Например TDA7294

Форум РадиоКот • Просмотр темы - Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Форум РадиоКот
Здесь можно немножко помяукать :)





Текущее время: Чт апр 18, 2024 21:42:14

Часовой пояс: UTC + 3 часа


ПРЯМО СЕЙЧАС:



Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 860 ]     ... , , , 27, , , ...  
Автор Сообщение
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевой Транзистор с управляющим pn-переходом.
СообщениеДобавлено: Пт июн 02, 2017 10:10:22 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 111
Рейтинг сообщений: 4059
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Сообщений: 13471
Откуда: Екатеринбург
Рейтинг сообщения: 0
А если напряжение отсечки подать на затвор через конденсатор, утечка будет меньше? Хотя на затворе вроде и так огромное сопротивление.
Это делать бесполезно, затвор тут уже не при делах.
Или под током утечки понимается ток Исток-Сток и что при напряжении отсечки полного запирания не будет?
Именно так. Конечно, у маломощных транзисторов этот ток измеряется наноамперами, но не совсем ноль, и об этом следует помнить, ибо иногда он мешается ощутимо.


Кстати, уточнение.
У полевого транзистора есть "напряжение отсечки".
Это что получается, чтобы по транзистору не проходил ток, нужно подать на затвор это напряжение?
Для транзистор с p-каналом нужно подать положительное, а с n-отрицательное?
Это так, когда речь идёт о транзисторах с затвором, изолированным PN-переходом. У МОП-транзисторов напряжение отсечки может быть (и часто бывает) "своего" знака.

_________________
ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу.
За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.


Последний раз редактировалось mickbell Пт июн 02, 2017 10:49:31, всего редактировалось 1 раз.

Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пт июн 02, 2017 10:26:55 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 46
Рейтинг сообщений: 2030
Зарегистрирован: Пт ноя 11, 2016 05:48:09
Сообщений: 6618
Откуда: Сердце Пармы
Рейтинг сообщения: 0
Медали: 1
Получил миской по аватаре (1)
да, но действует в "ту же сторону", это как в цепь затвора батарейку добавить.

_________________
Просто не учи физику в школе, и вся твоя жизнь будет наполнена чудесами и волшебством :)
Безграмотно вопрошающим про силовую или высоковольтную электронику я не отвечаю, а то ещё посадят за участие в (само)убиении оболтуса...


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевой Транзистор с управляющим pn-переходом.
СообщениеДобавлено: Пт июн 02, 2017 10:38:37 
Родился

Зарегистрирован: Вт май 30, 2017 09:54:53
Сообщений: 16
Откуда: Новая Земляндия
Рейтинг сообщения: 0
Кстати, уточнение.
У полевого транзистора есть "напряжение отсечки".
Это что получается, чтобы по транзистору не проходил ток, нужно подать на затвор это напряжение?
Для транзистор с p-каналом нужно подать положительное, а с n-отрицательное?
Это так, когда речь идёт о транзисторах с затвором, изолированным PN-переходом. У МОП-транзисторов напряжение отсечки может быть (и часто бывает) "своего" знака.

Вроде транзисторы с изолированным затвором это и есть МОП/МДП-тразисторы? И в зависимости от структуры транзистора (p-n-p или n-p-n) формируется знак?
Так?

да, но действует в "ту же сторону", это как в цепь затвора батарейку добавить.
Думаю, что в некоторых схемах соединение Затвора с Истоком (через резистор) и выполняет функцию создания напряжения отсечки. Так?


Вернуться наверх
 
PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевой Транзистор с управляющим pn-переходом.
СообщениеДобавлено: Пт июн 02, 2017 10:46:59 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 111
Рейтинг сообщений: 4059
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Сообщений: 13471
Откуда: Екатеринбург
Рейтинг сообщения: 4
Вроде транзисторы с изолированным затвором это и есть МОП/МДП-тразисторы? И в зависимости от структуры транзистора (p-n-p или n-p-n) формируется знак?
Так?
Термин я таки переврал. Первые называются "транзисторы с затвором в виде PN-перехода", про полную изоляцию затвора говорить не приходится. Прошу прощения.
Что касается знака у МОП-транзистора: если он N-канальный, то в любом случае открываться он будет, если напряжение на затворе будет БОЛЕЕ ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ, чем напряжение отсечки, которое само по себе может быть любого знака. Для P-канального - наоборот, напряжение для его открывания должно быть отрицательнее, чем напряжение отсечки.

_________________
ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу.
За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.


Вернуться наверх
 
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.

Подробнее>>
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевой Транзистор с управляющим pn-переходом.
СообщениеДобавлено: Пт июн 02, 2017 11:54:56 
Родился

Зарегистрирован: Вт май 30, 2017 09:54:53
Сообщений: 16
Откуда: Новая Земляндия
Рейтинг сообщения: 0
Вроде транзисторы с изолированным затвором это и есть МОП/МДП-тразисторы? И в зависимости от структуры транзистора (p-n-p или n-p-n) формируется знак?
Так?
Термин я таки переврал. Первые называются "транзисторы с затвором в виде PN-перехода", про полную изоляцию затвора говорить не приходится. Прошу прощения.
Что касается знака у МОП-транзистора: если он N-канальный, то в любом случае открываться он будет, если напряжение на затворе будет БОЛЕЕ ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ, чем напряжение отсечки, которое само по себе может быть любого знака. Для P-канального - наоборот, напряжение для его открывания должно быть отрицательнее, чем напряжение отсечки.

То есть картинка ВАХ для p-канального и n-канального транзисторов.?!

Изображение

МДП-транзистор это почти идеальный транзистор, вот только смущает что он сохраняет заряд на затворе.
А каким образом решают эту проблему, если это не нужно?


Последний раз редактировалось aen Пн июн 05, 2017 17:35:59, всего редактировалось 1 раз.
Нарушение Правил форума п. 2.7


Вернуться наверх
 
Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевой Транзистор с управляющим pn-переходом.
СообщениеДобавлено: Пт июн 02, 2017 12:19:47 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 111
Рейтинг сообщений: 4059
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Сообщений: 13471
Откуда: Екатеринбург
Рейтинг сообщения: 0
МДП-транзистор это почти идеальный транзистор, вот только смущает что он сохраняет заряд на затворе.
А каким образом решают эту проблему, если это не нужно?
Вопрос правильный. Ёмкость затвора (сама по себе, даже без учёта эффекта Миллера) может быть от сотен пик до чуть ли не десятков нан, ну единицы - точно, а ведь мосфеты приходится открывать-закрывать быстро, с частотами аж в сотни килогерц. В этом случае затвором управляют с помощью драйвера затвора - выполненного на транзисторах или готового, в виде микросхемы. Этот драйвер в импульсе выдаёт токи обоих знаков порядка ампера, чтобы побыстрее перезарядить затвор. Если столь быстрое включение-выключение не требуется, можно управлять затвором как попало. :-) В любом случае не следует оставлять его висящим в воздухе, иначе заряд с него будет уходить непонятно сколько времени. Достаточно резистора затвор - исток в десятки или даже сотни килоом.

_________________
ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу.
За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевой Транзистор с управляющим pn-переходом.
СообщениеДобавлено: Пт июн 02, 2017 13:40:54 
Родился

Зарегистрирован: Вт май 30, 2017 09:54:53
Сообщений: 16
Откуда: Новая Земляндия
Рейтинг сообщения: 0
МДП-транзистор это почти идеальный транзистор, вот только смущает что он сохраняет заряд на затворе.
А каким образом решают эту проблему, если это не нужно?
Вопрос правильный. Ёмкость затвора (сама по себе, даже без учёта эффекта Миллера) может быть от сотен пик до чуть ли не десятков нан, ну единицы - точно, а ведь мосфеты приходится открывать-закрывать быстро, с частотами аж в сотни килогерц. В этом случае затвором управляют с помощью драйвера затвора - выполненного на транзисторах или готового, в виде микросхемы. Этот драйвер в импульсе выдаёт токи обоих знаков порядка ампера, чтобы побыстрее перезарядить затвор. Если столь быстрое включение-выключение не требуется, можно управлять затвором как попало. :-) В любом случае не следует оставлять его висящим в воздухе, иначе заряд с него будет уходить непонятно сколько времени. Достаточно резистора затвор - исток в десятки или даже сотни килоом.

Именно поэтому я и начал тему про "Полевой Транзистор с управляющим pn-переходом", а не с изолированным затвором.
Мне бы, для начала, с более простой схемой разобраться, не хотелось бы сразу лезть в дебри с разрядкой затворов и плодить каскады для сброса заряда. :)


Последний раз редактировалось aen Пт июн 02, 2017 15:47:49, всего редактировалось 1 раз.
Нарушение Правил форума п. 2.7


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пт июн 02, 2017 15:36:57 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 111
Рейтинг сообщений: 4059
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Сообщений: 13471
Откуда: Екатеринбург
Рейтинг сообщения: 0
Хорошо, пусть будут с PN-переходом. Будем говорить о какой-то конкретной схеме? Или о каком-то конкретном применении этого транзистора? "В общем виде" говорить неинтересно.

_________________
ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу.
За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пт июн 02, 2017 22:45:51 
Родился

Зарегистрирован: Вт май 30, 2017 09:54:53
Сообщений: 16
Откуда: Новая Земляндия
Рейтинг сообщения: 0
Будем говорить о какой-то конкретной схеме? Или о каком-то конкретном применении этого транзистора?

Хотел сделать нечто вроде щупа с лампочкой(свето-диодом), чтобы видеть наличие напряжения, а заодно поиграться с полевым транзистором.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Сб июн 03, 2017 07:56:48 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 111
Рейтинг сообщений: 4059
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Сообщений: 13471
Откуда: Екатеринбург
Рейтинг сообщения: 0
Тогда, я думаю, начинать надо именно с мосфета. Взять такой, который закрыт при нуле на затворе (они, наверно, практически все такие), с напряжением открывания поменьше ("управление логическими уровнями"). В сток - светодиод и токоограничительный резистор, к затвору - антенку, обязательно изолированную. Можно через резистор, скажем, 1 МОм. Резистор между затвором и истоком не нужен. Ну вот и всё, можно пробовать. При поднесении антенки к проводу под напряжением светодиод, может быть, :)) засветится. Почему здесь не подойдёт транзистор с PN-переходом, понятно?

_________________
ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу.
За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Сб июн 03, 2017 11:06:03 
Родился

Зарегистрирован: Вт май 30, 2017 09:54:53
Сообщений: 16
Откуда: Новая Земляндия
Рейтинг сообщения: 0
Почему здесь не подойдёт транзистор с PN-переходом, понятно?

Нет непонятно.
:dont_know:

От малоёмкого источника не померить?

Вобщем вы меня убедили, буду пробовать с МОП, МДП т.е. с изолированным затвором.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Сб июн 03, 2017 14:11:09 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 111
Рейтинг сообщений: 4059
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Сообщений: 13471
Откуда: Екатеринбург
Рейтинг сообщения: 0
Вы графики рисовали, по ним видно. Полевой транзистор с затвором в виде PN-перехода (JFET по буржуйской терминологии) всегда открыт (проводит ток) при нулевом напряжении (а надо, чтобы он был закрыт); чтобы запереть его, приходится подавать на затвор напряжение другого знака, чем на сток. Подать-то можно, но возникнут две проблемы.
1. Где его взять, другого знака?
2. Подавать его придётся через резистор, который резко снизит чувствительность устройства.
В-общем, пробуйте сразу мосфеты. Мне вот тоже не довелось иметь дела с JFETами, однако я не считаю себя ущербным. :))

Насчёт ёмкости - вопрос, конечно, интересный... Посчитаем? Допустим, мы имеем мосфет с напряжением открывания 1.8 В и ёмкостью затвор-исток 80 пФ. Нам надо среагировать на напряжение 180 В. Получается, ёмкость между искомым проводом и затвором должна быть не менее 0.8 пФ. Я думаю, такое обеспечить вполне реально. А возьмёте мощный мосфет - у него ёмкость может оказаться несколько нанофарад и он уже не откроется. (За основу взят BSS131, которых на работе у меня есть некоторое количество.)

_________________
ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу.
За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Сб июн 03, 2017 14:31:46 
Родился

Зарегистрирован: Вт май 30, 2017 09:54:53
Сообщений: 16
Откуда: Новая Земляндия
Рейтинг сообщения: 0
Спасибо, буду пробовать мосфеты. :)


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Сб июн 03, 2017 17:02:32 
Потрогал лапой паяльник
Аватар пользователя

Карма: 12
Рейтинг сообщений: 169
Зарегистрирован: Ср сен 21, 2016 17:21:32
Сообщений: 353
Откуда: Россия
Рейтинг сообщения: 0
Хотел сделать нечто вроде щупа с лампочкой
Неужели кроме как помигать лампочкой с этими транзисторами больше ни на что фантазии не хватает? :cry:
Хотите мигать лампочками, тогда изучайте МК. :)) Этим у нас только программисты занимаются. Они программировать научились, а зачем, сами не знают, поэтому кроме как помигать светодиодом больше ничего им в голову не приходит.

Выбирайте на любой вкус. В процессе и принцип работы подобных транзисторов изучите.

Полевые транзисторы
http://zpostbox.ru/fet/fet0.html
Практическое применение полевых транзисторов
http://zpostbox.ru/prakticheskoe_primen ... torov.html
Приборы и системы, выполненные с использованием полевых транзисторов
http://zpostbox.ru/fet_based_circuits_0.html
Усилители низкой частоты на полевых транзисторах
http://zpostbox.ru/fet_based_ac_amplifiers.html
Усилители постоянного тока на полевых транзисторах
http://zpostbox.ru/fet_based_dc_amplifiers.html
Генераторы на полевых транзисторах
http://zpostbox.ru/fet_based_oscillators.html
Радиоприёмные устройства на полевых транзисторах
http://zpostbox.ru/radiopriemnye_ustroi ... orakh.html

_________________
Подпись пока не придумал.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Сб июн 03, 2017 18:15:56 
Электрический кот

Карма: 15
Рейтинг сообщений: 242
Зарегистрирован: Пн окт 06, 2014 18:37:50
Сообщений: 1038
Откуда: Великие Луки
Рейтинг сообщения: 0
Сходил по первой ссылке, посмотрел, что интересовало. Про шумы- бред, человек даже не различает Кш (F), от ЭДС шума.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс июн 04, 2017 14:11:23 
Родился

Зарегистрирован: Вт май 30, 2017 09:54:53
Сообщений: 16
Откуда: Новая Земляндия
Рейтинг сообщения: 0
Вы графики рисовали, по ним видно. Полевой транзистор с затвором в виде PN-перехода (JFET по буржуйской терминологии) всегда открыт (проводит ток) при нулевом напряжении (а надо, чтобы он был закрыт); чтобы запереть его, приходится подавать на затвор напряжение другого знака, чем на сток. Подать-то можно, но возникнут две проблемы.
1. Где его взять, другого знака?
2. Подавать его придётся через резистор, который резко снизит чувствительность устройства.

Но ведь система сброса заряда у МОП-транзистора, почти эквивалентна, системе подачи напряжения отсечки на pn-транзистор и то и другое снижает чувствительность щупа.

А можно ли взять от напряжение другого знака от конденсатора?

Неужели кроме как помигать лампочкой с этими транзисторами больше ни на что фантазии не хватает? :cry:
Хотите мигать лампочками, тогда изучайте МК.
Начать мне проще с мигания лампочкой :), а если получится, буду прикручивать микропроцессор чтобы точные значения напряжения в цифру перевести и отобразить на цифровой панельке.

Ссылки интересные но мне пока рано на такие сложные схемы переходить. :)


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс июн 04, 2017 17:09:49 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 111
Рейтинг сообщений: 4059
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Сообщений: 13471
Откуда: Екатеринбург
Рейтинг сообщения: 0
Но ведь система сброса заряда у МОП-транзистора, почти эквивалентна, системе подачи напряжения отсечки на pn-транзистор и то и другое снижает чувствительность щупа.
В этом случае для мосфета не нужно делать никакую систему сброса заряда - именно для того, чтобы не терять чувствительность. Я писал уже: резистор затвор-исток не нужен. Во всех других случаях или резистор, или что-то ещё - нужно.
А можно ли взять от напряжение другого знака от конденсатора?
Ничего не понял. Как, откуда? Поясните свою мысль.

_________________
ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу.
За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс июн 04, 2017 17:48:58 
Родился

Зарегистрирован: Вт май 30, 2017 09:54:53
Сообщений: 16
Откуда: Новая Земляндия
Рейтинг сообщения: 0
В этом случае для мосфета не нужно делать никакую систему сброса заряда - именно для того, чтобы не терять чувствительность. Я писал уже: резистор затвор-исток не нужен.
Чувствительность первого зажигания лампочки да, будет выше, но как привести состояние изолированного затвора в первоначальное состояние, ведь после включения он накопит заряд, который нужно сбросить, после отсоединения щупа от изменяемого источника напряжения.

А можно ли взять от напряжение другого знака от конденсатора?
Ничего не понял. Как, откуда? Поясните свою мысль.
Ну конденсатор вроде имеет разный знак напряжения на обкладках. подключая один конец конденсатора к плюсу, на другом получаем минус и этим минусом создаём напряжение отсечки.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс июн 04, 2017 18:13:23 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 111
Рейтинг сообщений: 4059
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Сообщений: 13471
Откуда: Екатеринбург
Рейтинг сообщения: 0
Чувствительность первого зажигания лампочки да, будет выше, но как привести состояние изолированного затвора в первоначальное состояние, ведь после включения он накопит заряд, который нужно сбросить, после отсоединения щупа от изменяемого источника напряжения.
Наверно, не отсоединения, а удаления? Мы же, как я понял, делаем бесконтактный индикатор напряжения, разве нет? Теперь что касается разряда затвора. Он и сам разрядится. Сопротивление утечки у него большое, да. Но ведь ёмкость-то небольшая, так что через какое-то время заряд с затвора сам собой рассосётся.
Ну конденсатор вроде имеет разный знак напряжения на обкладках. подключая один конец конденсатора к плюсу, на другом получаем минус и этим минусом создаём напряжение отсечки.
Это вы сейчас рассказали, как работает "зарядовый насос" (charge pump). Правда, одним конденсатором не обойдётесь, два надо, ну да это - детали. Можно сделать, конечно. Только зачем? Ведь тогда придётся устройству делать выключатель питания и не забывать его выключать. Заметьте, девайсик на мосфете прекрасно обойдётся без оного. Потом, будет проблема найти особо высокоомный резистор, через который подаётся напряжение смещения на затвор - чтобы опять же не сильно потерять в чувствительности. И всё это - ради чего?

_________________
ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу.
За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс июн 04, 2017 21:41:16 
Родился

Зарегистрирован: Вт май 30, 2017 09:54:53
Сообщений: 16
Откуда: Новая Земляндия
Рейтинг сообщения: 0
Наверно, не отсоединения, а удаления? Мы же, как я понял, делаем бесконтактный индикатор напряжения, разве нет? Теперь что касается разряда затвора. Он и сам разрядится. Сопротивление утечки у него большое, да. Но ведь ёмкость-то небольшая, так что через какое-то время заряд с затвора сам собой рассосётся.
Контактный, который вроде должен сработать бесконтактно если высокое напряжение.
Насчёт разрядки, наблюдал работу МОПов (контур с ламочкой), так вот после срабатывания, транзистор заряжался и лампочка не гасла приличное время. Так что как-то разряжать затвор видимо придётся.

Это вы сейчас рассказали, как работает "зарядовый насос" (charge pump). Правда, одним конденсатором не обойдётесь, два надо, ну да это - детали. Можно сделать, конечно. Только зачем? Ведь тогда придётся устройству делать выключатель питания и не забывать его выключать. Заметьте, девайсик на мосфете прекрасно обойдётся без оного. Потом, будет проблема найти особо высокоомный резистор, через который подаётся напряжение смещения на затвор - чтобы опять же не сильно потерять в чувствительности. И всё это - ради чего?

Да действительно, пишут что "зарядовый насос" по типу инвертор, хотя по мне "зарядовый насос" это нечто другое.
Ради того чтобы использовать ненавистные вами рп-управляемый полевик :))
Хочу попробовать щуп на обоих видах полевиков.


Вернуться наверх
 
Показать сообщения за:  Сортировать по:  Вернуться наверх
Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 860 ]     ... , , , 27, , , ...  

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на форуме

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 27


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Перейти:  


Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
Русская поддержка phpBB
Extended by Karma MOD © 2007—2012 m157y
Extended by Topic Tags MOD © 2012 m157y