Добрый день всем.
Читаю тему, но вот никак не могу понять как настраивается время засверки маски и фоторезиста.
Получается что играемся только разрешением и скоростью. Следовательно при меньшей скорости увеличиваем время назождения лазера с одной точке?

Все правильно. Но вообще то есть ползунок К это мощность лазера. Им обычно и регулируем, а скорость лично я всегда использую 1000 мм/сек. Так как лазер у меня 700 мВт, то хватает и на резист и на маску.

mial, т.е. в вашем случае скорость для маски и резиста всегда 1000, разрешение тоже а вот мощьность меняется?
И межете дать ссылку на свой лазер?

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Если честно, я не понял.

У меня лента 300LPI, то есть минимальное разрешение 1200. Стол 400 точек на 1000 мкм., если поставить стол в настройках программы 600 точек на 1000 мкм, то размер по Y убегает и прилично, не говоря уже о 800 и более.
Делитель на шаговик увеличить, так он у меня самый максимальный 1/16 сейчас.

Что имелось в виду?

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>

vasutkin Все так, по маске смотря какая. Для серии PSR4000 1000 мм, для FSR8000 ставлю 800 мм, у ней чувствительность меньше.
Покупал тут http://www.ebay.com/itm/405nm-700mW-Vio ... 2104a42bbe

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

mial, спасибо! а в каком корпусе?

Стандартный, скока там не помню, 5 с чем то мм

Это я помню, поэтому и вопрос был адресный, но несколько ... провокационный.
Дело в том, что сейчас на практике изменение разрешения по Y можно организовать м-м-м... несколько неудобным способом: путем предварительной обработки исходного файла (масштабированием по Y), скармливанием данного файла УП и последующим выводом на печать с измененным шагом в настройках установки. Это мало чем отличается от предварительной подготовки гербера в сторонних программах и легко реализуется на программном уровне, если у кого-нибудь дойдут до этого руки.
Практическая инструкция:
- исходный bitmap сжимаем в 2 раза по Y (получаем разрешение 600);
- загружаем в HLDI (выглядит неважно);
- увеличиваем число шагов на единицу перемещения по Y в настройках HLDI в 2 раза;
- экспонируем.
А вообще, для оптимизации работы установки есть еще много разных возможностей.

какое у него состояние ? на картинке паянный, а в описании "Item condition: New"

Огласите пожалуйста весь список

Они выдраны из новых блюрей приводов. Поэтому паяный, и в тоже время новый. Не переживайте, чем и хорош этот диод, что проживет отпущенный срок. Я его использую на токе 260 мА, а это половина от его мощности. Все старые диоды обычно дохли на маске через пару месяцев. Этому хоть бы хны.

Forward
Правильно ли я понял?
Загружаем гербер в HLDI, разрешение по Х 1200 (в моем случае).
Сохраняем BMP.
Потом этот BMP убавляем по Y в 2 раза..



Затем открываем его в HLDI, устанавливаем разрешение по Y 800 вместо 400..



А почему именно в 2 раза? А если уменьшить в 4 раза исходник по Y и в HLDI увеличить точность стола до 1600 (в 4 раза), получится?
Если вдруг приспичит засветить при 2400 по Х, то уже нужен новый BMP, сохраненный из HLDI при множителе 2?

Перейти на смешанно (векторно-растровый) протокол управления процессом засветки?

Это самое "честное" программное преобразование, но можно использовать любой коэффициент, который приводит к удовлетворительному результату. Главное, что он должен быть одинаковым при сжатии картинки и увеличении числа шагов.

Но, я все-таки надеюсь, что вопрос отвязки шага по Y от шага по X будет решен на программном уровне - так как здесь можно получить наибольший технологический профит по скорости засветки фоторезиста.
Увеличение же скорости каретки приводит к непропорциональному изменению времени засветки. На моем опыте - увеличение скорости каретки в 1,5 раза (в моем случае 1500 мм/сек) приводит к уменьшению суммарного времени засветки лишь на 12-16%.


Тут надо разбивать на разделы:
1.Технологические удобства
- ну тут и без меня много сказано
2.Скорость работы - все что ведет к увеличению K на шкале регулятора мощности лазера в порядке важности, по моему мнению:
- возможность подстройки индивидуального шага по Y (я долго и безуспешно пытался спрашивать про минимальную ширину засветки в боевых условиях)
- увеличение скорости перемещения каретки (в разумных пределах)
- пропуск пустых строк
- и т.д.
3.Другое


Боюсь, что в данном конструктивном исполнении это сильно затруднительно

Это железный, круглый... и не греется на половине мощности?

Forward
При уменьшении BMP по Y в 2 раза, время засветки тоже уменьшится в 2 раза?

Конечно, так как число строк сокращается в 2 раза

Надо поэкспериментировать при 2400 и более.

А учитывается ли как то, каким "диаметром" пятна засветки производится засветка?

Естественно нужно не забыть и K на шкале мощности лазера пропорционально увеличить, чтобы сохранить удельную мощность засветки.
И, да, этот вопрос я уже задавал кучу раз. Но, так как исходный вариант был рассчитан на 600dpi, да и у меня не получалось получить линии тоньше чем 40 мкм в нормальном технологическом режиме (что хорошо согласуется с оптическим разрешением Ordyl Alpha 340), то до 600 dpi по Y шаг можно увеличивать для фоторезиста. Для маски же немного по-другому. Но все будет зависеть от лазера.