1. Перезаписывать данные поверх старых - нельзя. 2. Вы можете просто не успеть записать слово в память во время пропадания питания. По тому же даташиту (смотрю на STM32F407) время записи слова - 16...100us. При этом напряжение питания должно быть не ниже 2.1V (крайний нижний порог для записи слова), иначе программирование либо не удастся, либо будет запрещено автоматикой. Судя по Вашему коду, PVD должен сработать когда напряжение опустится до ~2.5V. В этот момент программирование ещё не запрещено, но остаётся очень мало времени.
upd. Да, перепроверил даташиты снова. Всё именно так и есть. Советы: 1. Ставьте конденсаторы по-толще рядом с кристаллом, либо в цепи основного питания. Хотя бы 20-30uF. 2. Напряжение питания -> 3.3V 3. Порог срабатывания PVD -> 3.1V 4. Вообще не писать во Flash память. Это не слишком удачное решение. Поставьте внешнюю батарейку на 3V и храните нужные данные в BackUP SRAM.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 30
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения