транзистор сам обеспечивает примерно такой же Iк, независимо от его нагрузки Rк
или нет? Не очень понял фразу.
Да, но в известных пределах. (Об этом - дальше.)
neoneon писал(а):
Может быть и обратный случай: задается Iк и тогда Iэ получается "таким, какой он есть"? Я просто не могу понять: "что важнее". Eб и Iб - самые главные, определяют Iэ и Iк. А дальше? Поставим Rэ, ограничится Iэ, соответственно Iк. Но если добавим Rк, который уменьшит Iк до значения мЕньшего, чем Iэ, то Iэ уменьшится или нет?
Конечно, уменьшится. Тогда уменьшится и базовый. Просто оборвите коллекторный вывод, чтобы Ik=0. Тогда и ток эмиттера практически исчезнет, он станет равен базовому току. То есть, какой-то "главности" одного тока над другим нет, все от всех зависят.
_________________ ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу. За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
Потыкал транзистор в симуляторе, сделал примерно такие выводы. Если Rк меньше или равен Rэ, тогда обеспечивается требуемый ток Iк и соблюдается Iб*h21э=Iк. Если Rк больше Rэ, то транзистор не может обеспечить ток при такой большой нагрузке и Iк падает. При этом Uк<Uб, что не соответствует режиму усиления; также увеличивается Iб, чтобы поддержать установленный Iэ. О чем уже говорили - сначала устанавливаем Iэ, а транзистор установит Iк такой же, если находится в усилительном режиме. НО Iэ всегда остается около своего значения и не падает при увеличении Rк. Это из-за симуляции или мы не поняли друг друга?
Покажите схему с конкретными параметрами: напряжениями, сопротивлениями. Будем разбираться.
_________________ ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу. За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
На первом рисунке Rэ>Rк, Iк=Iэ+Iб, Uк>Uб, усилительный режим, коэф усиления - 100. На втором Rэ<Rк, Uк<Uб, усилительного режима нет, Iб~Iэ. На обоих рисунках Iэ~4.18мА. Хотя сейчас подумал, что во втором случае это не сам ток эмиттера, а по большей части ток базы - из 4.17 мА - целых 3.395мА. И я либо несу чушь, либо запутался в терминологии Спойлер1 2
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
Потыкал транзистор в симуляторе, сделал примерно такие выводы. Если Rк меньше или равен Rэ, тогда обеспечивается требуемый ток Iк и соблюдается Iб*h21э=Iк. Если Rк больше Rэ, то транзистор не может обеспечить ток при такой большой нагрузке и Iк падает.
Транзистор тут ни при чем, у вас сопротивление в коллекторе слишком велико ни не может пропустить достаточный ток для нормальной работы. Поднимите напряжение питания в несколько раз и схема станет работоспособной.
Потыкал транзистор в симуляторе, сделал примерно такие выводы. Если Rк меньше или равен Rэ, тогда обеспечивается требуемый ток Iк и соблюдается Iб*h21э=Iк. Если Rк больше Rэ, то транзистор не может обеспечить ток при такой большой нагрузке и Iк падает.
Это так только в данном случае, при указанном сочетании напряжений и сопротивлений. В другом случае будет по-другому. Rк обычно бывает больше Rэ, и при этом всё работает.
neoneon писал(а):
При этом Uк<Uб, что не соответствует режиму усиления; также увеличивается Iб, чтобы поддержать установленный Iэ. О чем уже говорили - сначала устанавливаем Iэ, а транзистор установит Iк такой же, если находится в усилительном режиме. НО Iэ всегда остается около своего значения и не падает при увеличении Rк. Это из-за симуляции или мы не поняли друг друга?
Вы исследовали один случай: напряжение на базе 5 вольт при питании 12. Уменьшите ЭДС базового источника до двух вольт, сопротивление в цепи эмиттера тоже уменьшите, чтобы эмиттерный ток был примерно таким же, миллиампера четыре. Коллекторный резистор меняйте от нуля до двух килоомов. Проверьте, влияет ли номинал резистора на ток через него и, если влияет, то сильно ли.
_________________ ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу. За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
Это так только в данном случае, при указанном сочетании напряжений и сопротивлений. В другом случае будет по-другому. Rк обычно бывает больше Rэ, и при этом всё работает. Уменьшите ЭДС базового источника до двух вольт, Rэ тоже уменьшите, чтобы Iэ был примерно таким же. Rк меняйте от нуля до двух килоомов. Проверьте, влияет ли номинал резистора на ток через него.
