Чушь... входное сопротивление транзистора в каскаде с ОБ тоже шунтирует контур, с коэф.включения 0.5.....
точно - на этот момент я сразу внимания не обратил (там правда еще сопротивление 30 кОм, но это уже не сотни). Ну тогда да - считать нужно добротность не контура, а эквивалентную добротность с учетом вносимого сопротивления.
Цитата:
Еще раз, вопрос не в добротности контура, в другом - почему падает амплитуда при росте емкости в данной схеме. Эквивалентная добротность она все таки растет в нашей схеме с ростом С:
Ну, это если пренебрегать сопротивлением катушки. Более точная формула такая:
При параметрах, допустим, R = 30 к и r = 0.2 Ом, график Qэ(ρ) будет таким:
То есть, есть некоторое оптимальное значение ρопт , при котором добротность достигает максимума. При таких параметрах оптимум достигается при ρопт = 80 Ом.
Цитата:
Возможно какая то путаница в терминологии насчет добротности, но как я в инете читал статьи про контур, там везде вводиться понятие эквивалентной добротности..
Так я и не спорю, что вводится. Но до этого момента я считал, что речь идет о "собственной" добротности контура.
Действие сопротивления, дополнительно шунтирующего контур, равносильно тому, что в контур вносится дополнительное активное сопротивление последовательно катушки. Это шунтирующее сопротивление всегда можно пересчитать в сопротивление потерь, что стоит последовательно с катушкой. Есть формула пересчета шунтирующего сопротивления в последовательную цепь...
Ага. Именно это я понимаю под Rп. А еще есть формула, показывающая зависимость полосы пропускания от добротности: Q = f0 / 2f Она практически подтверждается, когда паяешь входной контур приёмника. Чем больше L / C, тем уже полоса.
С Праздником! Победили супостата, победим и контур в генераторе
_________________ Пацаны, не бойтесь меня – ни чему ХОРОШЕМУ я Вас не научу!
господа, вы все время говорите о двух разных типах контуров. что касается L / C, то легко можно заметить, что это всего лишь характеристическое сопротивление контура. подтверждаю радиотехнической математикой:
р = 2*pi*f*L
f = 1/(2*pi*корень(L*C))
подставляя f в р, получим
р = корень(L/C)
для параллельного контура Q=Roe/p . если L растет, то растет р, а Q уменьшается. и тогда полоса будет шире.
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
В емкостной трёхточке (по нонешему - генератор Колпитца), фигурирует параллельный контур. Я понимаю смысл этих формул ρ = √(L/C) Q = ρ / Rп 2f = f0 / Q Моя практика (не большая - всего 52 года) подтверждает их правдивость. Противоречий не наблюдал. (Rое, для меня слишком абстрактно).
А кто не верит, пусть спаяет контур, генератор, ПДФ… и померяет амплитуды, АЧХ… при разных соотношениях L, C, Rп Можно, и в симуляторе…. Знать бы, как у него извилина устроена? Кто покажет?
_________________ Пацаны, не бойтесь меня – ни чему ХОРОШЕМУ я Вас не научу!
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
Можно, и в симуляторе…. Знать бы, как у него извилина устроена?
Хорошо извилина у симулятора устроена, особенно в электротехнике (двухполюсники всякие, контуры в т.ч.) и электронике на низких частотах ))
Цитата:
Кто покажет?
Чтобы было понятно, в чем у нас противоречия, если они вообще имеют место, покажите, что вас смущает в этом посте (там где формула и график добротности контура с нагрузкой).
Если разногласий нет, то при r << ρ^2/R получается, что Qэ = R/ρ, а при r >> ρ^2/R (в частности, при R --> ∞), Qэ = ρ/r.
То есть, формулы Qэ = ρ/r и Qэ = R/ρ - это предельные случаи общей формулы, учитывающей влияния внешней нагрузки.
Vilsi писал(а):
господа, вы все время говорите о двух разных типах контуров.
Нет. Мы говорим об одном и том же контуре, но в одном случае этот контур нагружен на сопротивление R << ρ^2/r, а в другом случае R --> ∞.
господа, ну надоело уже. сколько раз говорить, что читать Валитова вредно? а хотя бы Википедию надо штудировать. так вот: в Roe (это обозначение изначально пошло от сокращения R-резонанснОЕ ) включаются все потери, которые могут возникнуть в контуре: 1.потери в сопротивлении катушки, 2.потери на излучение, 3.потери в конденсаторах, 4.отбор мощности в нагрузку, 5.потери в резисторах (режимных) 6.все остальные потери ясный пень, чем потери меньше, тем Roe больше, тем выше добротность. нормальная величина для нормальных генераторов 1-100 кОм. задача - сделать его как можно больше. Rэ - наоборот, чем меньше, тем лучше. все перечисленные потери УВЕЛИЧИВАЮТ Rэ. можно пересчитать Roe в Rэ. формулы в инете. при пересчете чем больше Roe, тем меньше Rэ и наоборот. добротность при этом НЕ МЕНЯЕТ своего значения! однако такое представление весьма неудобно, только затуманивает восприятие материала (особенно после чтения Валитова) и применяется в особых случаях. впрочем, Rэ=(1/Roe)*(L/C). как видим, Rэ уменьшается, если увеличивается С, либо уменьшается L, либо увеличивается Roe.
Не так. Оба контура параллельные. Только первый называется с "параллельно подключенным сопротивлением", а второй с "последовательно соединенным сопротивлением" А на самом деле это один и тот же параллельный контур, только сопротивление в первом случае представлено, как сопротивление параллельно с катушкой, а во втором случае последовательно с катушкой. Формулы пересчета "R" в "r" как говорил есть в книжках. Так вот, что бы это не путать нужно Валитова все таки читать.
Денис, снова респект. Но надо кое-что уточнить (см. ниже).
Vilsi писал(а):
господа, ну надоело уже. сколько раз говорить, что читать Валитова вредно? а хотя бы Википедию надо штудировать.
Отлично. Человек предлагает не читать книг, а читать Википедию.
В принципе, всё, что вы написали хорошо известно, но у вас есть несколько различной величины ошибок. По порядку.
Спойлер 1. Если к конденсатору на правом рисунке включается источник тока, тогда такой контур будет называется параллельным, как бы вам не хотелось назвать его последовательным.
Если же вы к своему контуру на рисунке справа не собираетесь подключать источник, то и формула пересчета сопротивления Rэ в Rое, которую вы привели: Rэ=(1/Roe)*(L/C) будет неверной, т.к. эта формула применима лишь к колебательному контуру, включенному во внешнюю цепь конденсатором С. Ведь только при Rэ=(1/Roe)*(L/C) импеданс относительно зажимов конденсатора в обоих цепях будет одинаковый.
2. Схема на левом рисунке с сопротивлением Rое = (L/C) / Rэ будет тогда называться схемой замещения параллельного контура.
3. На правом рисунке в третьей формуле опечатка: не Rое, а Rэ. Но это пустяк.
4.
Цитата:
как видим, Rэ уменьшается, если увеличивается С, либо уменьшается L, либо увеличивается Roe.
Это бездумное жонглирование формулой, ведь на самом то деле, Rэ - не зависит ни от C, ни от L, ни от Rое, ибо Rэ - это (в общепринятом смысле) активное сопротивление катушки. Зависит как раз Rое, т.к. оно эквивалентное сопротивление схемы замещения параллельного контура.
5.
Цитата:
однако такое представление весьма неудобно, только затуманивает восприятие материала (особенно после чтения Валитова) и применяется в особых случаях.
Причем тут вообще какой-то Вавилов ??? Вы его уже в третий раз упоминаете совершенно напрасно. Схема замещения - это стандартный приём, который используется не по чьей-то прихоти и уж точно не от хорошей жизни. Схема замещения нужна тогда, когда мы контур нагружаем на сопротивление R и тут оказывается очень удобно пересчитать схему и заменить сопротивление Rэ в сопротивление Rое, которое оказывается включенным параллельно сопротивлению R. Тогда Rое и R заменяются эквивалентным RэRое/(Rэ+Rое) и после этого можно опять вернутся к классической схеме.
Это всё известные вещи, которые можно прочитать в книгах (например Радиотехнических цепи и сигналы Гороновского или Теория радиотехнических цепей, Карпова). Википедия - это конечно хорошо, но знаний она не заменяет.
Vilsi писал(а):
а не смущает, что формулы для расчета цепей совершенно наоборот?
Нет, не смущает - это одни и те же формулы, а именно: Добротность в обоих схемах будет увеличиваться с увеличением ρ=√(L/C).
Цитата:
а если r переставить последовательно с С, это что за контур будет?
Вы r можете переставить куда угодно, но при этом не забудьте пересчитать величины элементов R', L' и C' для новой эквивалентной схемы. Как пересчитывать - см. в Гороновском.
вот, процесс пошел! на всякий случай - Гоноровский, а то народ вдруг начнет искать. а так приятно, не я один такой. но вернемся чуть ранее.
Suh писал(а):
В емкостной трёхточке (по нонешему - генератор Колпитца), фигурирует параллельный контур. Я понимаю смысл этих формул ρ = √(L/C) Q = ρ / Rп 2f = f0 / Q Моя практика (не большая - всего 52 года) подтверждает их правдивость. Противоречий не наблюдал. (Rое, для меня слишком абстрактно).
Сейчас этот форум просматривают: Majestic-12 [Bot] и гости: 27
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения