Мосфеты Р канальные, даже на схеме они такими изображены, так что все правильно включено, к сопротивлению резисторов есть вопросы, но не в нем суть. Вероятно Вы путаете температуру перегрева относительно окружающей и просто температуру. Иначе получится, что транзистор находящийся при температуре -20, должен нагреваться до 40 и транзистор находящийся при +35 тоже должен нагреваться до 40. А в реальности первый нагреется до +20, а второй до +75.

Да, с драйвером там тоже беда. И полевики в таком случае надо использовать P-канальные.
Беда каскада на биполярном транзисторе в том что его легко открыть но он слишком долго будет закрываться а ещё и плавно... Чтобы он шуршал надо резистор в базе-эмиттере порядка 300 Ом, чтобы время закрытия было порядка 20мкс(этого хватит на ШИМ 8 бит 200Гц). И резистор в базу просчитать так чтобы он не входил в глубокое насыщение.

Проще всего завести эквивалентную схему этого каскада в MicroCap с учётом ёмкости затвора транзистора и поиграться с номиналами наблюдая как работает схема.

Или выбросить это и поставить вместо биполярного тоже полевик 2N7000 или 2N7002 если надо SMD.

Причем тут глубокое насыщение?
Во первых, товарисч из Киева так и не привел ПРАВИЛЬНОГО НАЧЕРТАНИЯ транзисторов в схеме. Из-за чего ни хрена не понятно что и куда у него подключено. Вроде бы Р-канальный, но либо диод вверх ногами, либо затвор. Где исток - одному Богу известно. А что куда реально впаяно и Бог не знает.
Во вторых, насыщение биполярного транзистора никакого отношения к скорости переключения В ЭТОЙ СХЕМЕ не имеет. Если даже включить Р-канальный транзистор правильно, то 1 кОм между затвором и истоком даст затягивание при ВЫКЛЮЧЕНИИ. И там хоть сверхскоростной ключ в драйвере ставь - это ничего не изменит. Для ускорения запирания МОСФЕТА нужна РАЗРЯДНАЯ активная цепочка в его затворе. То есть пушпульный драйвер. И по барабану на чем он собран - на биполярных или полевых транзисторах...

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

И так попробую по порядку внести ясность и разобраться с ответами.

1) КРАМ я так и не понял почему Вам не понравилось обозначение Р-канального мосфета?? он так был обозначен в библиотеке EAGLE, и я раньше предпологал что направление стрелочики от затвора к истоку обозначает проводимость мосфета? у меня стрелочка смотрит от затвора(гейта) в истоку(соурс) , а нагрузка подключена к стоку (дрейну)... тоесть полевой транзистор Р-канальный ....
если стрелочка смотрит от истока к затвору то я понимаю это Н-канальный .Верно ???


2) Нагрузка подключена в стоку, а питание к истоку, то-есть у меня Р-канальный транзистор, который выступает в роли ключа верхнего плеча(комутирует) + нагрузки а не -.
3) ну и маркировка на схеме соответствует Р-канальному IRF4905 ....
4)Да я мог пойти более верным путем взять сдвоенный драйвер верхнего плеча и использовать Н-канальные... Но драйвер верхнего плеча сдвоенный собака стоит дорого почти 3 бакса, мне нужно дешевое решение... Пошел по пути Р-канальный ну и би-полярник в качестве проходного ключа..

5) остается разобраться с чем мне нужно игратся с частотой ШИМ, или еще подбирать резисторы других номиналов в обвьязке,
Да согласен тот предыдущий огрызок схемы не понятен вот так лучше думаю будет

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>

Ну, судя по тому, что не я один "попался" на обозначении, то наверное всё-таки что-то там не так?
Посмотрите внимательно на картинку
Потом на вашу схему.
И ещё раз на картинку
И снова на вашу схему.

Если всё ещё затрудняетесь, переверните данные картинки на 180°.

Понимаете, о чём я?

Ваш фет нарисован неверно. Что вводит в заблуждение и разрешает думать что угодно.

С какой частотой у вас коммутация происходит?

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

Так мало того что резистор в затворе затягивает выключение полевика, так ещё и каскад на биполярном транзисторе тоже своё дело делает и затягивает выключение, это ещё больше усугубляет ситуацию. Можно немного улучшить положение включив резистор в эмиттерную цепь уменьшив усиление каскада и уменьшив насыщение, а потом разбираться с полевиком.
Тут где-то в соседней теме(или это было на паяльнике?) была целая тема на 100+ страниц посвящённая "правильному" драйверу на дискретных элементах, схема в итоге получилась не такая простая.
А приведённую выше можно настроить для ШИМ-а порядка 200-500Гц частотой и разрешением 8 бит без проблем, дальше надо думать.

Это вывод подложки и стрелочка обозначает проводимость p-n переходов, которые образуют сток и исток с подложкой, ну и в целом - тип канала мосфета. А вот соединяться с истоком ей в общем случае и не обязательно http://hightolow.ru/transistor4.php
По ссылке внизу показан и внутренний паразитный транзистор, обусловленный этими p-n переходами и при соединении подложки с истоком получается паразитный диод, который не на всех УГО отдельно рисуется.
А исток всю жизнь определял по графическому расположению отвода от затвора напротив истока.

В наличии есть N Мосфет хочу открывать сие штуку через AVR. Как только не пытался цеплять транзистор, не работает. Если его не трогать то он почти полностью открыт, достаточно прикоснутся пальцем и все хорошо. Сначала долго не понимал как его закрыть, точнее я знал что нужно сделать, но сделать не смог.
Коммутируемое напряжение 12В ~ 4A. Не знаю правильно ли было соединять через небольшой резистор S и G, но так он хотя бы закрыт. Однако открыть я его все равно не могу, точнее могу но получаю 5В вместо 12.

Пробовал делать по этой картинке:

Но т.к. таких номиналов не имею, поэтому вместо 3К, посадил 1.5, вместо 10К, примерно столько же. Не могу понять только с какой землей соединен S на рисунке (12В или 5В). У меня на плате 5В (питается от программатора) и 12В от трансформатора 220В.

Не могу понять чтож ему надо, по всякому экспериментировал в итоге максимум открыл до 6В. Неужели дело в резисторах?
Объясните пожалуйста как чайнику(так оно и есть).

Это как правильно понять?
Если имеется в виду ток нагрузки 4 А, то из ДШ он при 5 В управления не обеспечит ток 4 А, но и при большем открывающем напряжении RDS=2 Ω и 4 А дадут падение напряжения в открытом состоянии 8 В.
Слишком высоковольтный этот транзистор, поэтому и такие параметры.

Да, и судя по вопросу, земли источников 5В и 12В у вас не соединены? Их надо соединить, иначе дела не будет.
Да и сам транзистор, как было сказано выше, для данной ситуации не подходит - он высоковольтный и сопротивление канала в открытом состоянии у него слишком велико(особенности высоковольтных транзисторов). Тут любой биполярный транзистор будет гораздо лучше.
А так, вам надо что-то вроде IRF530 или даже из серии IRLML...

Алексей, что Вас так заклинило на насыщении? Порядок времени рассасывания биполярного ключа в приведенной схеме совершенно иной.
Время разряда затвора определяется зарядом затвора и составляет примерно 180 нКл/10мА = 18 мкс. А рассасывание биполярного ключа будет в районе сотни НАНОсекунд в самом плохом случае. То есть разница более 2 порядков.

Я с этим уже сталкивался, там те же десятки микросекунд в таком включении. Способ ускорить такой каскад - убрать глубокое насыщение уменьшая шунтирующий резистор, введя ООС в виде резистора в эмиттерной цепи, или использовать диод шоттки ограничив напряжение на эмиттерном переходе, ускорить закрытие при помощи диода в базу транзистора, так чтобы при выключении ток базы протекал мимо резистора.

Мне как-то надо было переключать нагрузку с частотой 44кГц, вот точно таким же каскадом и у меня ничего не получилось - транзистор не успевал закрываться! По результатам симуляции получил задержку выключения порядка 40мкс...
Если подобрать резистор не приводящий к насыщению всё работает шустро но тогда работа каскада сильно зависит от коэффициента усиления транзистора и резистор надо подбирать по месту - решение так себе.

Не надо про "я сталкивался". Сначала разберитесь в физике того, с чем сталкиваетесь. Включите подобный биполярный транзисто с чисто активной нагрузкой и, изменяя ток базы, покажите изменение длительности фронта...

А мне в свое время понравился ненасыщенный ключ с нелинейной обратной связью у Бирюкова http://dr-spear.com/page.php?id=113
V6 в формирователе. Поскольку насыщение отсутствует, то время переключения существенно уменьшается.

Попробовал соединить земли 5В и 12В теперт он закрыт нормально. Собсно если подать те же 12В на G то он выдает то что мне надо. Тоесть можно тогда поставить биполярный транзистор на G и +12B, и открывать сие дело через AVR, как я понял так будет работать? Забавно, что в магазине я четко сказал что управлять буду через 5В, Мне дали этот транзистор, я еще заметил что 600В мне слишком много будет, так они говорят что все хорошо будет.

4A это максимальная нагрузка. В кач. нагрузки обычная LED лента. Позже думаю запитать AVR через этот же трансформатор 220В ~ 12В через стабилизатор до 5В. Но кажется мне что это дело дико греться будет. Хотя смотрю на тот же китайский девайс, на входе 32В на выходе 8В - 12В ни одного трансформатора и ничего не греется (по крайне мере с легкой нагрузкой).

Собсно хочу пока добить этот транзистор, имхо магазин далековато, да и для понятия как это работает полезно будет.
Возвращаясь опять таки к вопросу, если я открою биполярный транзистор через 5В, который +12В подаст на G Мосфета, должно же работать? Или вообще биполярный купить для коммутации, но мне говорили что для таких токов нужен полевик..

конечно полевик лучше подойдёт для таких токов, но не всякий.
Тут смысл такой: Чем выше допустимое напряжение полевика тем выше его сопротивление в открытом состоянии.
И чем выше напряжение(вплоть до напряжения пробоя) на затворе тем меньше сопротивление канала, причём существует минимальное напряжение при котором полевик вообще начинает открываться - для такого как у тебя оно может находится в пределах от 3-х вольт, для серии IRLML - от 1.25В.
В даташите кстати есть график зависимости сопротивления канала от напряжения на затворе, можешь посмотреть.

В китайские RGB-контроллеры ставят транзисторы вроде irlml6244 у которого при VGS = 2.5V сопротивление открытого канала составляет 0.027 Ом и корпус вроде SOT-23 позволяет коммутировать токи в 4А.

А тот транзистор что тебе дали будет хорошо работать до токов меньше 1А ибо дальше биполярный транзистор будет выгодней по потерям.

Нет возражений.
Только к теме не имеет отношения. Во первых, коэффициент насыщения влияет не столько на фронт, сколько на ЗАДЕРЖКУ.
А для определения динамических потерь и перегрева МОСФЕТА важен именно ФРОНТ переключения управляющего сигнала.
И тут важно понимать где причина, а где следствие. Увеличение коэффициента насыщения однотактного драйвера затвора путем увеличения сопротивления в его коллекторе, увеличивает фронт переключения совсем не из-за коэффициента насыщения, а из-за высокого выходного сопротивления в выключенном состоянии.

Тоже нет возражений.
Но к общей теме вполне подходит и, подозреваю, многие и не знают о таком способе. Потому и упомянул - может и пригодится кому.

Такой вопрос, други... Есть МДП транзисторы со встроенным и индуцированным каналами. Одни из них, как я понял, "нормально закрыты", другие "нормально открыты". У них есть различие в обозначениях по ЕСКД. Но частенько мне попадается и та, и та картинки. Собственно вопрос. Механизм их работы я понимаю. Но верно ли моё суждение, что используется по большей части вариант с индуцированным каналом? Что второй тип используется редко, и частенько встретив его обозначение на схеме мы можем считать это просто ошибкой по невнимательности? Верно же, что эти транзисторы не могут быть просто так заменены друг на друга?

Ну и в довершение... Можете ли вы вспомнить пару известных примеров транзисторов со встроенным каналом? Некоторые классические примеры их использование?

Да посмотрел, как я понял все irlml заточены под 3-5В?
Попробовал кст схему вот эту:

Работает отлично (по крайне мере на глаз).