Смотри, как надо. Задаю условия: питание двухполярное, напряжения питания неизменны, температура всех элементов схемы постоянна, схема настроена таким образом, что напряжение на выходе - ноль. Следовательно причин для изменения режима схемы нет и на выходе всегда ноль.
И так для любых условий, а не эта квазинаучная ахинея с крутыми иностранными терминами, которых ты и смысла не знаешь.
Ну можно в эмиттер Q6 добавить диод и продолжать увеличивать сопротивления. До того насыщение токового зеркала происходило на 430 омах, а с диодом - целых 860 ом.
12943 писал(а):
квазинаучная ахинея с крутыми иностранными терминами, которых ты и смысла не знаешь.
Смысл знаю, перевод - нет. Можете подсказать?
12943 писал(а):
ЗАЧЕМ ты это делал?
Я до Вас пытаюсь в аллегорической форме донести тот простой факт, что все явления имеют свои пределы. Не вижу ничего плохого в абстрактном интересе к тому, где именно они находятся и что за ними происходит. Хотя бы лишь для того, чтобы случайно не выйти за них на практике. А Вы всё стараетесь какой-то умысел найти. Зачем?
Ну можно в эмиттер Q6 добавить диод и продолжать увеличивать сопротивления. До того насыщение токового зеркала происходило на 430 омах, а с диодом - целых 860 ом.
А можно тысячу диодов поставить и сопротивление целых 900 килоом.
Не вижу ничего плохого в абстрактном интересе к тому, где именно они находятся и что за ними происходит.
Тогда и я донесу, в аллегорической форме: не вижу ничего плохого в чьём-нибудь абстрактном интересе к установлению прочностного предела своей головы и особенно, что за ним происходит.
Хотя бы лишь для того, чтобы случайно не выйти за них на практике.
На практике за них выйти невозможно, поскольку практика, это не безумное тыканье гвоздём в розетку, а целенаправленные действия. Если есть интерес, могу объяснить смысл этого резистора и принцип выбора его сопротивления.
diplodok, что именно Вас смущает? Оба резистора R4 и R5 варьировались синхронно от 10 до 500 ом. При этом измерялось напряжение КЭ транзистора Q4. Максимальное напряжение на коллекторе Q4 ограничено Vbe сверху из-за подключенного к нему транзистора Q6. Ну или 2Vbe, если вместо него стоит дарлингтон. Транзистор Q5 в другом плече зеркала работает в диодном включении и насыщаться не может. Но к нему ничего и не подключено.
12943, ну совсем в блин раскатали, да ещё пригвоздили напоследок. Тысячу диодов здесь совершенно не нужно!
У этих резисторов два предназначения:
- уменьшить влияние разброса Vbe транзисторов токового зеркала. Д.Сэлф считает, что для этого достаточно 30-60 мВ падения напряжения на резисторах, ХиХ советуют несколько сотен мВ.
- уменьшить шумы токового зеркала. Теория расписана здесь: Alberto Bilotti:Noise Characteristics of Current Mirror Sinks/Sources,IEEE J. Solid-State Circuits, vol. SC-10, no. 6, pp. 516–524, December 1975. Грубый вывод такой: желательно, чтобы отношение RE/re было больше десяти, но бессмысленно делать его больше нескольких десятков. Тогда для 1.5 мА тока плеча зеркала сопротивление стоит делать от 170 ом и выше, но меньше одного килоома, иначе дарлингтон в каскаде VAS будет насыщаться.
Я ничуть не сомневаюсь, что Вам есть что к этому добавить.
12943 писал(а):
Смысл - это и есть перевод. Ибо бессмысленный перевод, это не перевод.
Таким образом, бессмысленный перевод - это не смысл. А что, очень даже логично. Но, увы, совершенно бесполезно.
Для начала надо определиться с назначением усилителя. Если речь шла про Дугласа вашего Сэлфа, то предполагаю усилитель звуковой частоты. Поскольку ни ХиХ, ни Сэлф приличный УНЧ спроектировать не в состоянии, учиться нужно в другом месте. Нам повезло, все, без исключения, разработчики самых лучших усилителей - русские, поэтому перевод не понадобится: https://rcl-electro.ru/forums/%D0%A3%D1 ... %D0%B8.33/ По поводу пресловутых резисторов: есть симулятор и есть голова, голова подскажет, как решить проблему "разброса Vбэ" - одна партия+подбор или согласованная пара; симулятор покажет уровень шума и зависимость его от сопротивлений резисторов и тока дифкаскада; по итогу окажется, что проблема надумана в связи с отсутствием попыток её решить.
Надо не толковать, а принять такое сопротивление, при котором напряжение на коллекторе транзистора в зеркале будет не меньше напряжения на базе, лучше чуть больше.
Зарегистрирован: Сб сен 30, 2017 10:51:16 Сообщений: 6
Рейтинг сообщения:0
Доброго времени суток, помогите разобраться в схеме. Нужно выставить ток покоя на усилителе, но вот боюсь ошибиться и лишнего накрутить, знаю что нужно 18мА. на схеме стрелками отметил то место где думаю что нужно мерить напряжение, и кружком то место каким резистором регулировать. Прошу подсказать знающих людей, не ошибаюсь ли я.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 38
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения