Например TDA7294

Форум РадиоКот • Просмотр темы - Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Форум РадиоКот
Здесь можно немножко помяукать :)





Текущее время: Чт мар 28, 2024 11:57:46

Часовой пояс: UTC + 3 часа


ПРЯМО СЕЙЧАС:



Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 854 ]  1, , , , ...  
Автор Сообщение
Не в сети
 Заголовок сообщения: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пт янв 05, 2007 19:53:54 
Открыл глаза

Зарегистрирован: Вс дек 03, 2006 17:36:04
Сообщений: 59
Рейтинг сообщения: 1
Скажите пожалуйста,

MOSFET
1)MOSFET это полевик или нет?
2)Зачем в них диодик рисуют внутри?
3)Они работают только в режиме открыт-закрыт или нет? можно ли ими чего-то усиливать? Я так понял что специально их используют только как альтернативу реле.
4)Что значит "затвор управляется логическим уровнем"? Как вообще им управлять? 5 вольт на затвор - открыт, 0В - закрыт? (для n-канала)
Или нужны какие-то ограничительные резисторы? Затвор описан как небольшой конденсатор, значит ограничительные резисторы будут тормозить переход?
5)Что лучше n или p канал?
6)Что за спец. микросхемы для затворов используются? Что за "правильные сигналы" они выдают на затвор? Что эти микросхемы делают, нужны ли они? Как они называются, посмотреть даташиты чтоли.

IGBT
1)В чем отличие IGBT от обычных транзисторов?
2)нужны ли опять эти спецмикросхемы-драйверы?

Тиристоры
Я тут нашел один тиристор bt137, что за зверь?
Что вообще такое тиристоры?))
Для чего и как они используются?
Как подключить его к МК?

У меня тут в схеме он вроде нагрузку открывает-закрывает...


Общее
1)Когда использовать MOSFET, кодга IGBT, когда тиристоры?
На каких частотах всё это нормально работает?
Где с ними можно использовать только постоянный ток, где только переменный?

Уж простите за объём...


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения:
СообщениеДобавлено: Пт янв 05, 2007 22:30:41 
Админ
Аватар пользователя

Карма: 109
Рейтинг сообщений: 458
Зарегистрирован: Вт авг 23, 2005 15:23:25
Сообщений: 10815
Откуда: Москва
Рейтинг сообщения: 0
Медали: 1
Получил миской по аватаре (1)
Товарищи, кому не влом, ответьте, плиз - сделаем один большой пост по этому поводу :)

_________________
А вот футболки кому? Кружки, значки!
Мысли Пачкают Мозги


Вернуться наверх
 
 Заголовок сообщения:
СообщениеДобавлено: Пт янв 05, 2007 23:10:24 
Из известных "про это" всем постам пост - Воронин П.А. "Силовые полупроводниковые ключи. Семейства, характеристики, применение." В аккурат про все вопросы, что вверху, толково, понятно, без лишней воды. И не такой уж большой пост - всего 380 стр., с картинками.


Вернуться наверх
   
 
PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати
Не в сети
 Заголовок сообщения: !
СообщениеДобавлено: Сб янв 06, 2007 01:20:15 
Открыл глаза

Зарегистрирован: Вс дек 03, 2006 17:36:04
Сообщений: 59
Рейтинг сообщения: 0
за разморозку темы спасибо. форум я прошерстил но инфы пока мало.

за книжку большое спасибо - где б вот ещё скачать бы:) интернет жадный не дает)


Вернуться наверх
 
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Инженеры КОМПЭЛ провели сравнительное тестирование аккумуляторов EVE и Samsung популярного для бытовых и индустриальных применений типоразмера 18650. Для теста были выбраны аккумуляторы литий-никельмарганцевой системы: по два образца одного наименования каждого производителя – и протестированы на двух значениях тока разряда: 0,5 А и 2,5 А. Испытания проводились в нормальных условиях на электронной нагрузке EBD-USB от ZKEtech, а зарядка осуществлялась от лабораторного источника питания в режиме CC+CV в соответствии с рекомендациями в даташите на определенную модель.

Подробнее>>
 Заголовок сообщения:
СообщениеДобавлено: Сб янв 06, 2007 02:30:33 
Цитата:
где б вот ещё скачать быSmile интернет жадный не дает)

Где-то попадалась на халяву, но не помню, у меня она живьём.
Вот здесь попробуй посмотри, именно этой книжки там нету, но много других, мож сгодится что:
http://valvolodin.narod.ru/books.html
http://lord-n.narod.ru/walla.html


Вернуться наверх
   
 
Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>
Не в сети
 Заголовок сообщения:
СообщениеДобавлено: Сб янв 06, 2007 13:16:30 
Ум, честь и совесть. И скромность.
Аватар пользователя

Карма: 97
Рейтинг сообщений: 2057
Зарегистрирован: Чт дек 28, 2006 08:19:56
Сообщений: 18024
Откуда: Новочеркасск
Рейтинг сообщения: 9
Медали: 2
Получил миской по аватаре (1) Мявтор 3-й степени (1)
1. MOSFET - это полевик, специально разработанный для уменьшения потерь при переключениях с высокой частотой. Как правило, имеет очень малое сопротивление открытого канала.
2. В большинстве MOSFET IGBT) диодик внутри - это паразитный элемент, возникающий как неизбежность в процессе производства. Есть технологии, которые позволяют избежать этого "лишнего" диода, тогда его и не рисуют. Но чаще, даже при усовершенствованных технологиях, этот диод специально вводят в кристалл, т.к. он позволяет защитить структуру от обратного напряжения, что критически важно для импульсных схем.
3. MOSFET специально разработаны для ключевых схем, т.е. "как замена реле" :) Но в некоторых случаях можно и усиливать (ведь это всего-навсего полевик с очень болшьшой крутизной - иногда более 200А/В). Просто в усилительном режиме все преимущества MOSFET теряются, а достоинств не появляется...
4. Транзистор с "логическим уровнем управления" - это как раз то самое: 0 - закрыт, +5В - открыт (для N-канала).
5. Лучше хлеб с маслом :) И для P- и для N- есть свои области применения, т.е. коммутировать отрицательное напряжение придется P-каналом - никуда не денешься. Обычно, P-канальнае имеют несколько худшие параметры по максимальному напряжению С-И и сопротивлению канала в открытом состоянии. Обычно - не есть закономерно! :)
6. Спец. микросхемы для управления MOSFET и IGBT - драйверы - представляют из себя схему быстрого заряда достаточно большой емкости затвора этих приборов (у мощных IGBT она достигает сотни нанофарад!). Иногда в эти схемы вводят всякие защиты и т.п. Главное, что они дают - это импульсный ток до нескольких ампер, который позволяет зарядить затвор достаточно быстро (за сотню-другую наносекунд) - это необходимо для минимизации динамических потерь на переключение.
7. IGBT - это комплект из двух транзисторов, специально соединенных (и выполненных на едином кристалле как одно целое) : полевого на входе и биполярного на выходе. Самое интересное, что "коллектор" IGBT на самом деле является эмитером внутреннего транзистора, и наоборот :). Из-за такой "спарки" IGBT обладает гораздо лучшими параметрами при работе на высоких напряжениях, чем любые другие приборы.
8. Драйверы для IGBT желательны, хотя (см.выше) можно обойтись и без них, если сделать собственную схемы с подходящими параметрами.
9. Про тиристоры и симисторы - не хочу говорить, это настолько общеизвестно, что просто рекомендую заняться самообразованием :).

_________________
если рассматривать человека снизу, покажется, что мозг у него глубоко в жопе
при взгляде на многих сверху ничего не меняется...

скушно, бабоньки!


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения:
СообщениеДобавлено: Сб янв 06, 2007 16:50:46 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 28
Рейтинг сообщений: 267
Зарегистрирован: Ср сен 27, 2006 16:18:57
Сообщений: 3459
Рейтинг сообщения: 8
Max писал(а):
Товарищи, кому не влом, ответьте, плиз - сделаем один большой пост по этому поводу :)

MOSFET
1)MOSFET это полевик или нет?

MOSFET это сокращение от Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor.
Metal - металл
Oxide - окисел
Semiconductor - полупроводник
Field - поле
Effect - воздействие, эффект
Transistor - транзистор.
Таким образом это полевой транзистор структуры металл-окисел-полупроводник с изолированным затвором. По русски - МОП транзистор. Последнее время MOSFET-ами обзывают только мощные полевики, которые работают как ключи, хотя на самом деле такую же структуру имеют и высокочастотные маломощные полевики, в том числе, и двухзатворные для смесителей радиоприёмников.

2)Зачем в них диодик рисуют внутри?

Потому, что диодик там есть. Он получается автоматически при изготовлении транзистора - такой уж технологический процесс.

3)Они работают только в режиме открыт-закрыт или нет? можно ли ими чего-то усиливать? Я так понял что специально их используют только как альтернативу реле.

Можно использовать и в линейном режиме. Почему бы и нет? Но лучше их использовать как ключ из-за очень маленького сопротивления канала в открытом состоянии (единицы - сотни миллиом).

4)Что значит "затвор управляется логическим уровнем"? Это значит, что транзистор гарантированно откроется, если ему на затвор подать напряжение больше 3,2 вольта - напряжение логического уровня для TTL логики.

Как вообще им управлять? 5 вольт на затвор - открыт, 0В - закрыт? (для n-канала)

Примерно так. Если, конечно, исток сидит на земле. Однако, если явно не оговорено, что транзистор "управляется логическим уровнем", то 5 вольт может не хватить, чтобы транзистор открылся полностью. В таких случаях между затвором и истоком надо подавать обычно не меньше 7-8 вольт.

Или нужны какие-то ограничительные резисторы? Затвор описан как небольшой конденсатор, значит ограничительные резисторы будут тормозить переход?

К сожалению, мощные MOSFET транзисторы пока что невозможно изготовить с маленькой ёмкостью затвора. Обычно эта ёмкость составляет около тысячи пикофарад и даже больше.
Чтобы транзистор включился, эту ёмкость надо зарядить от нуля до нескольких вольт. (Или разрядить, чтобы выключился). Именно этим определяется быстродействие транзистора и отсюда же возникают соответствующие проблемы. Удастся зарядить эту ёмкость за 1 наносекунду - транзистор включится за наносекунду! Только фиг так получится - потребуется слишком большой ток! Резисторы в затвор ставятся как раз для ограничения тока перезаряда и конечно же они будут снижать быстродействие, но это лучше, чем сжечь каскад, который раскачивает транзисторы. Если частота переключения сотни герц, то резисторы не нужны. Ну а если десятки килогерц, то нужны обязательно.

5)Что лучше n или p канал?

В силу определённых обстоятельств, связанных с физикой и особенностями технологического процесса, при прочих равных условиях, у транзисторов с n-каналом, получаются лучшие характеристики.

6)Что за спец. микросхемы для затворов используются? Что за "правильные сигналы" они выдают на затвор? Что эти микросхемы делают, нужны ли они? Как они называются, посмотреть даташиты чтоли.

Микросхемы нужны, когда используется мостовая или просто двухтактная схема включения транзисторов и возможна ситуация, когда могут быть открыты оба транзистора одновременно и в верхнем и в нижнем плече - тогда возникнет сквозной ток. Микросхема как раз и формирует "правильные сигналы", чтобы этого не призошло. Кроме того, микросхема может работать как ШИМ регулятор. Как они называются - посмотрите схемы конкретных устройств, которых полно в интернете.

IGBT
1)В чем отличие IGBT от обычных транзисторов?

IGBT это гибрид полевого и биполярного транзисторов. Вход - полевой транзистор с изолированным затвором, выход - мощный биполярный транзистор.

2)нужны ли опять эти спецмикросхемы-драйверы?
Нужны. Кроме обычных проблем с включением-выключением у IGBT есть ещё так называемый "эффект защёлкивания" - когда IGBT включается и фиг его выключишь по входу... Насколько я понял, специальные микросхемы помогают избежать такой ситуации.

Тиристоры
Я тут нашел один тиристор bt137, что за зверь?
Что вообще такое тиристоры?))
Для чего и как они используются?
Как подключить его к МК?

Тиристор - четырёхслойная структура: n-p-n-p в которой три p-n перехода, в отличие от транзистора (два p-n перехода) и диода (один p-n переход). Эта четырёхслойная структура подключается таким образом, что наружу из корпуса торчат три вывода: анод, катод и
управляющий электрод. Нагрузка подключается одним концом к аноду, а другим к плюсу источника питания. Катод подключается к минусу источника питания. В таком состоянии тиристор закрыт и ток через него и через нагрузку не течёт. Если теперь в цепь управляющий электрод - катод подать небольшой короткий импульс тока, то тиристор включится и через него потечёт ток, определяемый только сопротивлением нагрузки. При этом падение напряжения на открытом тиристоре примерно 1 вольт. Ток через тиристор может быть намного больше, чем ток через управляющий электрод, который его включил. Тиристор останется во включённом состоянии, даже если ток через управляющий электрод прекратиться, и будет находиться во включённом состоянии сколь угодно долго, пока есть анодное напряжение и есть анодный ток.
Выключить тиристор через управляющий электрод, как правило, нельзя, хотя в природе бывают запираемые тиристоры. Тиристор выключается только по выходу, т.е., чтобы он выключился, надо уменьшить анодное напряжение почти до нуля, чтобы анодный ток стал меньше некоторого значения, которое называется током удержания.
Эти свойства позволяют применять тиристоры на переменном токе. Тиристор включают в диагональ диодного моста, а вдругую диагональ нагрузку и сеть переменного тока. На тиристоре при этом будет пульсирующее напряжение. Тиристор можно включить в любой
момент, а выключаться он будет автоматически в конце каждого полупериода.
Существуют также симметричные тиристоры - симисторы или триаки. Для работы на переменном токе им диодный мост не требуется.
Тиристоры удобно подключать к МК через оптроны. Причём существуют специальные оптроны, которые включают тиристор в момент перехода напряжения через ноль, чтобы не создавать
коммутационных помех.

Общее
1)Когда использовать MOSFET, кодга IGBT, когда тиристоры?
На каких частотах всё это нормально работает?
Где с ними можно использовать только постоянный ток, где только переменный?

MOSFET и IGBT можно использовать и на постоянном и на переменном токе, а тиристоры только на переменном.

При токах нагрузки до десятков ампер выгоднее использовать MOSFET. При нагрузках в десятки и сотни ампер выгоднее IGBT. Связано это с тем, что у MOSFET сопротивление канала величина постоянная и не зависит от тока. Потери на ключе в виде тепла равны
КВАДРАТУ тока, умноженному на сопротивление канала. Т.е. при возрастании тока вдвое, потери возрастают в четыре раза! При относительно небольших значениях тока с потерями можно мириться, но при больших токах - катастрофа. Что касается IGBT, то на выходе у них биполярные транзисторы, у которых напряжение насыщения хотя и зависит от тока, но не так катастрофически. Потери от тока зависят почти линейно.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: !
СообщениеДобавлено: Сб янв 06, 2007 18:19:23 
Открыл глаза

Зарегистрирован: Вс дек 03, 2006 17:36:04
Сообщений: 59
Рейтинг сообщения: 0
премного благодарен. прям даже стыдно.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения:
СообщениеДобавлено: Сб янв 06, 2007 18:31:05 
Ум, честь и совесть. И скромность.
Аватар пользователя

Карма: 97
Рейтинг сообщений: 2057
Зарегистрирован: Чт дек 28, 2006 08:19:56
Сообщений: 18024
Откуда: Новочеркасск
Рейтинг сообщения: 4
Медали: 2
Получил миской по аватаре (1) Мявтор 3-й степени (1)
Цитата:
Резисторы в затвор ставятся как раз для ограничения тока перезаряда и конечно же они будут снижать быстродействие, но это лучше, чем сжечь каскад, который раскачивает транзисторы. Если частота переключения сотни герц, то резисторы не нужны.

Не совсем так. если речь идет об управлении транзистором от микросхемы-драйвера или просто микросхемы, то резистор нужен не столько для ограничения тока заряда, сколько для предотвращения тиристорного эффекта, присущего КМОП-микросхемам, когда на их выходе появляется высокий уровень и не пропадает до выключения питания. Возникать этот эффект может, если черехз выход микросхемы протекает втекающий ток (обычно импульсный) определенной амплитуды - вот для ограничения этого тока резистор и ставят. Без него скорее выпалишь сам транзистор, чем микруху. Это верно для работы на высоких напряжениях, для низких (ну, скажем, до 25-30В эффект малоактуален).

Цитата:
Кроме обычных проблем с включением-выключением у IGBT есть ещё так называемый "эффект защёлкивания" - когда IGBT включается и фиг его выключишь по входу... Насколько я понял, специальные микросхемы помогают избежать такой ситуации.

Не слыхал о таком эффекте. Драйвер, как уже было сказано мною и предыдущим оратором :) в основном решают проблему быстрого перезаряда затвора транзистора. Для достаточно старых IGBT (если этот термин приемлем для приборов, которым всего-то чуть больше десятка лет) для надежного запирания требовалось наличие отрицательного напряжения на затворе, в этом случае драйвер решал и эту проблему. Для современных мощных IGBT драйвер - это целая схема с пятком микросхем, собственным гальванически развязанным источником питания и прочими прибамбасами. Стоимость такого драйвера может быть не одну сотню долларов. Кстати, сложность схемы этого драйвера - тоже ого-го! Для любительских применений прекрасно подойдут драйверы от International Rectifier - ищите у них на сайте.
Цитата:
MOSFET и IGBT можно использовать и на постоянном и на переменном токе, а тиристоры только на переменном.

Уточняю: первые два без особых ухищрений на переменном токе использовать нельзя. Кроме того, тиристоры прекрасно работают на постоянном токе, но тоже с некоторыми ухищренями. Пример - болгарские (и не только) электрокары.
Цитата:
Указанным гражданам- по виртуальному кусочку осетрины.

Вот спасибо-то! :)

_________________
если рассматривать человека снизу, покажется, что мозг у него глубоко в жопе
при взгляде на многих сверху ничего не меняется...

скушно, бабоньки!


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: !
СообщениеДобавлено: Сб янв 06, 2007 18:33:56 
Открыл глаза

Зарегистрирован: Вс дек 03, 2006 17:36:04
Сообщений: 59
Рейтинг сообщения: 0
а что ещё такое "диак" выглядит как два диода рядом


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения:
СообщениеДобавлено: Сб янв 06, 2007 18:40:42 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 6
Рейтинг сообщений: 30
Зарегистрирован: Чт сен 14, 2006 11:42:09
Сообщений: 3792
Откуда: Обитаю на чердаке
Рейтинг сообщения: 0
Это от американцев, одно время это название для силовых и у нас использовали.

Diac (Диак) - симметричный диодный тиристор, симметричный динистор;
Triac (Триак) - симметричный триодный тиристор, симистор

_________________
Память очень интересная штука: бывает так, что запомнишь одно, а вспомнишь другое...


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: !
СообщениеДобавлено: Сб янв 06, 2007 19:13:28 
Открыл глаза

Зарегистрирован: Вс дек 03, 2006 17:36:04
Сообщений: 59
Рейтинг сообщения: 0
Вот в чипе и дипе
параметры IRLMS2002TR

http://www.chip-dip.ru/product0/187446188.aspx

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1.2

Почему такое маленькое? Что значит эта характеристика. При каком уровне он откроется?


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения:
СообщениеДобавлено: Сб янв 06, 2007 19:44:34 
Ум, честь и совесть. И скромность.
Аватар пользователя

Карма: 97
Рейтинг сообщений: 2057
Зарегистрирован: Чт дек 28, 2006 08:19:56
Сообщений: 18024
Откуда: Новочеркасск
Рейтинг сообщения: 0
Медали: 2
Получил миской по аватаре (1) Мявтор 3-й степени (1)
Если на клетке слона увидишь надпись "Буйвол" - не верь глазам своим! (с) К.Прутков
Простая опечатка. Там же по этой ссылке чуть пониже есть ссылка для закачки фирменного даташита - верь ему! там написано - максимальное напряжение З-И 12В.

_________________
если рассматривать человека снизу, покажется, что мозг у него глубоко в жопе
при взгляде на многих сверху ничего не меняется...

скушно, бабоньки!


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения:
СообщениеДобавлено: Сб янв 06, 2007 22:39:53 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 28
Рейтинг сообщений: 267
Зарегистрирован: Ср сен 27, 2006 16:18:57
Сообщений: 3459
Рейтинг сообщения: 0
Сэр Мурр, Спасибо. Виртуальную осетрину получил. Хорошо пошла с виртуальным пивом. Мы, коты, любим не только осетрину, но и пиво... Ну ещё мы любим... ммм... мясо... ну, вискас тоже пойдёт... впрочем, не будем об этом.

ARV, Спасибо за ценные замечания.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения:
СообщениеДобавлено: Вт ноя 13, 2007 01:45:11 
Родился

Зарегистрирован: Вт ноя 13, 2007 01:37:45
Сообщений: 2
Рейтинг сообщения: 0
здравствуйте!

Люди, если можно выручите пожалуйста. Волею судьбы надо запускать/реверсировать асинхронник посредством IGBT.

Если можно, простенько, в двух-трёх словах не электронщику объясните, как открывать/закрывать IGBT транзистор (включать/выключать привод)? C mosfet было проще, но у них почти у всех обрытный диод, и при переменном токе каждые пол периода он оказывается открыт. Замучался уже. Заранее спасибо.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения:
СообщениеДобавлено: Вт ноя 13, 2007 02:22:44 
Э...
Аватар пользователя

Карма: 1
Рейтинг сообщений: 9
Зарегистрирован: Ср апр 04, 2007 08:39:14
Сообщений: 2792
Откуда: Москва
Рейтинг сообщения: 0
n48 писал(а):
надо запускать/реверсировать асинхронник посредством IGBT.


http://www.automotivedesignline.com/197801736

http://www.microchip.com/stellent/idcplg?IdcService=SS_GET_PAGE&nodeId=2125&param=en026718

http://i020.radikal.ru/0711/4a/a9ea39756a54.gif

_________________
Думайте сами, решайте сами ... а вот он-лайн перевод на корявый русский http://translate.ru


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения:
СообщениеДобавлено: Вт ноя 13, 2007 11:56:38 
Родился

Зарегистрирован: Вт ноя 13, 2007 01:37:45
Сообщений: 2
Рейтинг сообщения: 0
Спасибо конечно. Но мне просто нужно знать как сделать из IGBT управляемый ключ для переменного тока. Это можно вообще? Переключаться он будет очень редко, частота меньше 1 Гц.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения:
СообщениеДобавлено: Вт ноя 13, 2007 17:34:43 
Ум, честь и совесть. И скромность.
Аватар пользователя

Карма: 97
Рейтинг сообщений: 2057
Зарегистрирован: Чт дек 28, 2006 08:19:56
Сообщений: 18024
Откуда: Новочеркасск
Рейтинг сообщения: 0
Медали: 2
Получил миской по аватаре (1) Мявтор 3-й степени (1)
Если делать просто ключ переменного тока на IGBT, то точно так же, как на MOSFET - два встречно-последовательно (тогда обратные диоды не будут мешать). Если IGBT без обратных диодов - то параллельно ставить внешние диоды.

_________________
если рассматривать человека снизу, покажется, что мозг у него глубоко в жопе
при взгляде на многих сверху ничего не меняется...

скушно, бабоньки!


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения:
СообщениеДобавлено: Вт ноя 13, 2007 18:00:50 
Э...
Аватар пользователя

Карма: 1
Рейтинг сообщений: 9
Зарегистрирован: Ср апр 04, 2007 08:39:14
Сообщений: 2792
Откуда: Москва
Рейтинг сообщения: 0
n48 писал(а):
Спасибо конечно. Но мне просто нужно знать как сделать из IGBT управляемый ключ для переменного тока.


Можно включить IGBT в диагональ выпрямительного моста между + и -

_________________
Думайте сами, решайте сами ... а вот он-лайн перевод на корявый русский http://translate.ru


Последний раз редактировалось tych Ср ноя 14, 2007 10:57:03, всего редактировалось 1 раз.

Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения:
СообщениеДобавлено: Вт ноя 13, 2007 18:56:39 
Э...
Аватар пользователя

Карма: 1
Рейтинг сообщений: 9
Зарегистрирован: Ср апр 04, 2007 08:39:14
Сообщений: 2792
Откуда: Москва
Рейтинг сообщения: 0
ARV писал(а):
Если делать просто ключ переменного тока на IGBT, то точно так же, как на MOSFET - два встречно-последовательно (тогда обратные диоды не будут мешать).


Схему лучше показать ИМХО.

_________________
Думайте сами, решайте сами ... а вот он-лайн перевод на корявый русский http://translate.ru


Последний раз редактировалось tych Ср ноя 14, 2007 10:55:42, всего редактировалось 1 раз.

Вернуться наверх
 
Показать сообщения за:  Сортировать по:  Вернуться наверх
Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 854 ]  1, , , , ...  

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на форуме

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 31


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Перейти:  


Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
Русская поддержка phpBB
Extended by Karma MOD © 2007—2012 m157y
Extended by Topic Tags MOD © 2012 m157y