Можно ли заменить индуктивность в колебательном контуре на подобную ,не поменяв характеристики ,изменив число витков или толщину с диаметром.



Сюда перенес.
Задайте вопрос более конкретно и лучше приложите схему где Вы хотите что то менять.
Единственно, что можно сказать, что если индуктивность останется прежней, то резонансная частота не изменится.
Могут измениться другие параметры контура, а важны ли они в вашем случае, мы не знаем.
aen

Здравствуйте. У меня такой вопрос. Если к колебательному контуру, в котором происходят колебания в резонанс, поднести другой колебательный контур настроенный в резонанс с первым, то какое сопротивление он окажет на первый, чисто активное? или индуктивное тоже?

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

http://aerologiya.ru/kolebatelnye-siste ... ye-kontury

http://www.mirradio.info/2007/12/18/svj ... a-ili.html

Иначе можно сказать, что вторичный контур вносит в первичный дополнительное сопротивление, называемое вносимым сопротивлением. Когда вторичный контур настроен на частоту генератора, то он вносит в первичный контур только активное сопротивление, которое тем больше, чем сильнее связь. Величина этого сопротивления характеризует переход некоторого количества энергии из первичного контура во вторичный. А когда вторичный контур не настроен точно на частоту генератора, то он вносит в первичный контур не только активное, но и реактивное сопротивление, индуктивное или емкостное, в зависимости от того, в какую сторону расстроен вторичный контур. Таким образом, втаричный контур, будучи сам расстроенным, нарушает настройку первичного контура.


В интернете всё есть, лучше не скажешь.

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>

А частота остается неизменной?

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

А как расчитывается добротность для двух связанных контуров?


Если взять формулу добротности колебательного контура Q=(корень из L/C)/R то при приближении двух контуров индуктивность L и емкость C остаются постоянными, а активное сопротивление обмоток R надо складывать? то есть R первого плюс R второго?

Оно и добротность одного контура рассчитать практически нельзя. надо мерять, а уж про два и говорить не приходится....И формулы там, если теоретически, то мама не горюй...А к формулам нужны тогда исходные данные, которых точных нет, поэтому сложный расчёт не улучшает ситуацию с неопределённостью...Надо иметь хоть какие-то варианты(приборчики), чтобы видеть реальность...

ну хотябы теоретически используя стандартную формулу Q=(корень из L/C)/R

Слева на картинке связь между контурами меньше критической и добротность можно определить как и для одиночного контура.

Q=Fрез/Ппр

При слабой связи, общая добротность из системы двух связанных контуров будет больше добротности каждого отдельного контура.



При связи больше критической будем видеть два контура и у каждого контура будет своя добротность.
Добротность вычисляют на частоте резонанса, а при связи больше критической контура невозможно настроить в резонанс на одну и ту же частоту.
Слева на картинке ниже, добротность обоих сильно связанных контуров одинаковая, справа разная.

Дедовские методы.
У меня нет измерителя L и Q-метра. Пользуюсь таким стендиком. L и Q вычисляю.
Для пристрелки годится.
В реальных условиях контур (или фильтр) нагружен. На стенде можно воспроизвести сопротивление источника и нагрузки. Тогда получится более реальная картина.
Вот, на днях намотал катушки, настроил контура с помощью этого стенда. Потом весь ДПФ.
Это примитив, и не рационально при больших объёмах. Однако, мне не рационально покупать АХЧ-метр, и пр. дорогие приборы. Когда в год надо сделать пару ДПФ, и пару ГПД (и то, если таракан зашевелится …).

Это точно? есть математическая формула подтверждающая это?

Формулу не вспомню. Однако, крутизна скатов увеличивается – это точно.
На этом работает ФСС в ПЧ приёмников (и ДПФ).

...её никто не вспомнит....
А так - каждый контур даёт какое-то ослабление при отходе от рез частоты, а общее ослабление суммируется (можно графически)...

Почему нельзя использовать формулу добротности Q=(корень из (L/C))/R для двух связанных контуров? Если один контур оказывает на другой только активное сопротивление, то величины L и C можно взять у одного из контуров, а сопротивление обмоток катушки R как я понимаю надо складывать как параллельно включенные R=(R1*R2)/(R1+R2).

Rобм - это же тоже зависящая от нескольких факторов величина (частота, диаметр провода. длина, вид намотки и тд)...так смысл этих перемножений по формулам с полупотолка ?

Так точно. Там R – это хитрая, приведенная величина потерь. В катушке, в конденсаторе, на рассеяние, в нагрузке,….

Если представить теоретически что у нас идеальные контуры, без поверхностного эффекта в обмотках, конденсаторы с минимальным резистивным сопротивлением, замкнутые контуры с минимальными потерями на излучение

арифметикой такая задача не решается, а представлять можешь себе что угодно....

Не. Я так представить не умею.
Мне проще, вставить это в стенд, о котором я упомянул выше, и увидеть характеристики, которые привел коллега Денис, еще постом выше.
Наглядная лабораторная работа.

Годится ли такая схема, теоретически, для подсчета добротности контура L1C1

Если ключ К2 замыкать в тот момент когда через диод перестает теч ток и конденсатор С2 заряжен полностью?