Вы правы, все работает Rк в пределах 0-2кОм не влияет на Iэ и Iк, сотые доли мА не в счет. Когда увеличил до 3k - сначала подумал, что Вы волшебник, потому что сразу поменялась ситуация Дело в Uкб, при его уменьшении до 0 транзистор перестает усиливать, как и должно быть, если посмотреть на проходную характеристику. Если Rк слишком увеличить, то при том же токе окажется, что Uк<Uб. Ладно, прошлые выводы частны, общий вывод - при эмиттерной стабилизации задается Iэ с помощью Rэ, транзистор обеспечивает такой же Iк, но в пределах рабочего диапазона: Uк>Uб.
Вы правы, все работает Rк в пределах 0-2кОм не влияет на Iэ и Iк, сотые доли мА не в счет. Когда увеличил до 3k - сначала подумал, что Вы волшебник, потому что сразу поменялась ситуация
Правильно подумали.
neoneon писал(а):
Дело в Uкб, при его уменьшении до 0 транзистор перестает усиливать, как и должно быть, если посмотреть на проходную характеристику. Если Rк слишком увеличить, то при том же токе окажется, что Uк<Uб. Ладно, прошлые выводы частны, общий вывод - при эмиттерной стабилизации задается Iэ с помощью Rэ, транзистор обеспечивает такой же Iк, но в пределах рабочего диапазона: Uк>Uб.
Ага. Вы открыли для себя два режима работы усилительного каскада на биполярном транзисторе: линейный и насыщение.
_________________ ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу. За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
Rк в пределах 0-2кОм не влияет на Iэ и Iк, сотые доли мА не в счет.
Запомните этот факт, кстати. То есть на самом деле источник тока на одном транзисторе не идеален, небольшое влияние нагрузки на ток всё же есть, и это иногда приходится принимать во внимание.
_________________ ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу. За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
Дорого времени суток. Поскольку тема давно не обновлялась задам свой вопрос здесь.
По заданию имеется усилительный каскад с общим эмиттером, разделительными конденсаторами на входе и выходе и конденсатором шунтирующем сопротивление эмиттера. Схема приведена http://img.radiokot.ru/files/123447/med ... ktvtpj.png
Rб1 = (Uп - URэ - Uкэ)/(Iб0 * 10) = 788 Ом ток резистивного базового делителя должен быть в 5-10 раз больше тока базы
Rб2 = (URэ + Uкэmin)/(Iб0 * 10) = 94.1 Ом ток резистивного базового делителя должен быть в 5-10 раз больше тока базы
С сопротивлениями всё более менее понятно, но вот как рассчитать ёмкости не понятно. В интернете описано пара методов расчёта, но они не внятные. В учебниках по электронике этот вопрос опущен (либо я не те книги смотрел).
Люди добрые, подскажите методику расчёта данных конденсаторов.
Вложения:
Комментарий к файлу: Распределение напряжений Грф.png [52.23 KiB]
Скачиваний: 287
Комментарий к файлу: Схема Усилитель.png [13.69 KiB]
Скачиваний: 413
Данную книгу читал. С входной и выходной ёмкостями разобрался, сейчас ещё раз убедился в правильности. Спасибо. Но остался вопрос о Cэ (ёмкости, шунтирующей сопротивление эмиттера).
Просба к более опытным.Вот на этой страничке http://www.meanders.ru/tranzistors.shtml описан порядок расчёта каскада с ОЭ.Подскажите насколько верны данные и формулы.А то я здесь нашёл информацию т ли менее развёрнутую,то ли без лишней ботвы Заранее благодарен
Формулы правильные, но сам расчет является полным бредом. Соответственно бредом получились и полученные результаты. Для расчета маломощного каскада за основу нужно брать не мощность рассеиваемая коллектором транзистора, а нужный нам коэффициент усиления данного каскада.
Ну у меня весьма бредовый результат и вышел.Выходной сигнал изначально был "порезан" в положительном полупериоде,а напряжение коллектора без сигнала(по-простоте душевной не замерил его сразу)оказалось чуть больше 2в.,при U п.~9в.(крона)."Танцы с бубном" это конечно полезно,но плясать хотелось бы с пониманием дела
Схему с типами и номиналами - в студию! На ней же покажите измеренные напряжения.
_________________ ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу. За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
Ну там, в той "дебильной" статье берется схема предварительного каскада, соответственно на маломощном транзисторе и начинают его рассчитывать как усилитель мощности, т.е. не получения нужного нам усиления от каскада, а получения от него максимальной мощности.
_________________ ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу. За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
Сейчас этот форум просматривают: Xatrix и гости: 41
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения